电解铜箔截面微观组织的EBSD分析

目的通过树脂包埋结合离子截面抛光的制备方法,实现铜箔样品的截面EBSD分析,进而利用截面EBSD分析方法探究电流密度对铜箔组织性能的影响。方法通过使用热固性树脂对铜箔进行包埋,使用加热平台使胶体凝固,对得到的包埋好的铜箔试样在砂纸上进行截面打磨,放入截面离子抛光仪中进行离子切割,样品制备完成后,将样品取下。使用电子背散射(EBSD)作为电镜附件,进行晶体学取向的表征。结果结合截面微观组织的EBSD分析方法,分析了电流密度对铜箔组织性能的影响,结果表明,随着电流密度的增大,电解铜箔的晶粒尺寸呈现出先减小后增大的趋势,孪晶密度和位错密度呈现出先增大后减小的趋势,抗拉强度在45 A/dm^(2)时达到最大547.05 MPa。结论该方法可以利用EBSD分析软件自动分析铜箔截面的晶粒粒度分布、孪晶密度等,并将这些微观结构特征与力学性能结果进行详细对比分析,验证了电流密度对铜箔组织和性能的显著影响。

Research and Analysis of Production and New Capacity of China's Electronic Copper Foil Enterprises in 2017

In the light of current fast development of new and expanded copper foil projects of electronic copper foil enterprises and recent adjustment of the main copper foil categories set to be developed by some companies(generally from lithium foil to PCB foil).The secretariat of China Electronics Materials Industry Association e-copper foil branch conducted in March,2017 an extensive and in-depth

等离子表面处理对低粗糙度铜箔与树脂界面结合性能的影响

目的通过等离子处理提高高频高速印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)基板中低粗糙度铜箔与树脂的结合力。方法采用大气等离子处理对环氧树脂和聚苯醚树脂进行表面改性,电沉积粗化处理得到低粗糙度铜箔,将处理后的铜箔/树脂热压制成PCB基板,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜(LSM)、X射线光电子能谱(XPS)、剥离强度测试等分析测试手段,系统地研究了等离子处理对铜箔/树脂界面结合力的影响。结果等离子处理后的树脂表面形貌未发生明显变化,对表面化学状态的分析表明表面产生了更多的有利于黏合的活性基团。等离子处理的环氧树脂和聚苯醚树脂样品的剥离强度分别为0.86N/mm和0.63N/mm,相比于未处理样品,结合力分别提高了43%和50%。此外,有无等离子处理的铜箔/树脂界面剥离断裂后的表面形貌特征显现出明显的差别,这一差别与等离子处理后表面化学状态的改变相关。具体而言,等离子处理的铜箔/环氧树脂剥离样品,树脂侧残留更多的铜微粒;等离子处理的铜箔/聚苯醚树脂样品,倾向于从树脂侧断裂,且铜微粒间隙中残留较多的树脂。结论等离子处理能够有效提高低粗糙度铜箔与环氧树脂及聚苯醚树脂间的结合性能。

钨酸钠复合添加剂深镀粗化电解铜箔表面处理工艺研究

目的提高电解铜箔深镀粗化效果。方法采用电沉积对35μm电解铜箔进行表面处理。通过AFM、SEM、XRD、剥离强度测试、表面粗糙度测试以及循环伏安等分析测试手段,系统地研究了钨酸钠-HEC-SPS复合添加剂对电解铜箔形貌与性能的影响。结果粗化液中加入钨酸钠-HEC-SPS复合添加剂,可以提高粗化层均匀性和致密性,改善深镀效果,当HEC、SPS和钨酸钠添加量分别为5、50、60 mg/L时,综合深镀处理效果最佳,粗糙度Rz和剥离强度分别为7.50μm和2.14 N/mm,该性能指标显著优于粗化原液处理试样。复合添加剂促使还原峰电位由−0.644 V负移至−0.674 V,电极极化增强。电沉积速率由33.0μm/h下降至29.8μm/h,抑制效果显著。峰顶瘤点形貌由尖刺状向光滑圆润的形貌转变,效果明显改善;同时,粗化层由(111)、(200)晶面显著向(220)晶面择优取向。结论粗化液中加入钨酸钠-HEC-SPS复合添加剂可以显著提升电解铜箔深镀效果,改善剥离强度及表面粗糙度,并促进晶面向(220)晶面择优取向。

电镀铜技术在电子材料中的应用

电镀铜层具有良好的导电、导热、延展性等优点,因此,电镀铜技术被广泛应用于电子材料制造领域。本文概括了几种常用电镀铜体系的特点,重点介绍了在电子制造中应用较广的酸性硫酸盐电镀铜镀液的组成和各成分作用。简述了电镀铜在铜箔粗化、印制电路制作、电子封装、超大规模集成电路(ULSI)铜互连领域的应用,并对近年来电子工业中应用的几种先进电镀铜技术,包括脉冲电镀铜技术、水平直接电镀铜技术、超声波电镀铜技术、激光电镀铜技术等进行了评述。

轧制油对压延电子铜箔的腐蚀

为了探究轧制油对压延电子铜箔的腐蚀情况,对铜箔进行了静态浸泡腐蚀,探讨腐蚀时间、温度对腐蚀过程的影响;采用间歇性腐蚀试验研究了轧制油腐蚀性和金属腐蚀率随腐蚀时间的变化;以苯并三氮唑(BTA)为缓蚀剂进行了初步的缓蚀试验,通过扫描电镜(SEM)观察缓蚀效果。结果表明:静态腐蚀时,铜箔腐蚀速率随腐蚀时间呈波动性变化,腐蚀3 h时腐蚀速率最高,达到0.780 mm/a,腐蚀9 h时腐蚀速率最低,为0.366 mm/a;铜箔表面腐蚀分为主要腐蚀生成Cu2O和Cu2O被进一步氧化为CuO 2个阶段;随着与铜箔接触时间的延长轧制油颜色逐渐加深,一方面是由于铜箔腐蚀产物溶于或者混入轧制油中,另一方面是因为铜离子催化轧制油氧化变质;在100℃以下铜箔腐蚀速率随温度增高而增加,超过100℃后腐蚀速率反而下降;随腐蚀时间延长,轧制油腐蚀性和金属腐蚀率降低;轧制油中加入缓蚀剂后,铜箔表面腐蚀明显改善。

Nb、Cu金属层厚度对Si_3N_4/Nb/Cu/Ni/Incone l600接头组织和性能的影响

采用Nb/Cu/N i作中间层,在连接温度为1 403 K、连接时间为50 m in、连接压力为7.5MPa的条件下,采用不同尺寸的中间层进行了S i3N4陶瓷与Inconel 600高温合金的部分液相扩散连接。通过改变Nb层、Cu层厚度,研究了Cu层、Nb层厚度变化对S i3N4/Nb/Cu/N i/Inconel 600接头的组织和性能的影响。研究发现,当Cu层厚度小于0.05 mm时,随着Cu层厚度的增加,接头中的Cu-N i合金层厚度增加,接头强度快速增加;当Cu层厚度超过0.05 mm时,接头中的Cu-N i合金层厚度由于压力的作用不明显增加,接头强度增加缓慢。随着Nb层厚度的增加,反应层厚度增加,接头的强度先增大后减小。

电沉积铜箔的微观组织结构--三维电结晶模式中的电结晶机理探讨

电沉积铜箔随着印刷线路板和锂离子电池的大量应用而越来越受到重视,产业规模仍在发展中。相对于电镀设备的制造和电沉积工艺的开发,但有关电沉积的机理方面的研究较少。本文总结了电沉积铜箔的制造过程并分析了不同电沉积铜技术中各电镀参数的差异,指出电沉积电流密度在铜箔形成过程中的重要作用。通过展示和比较不同电沉积铜箔的微观组织结构,讨论了电沉积中各影响因素对铜箔微观组织结构以及对其宏观机械性能的影响。从前人研究结果中发现电沉积条件和镀液组分对铜箔微观组织形貌及其宏观机械性能有重大影响,但电解铜箔的晶粒大小、织构等微观组织结构参数与其宏观机械性能间无法建立起有效的关联,这对以镀层的微观组织结构为桥梁来建立电沉积条件对铜箔宏观机械性能的理论框架带来极大的困扰。前人试图通过研究铜箔电沉积机理来解决这一难题。经典金属电沉积理论认为提高过电位能够增加瞬时成核数量并降低晶粒平均尺寸,但无法解释结晶中择优取向等问题。渡边辙发现电沉积与冶金的相似性,认为电沉积金属的微观组织结构与金属熔点相关,但其“微观结构控制”理论还存在一些缺陷,例如无法解释添加剂对晶粒的细化作用等。笔者建议可从价键及能带理论角度重塑电沉积机理与铜箔宏观性能间的关系,既通过建立铜箔电沉积过程中金属键形成与铜显微组织结构的理论联系,探讨其对铜箔宏观特性的影响。

电解铜箔项目投资风险分析与防范措施

电解铜箔作为现代电子工业的基础材料,随着中国电子工业的发展,国内有许多企业开始涉足电解铜箔的生产。详细分析了电解铜箔项目的投资风险,同时提出了防范措施,为电解铜箔的企业经营者及投资该领域的投资者提供了一定的决策参考依据。

印制电路板用高端电子铜箔及其技术新发展(上)

对PCB用高端电子铜箔的品种,及高频高速电子电路用极低轮廓铜箔和IC封装基板用附载体极薄铜箔这两大类高端品种的应用市场、产品开发技术新进展,做了讨论。

低温污泥干燥机在铜箔生产中的减量化应用

通过对电子铜箔企业的生产背景介绍,文章阐述了该行业中重金属污泥的来源及对重金属污泥脱水处理的必要性,然后列举了三种有效脱水的应用措施,并简要说明其优缺点,最后通过长期重复试验确定选用压滤机作前端处理+低温干化机终端处理的脱水方法。经过实际计算得出,除设备造价外,该方式每年可节约成本约57.7万元,同时提高了现有污泥处置方式的效率,提供一种节约成本、稳定可行、绿色有效的重金属污泥脱水解决方案。

压延电子铜箔漂洗废水回用系统工程设计

针对某铜板带加工企业压延电子铜箔生产线表面处理机组排放的含铜锌镍精漂洗废水的水质特点,采用混合反应—过滤—反渗透—离子交换处理工艺对其进行处理,处理后的废水电导率<1μs/cm,可回用作表面处理机组的补充水。

汽车电子的发展与电子铜箔的应对

文章介绍了汽车电子的分类与发展趋势,针对汽车用电路板的要求,阐述了相关铜箔的应对方案以及铜箔特性。未来,电子铜箔发展高峰,继智能手机之后,将会由汽车电子强力拉动。

超光电子铜箔的微尺度激光冲击平坦化

根据激光冲击的原理对超光电子铜箔进行了微尺度激光冲击平坦化(MLSF)处理。首先,通过MLSF实验研究脉冲能量和冲击次数等工艺参数对电子铜箔平坦化效果(表面粗糙度S_(a))的影响规律;然后,根据电子铜箔平坦化效果与工艺参数的对应规律,阐明电子铜箔的MLSF原理;最后,采用透射电子显微镜对MLSF处理前后的电子铜箔进行显微表征,揭示电子铜箔MLSF的表面变形机理。研究结果表明:当激光脉冲能量为100μJ、冲击次数为3次时,电子铜箔的表面粗糙度(S_(a))从22.7 nm降低到5.0 nm,降低了78%;冲击波经吸收层和样品层后被放大,使得样品层(铜箔)与底板(玻璃)的表面形貌接近;金属箔内部的小塑性变形和下表面附近的大塑性变形是MLSF的表面变形机制。