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Optical Methods in Orientation of High-Purity Germanium Crystal
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作者 Guojian Wang Yongchen Sun +4 位作者 Yutong Guan Dongming Mei Gang Yang Angela Alanson Chiller Bruce Gray 《Journal of Crystallization Process and Technology》 2013年第2期60-63,共4页
Two optical methods, namely crystal facet reflection and etching pits reflection, were used to orient and high-purity germanium crystals. The X-ray diffraction patterns of three slices that were cut from the oriented ... Two optical methods, namely crystal facet reflection and etching pits reflection, were used to orient and high-purity germanium crystals. The X-ray diffraction patterns of three slices that were cut from the oriented and crystals were measured by X-ray diffraction. The experimental errors of crystal facet reflection method and etching pits reflection method are in the range of 0.05° - 0.12°. The crystal facet reflection method and etching pits reflection method are extremely simple and cheap and their accuracies are acceptable for characterizing high purity detector-grade germanium crystals. 展开更多
关键词 REFLECTION METHOD high-purity germanium crystal
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Artificial neural network-based method for discriminating Compton scattering events in high-purity germaniumγ-ray spectrometer
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作者 Chun-Di Fan Guo-Qiang Zeng +5 位作者 Hao-Wen Deng Lei Yan Jian Yang Chuan-Hao Hu Song Qing Yang Hou 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期64-84,共21页
To detect radioactive substances with low activity levels,an anticoincidence detector and a high-purity germanium(HPGe)detector are typically used simultaneously to suppress Compton scattering background,thereby resul... To detect radioactive substances with low activity levels,an anticoincidence detector and a high-purity germanium(HPGe)detector are typically used simultaneously to suppress Compton scattering background,thereby resulting in an extremely low detection limit and improving the measurement accuracy.However,the complex and expensive hardware required does not facilitate the application or promotion of this method.Thus,a method is proposed in this study to discriminate the digital waveform of pulse signals output using an HPGe detector,whereby Compton scattering background is suppressed and a low minimum detectable activity(MDA)is achieved without using an expensive and complex anticoincidence detector and device.The electric-field-strength and energy-deposition distributions of the detector are simulated to determine the relationship between pulse shape and energy-deposition location,as well as the characteristics of energy-deposition distributions for fulland partial-energy deposition events.This relationship is used to develop a pulse-shape-discrimination algorithm based on an artificial neural network for pulse-feature identification.To accurately determine the relationship between the deposited energy of gamma(γ)rays in the detector and the deposition location,we extract four shape parameters from the pulse signals output by the detector.Machine learning is used to input the four shape parameters into the detector.Subsequently,the pulse signals are identified and classified to discriminate between partial-and full-energy deposition events.Some partial-energy deposition events are removed to suppress Compton scattering.The proposed method effectively decreases the MDA of an HPGeγ-energy dispersive spectrometer.Test results show that the Compton suppression factors for energy spectra obtained from measurements on ^(152)Eu,^(137)Cs,and ^(60)Co radioactive sources are 1.13(344 keV),1.11(662 keV),and 1.08(1332 keV),respectively,and that the corresponding MDAs are 1.4%,5.3%,and 21.6%lower,respectively. 展开更多
关键词 high-purity germaniumγ-ray spectrometer Pulse-shape discrimination Compton scattering Artificial neural network Minimum detectable activity
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Study on dislocation multiplication in the head of Germanium single crystal 被引量:1
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作者 LI Nan FENG Deshen YIN Shiping SU Xiaoping YANG Hai YU Yunqi MI Jianjun 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z2期59-64,共6页
The high strength, radiation hardness and cost-effectiveness make Germanium the substrate of choice for high-efficiency multi-junction solar cells for space applications. Numerical modeling and large-scale simulation ... The high strength, radiation hardness and cost-effectiveness make Germanium the substrate of choice for high-efficiency multi-junction solar cells for space applications. Numerical modeling and large-scale simulation are important and indispensable tools in the analysis and development of crystal growth process. In this study, germanium single crystals with low dislocation density were produced by Czochralski method by applying the necking technique. Chemical etching pits method was used to measure the dislocation density, and a professional modeling software CrysVUn was used to obtain the thermal-stress distribution. The results show that the thermal-stress of the sample with diameter of 15 mm is nearly equal to that of other samples, so the thermal-stress does not influence the dislocation multiplication. Based on the result, the dislocation density must be strangely increased caused by gravity. 展开更多
关键词 germanium crystal DISLOCATION simulation GRAVITY
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13N超高纯锗单晶的制备与性能研究
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作者 顾小英 赵青松 +4 位作者 牛晓东 狄聚青 张家瑛 肖溢 罗恺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期497-502,共6页
13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单... 13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.176×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2256 cm^(-2);尾部截面平均迁移率为4.620×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.007×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2589 cm^(-2)。晶体深能级杂质浓度为1.843×10^(9)cm^(-3)。以上结果表明该晶体是13N超高纯锗单晶。 展开更多
关键词 锗单晶 探测器 迁移率 载流子浓度 位错密度
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Study on cosmogenic radioactive production in germanium as a background for future rare event search experiments 被引量:8
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作者 Yu-Lu Yan Wei-Xin Zhong +7 位作者 Shin-Ted Lin Jing-Jun Zhu Chen-Kai Qiao Lei Zhang Yu Liu Qian Yue Hao-Yang Xing Shu-Kui Liu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2020年第6期22-29,共8页
Rare event search experiments are one of the most important topics in the field of fundamental physics,and high-purity germanium(HPGe)detectors with an ultralow radioactive background are frequently used for such expe... Rare event search experiments are one of the most important topics in the field of fundamental physics,and high-purity germanium(HPGe)detectors with an ultralow radioactive background are frequently used for such experiments.However,cosmogenic activation contaminates germanium crystals during transport and storage.In this study,we investigated the movable shielding containers of HPGe crystals using Geant4 and CRY Monte Carlo simulations.The production rates of 68Ge,65Zn,60Co,55Fe,and 3H were obtained individually for different types of cosmic rays.The validity of the simulation was confirmed through a comparison with the available experimental data.Based on this simulation,we found that the interactions induced by neutrons contribute to approximately 90%of the production rate of cosmogenic activation.In addition,by adding an optimized shielding structure,the production rates of cosmogenic radionuclides are reduced by about one order of magnitude.Our results show that it is feasible to use a shielding container to reduce the cosmogenic radioactivity produced during the transport and storage of high-purity germanium on the ground. 展开更多
关键词 high-purity germanium Shielding structure GEANT4 Transportation
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High Purity Germanium, a Review on Principle Theories and Technical Production Methodologies 被引量:2
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作者 Danilo C. Curtolo Semiramis Friedrich Bernd Friedrich 《Journal of Crystallization Process and Technology》 2017年第4期65-84,共20页
Since the early 1950’s the use of Germanium has been continuously growing as new applications are being developed. Its first commercial usage as the main material, from which the semiconductors were made, was later r... Since the early 1950’s the use of Germanium has been continuously growing as new applications are being developed. Its first commercial usage as the main material, from which the semiconductors were made, was later replaced by Silicon. The applications were then shifted to a key component in fiber optics, infrared night vision devices and space solar cells, as well as a polymerization catalyst for polyethylene terephthalate (PET). With the advance development in new technologies, the attentions have been brought back to Germanium due to its excellent semiconductor properties. New applications on the field of high efficiency solar cells, SiGe based chips, LED technologies, etc., are being developed and show a great potential. According to DERA (Deutsche Rohstoffagentur/German Mineral Resources Agency), the demand for Ge will grow considerably by 2030, pushed mostly by the increase in the fiber optics market and advanced materials sector [1]. Therefore, this paper focuses on an overview of the production chain of Germanium, especially from its concentrate up to the single crystal growth of its valuable ultra-pure metallic form to be used in high technological applications. 展开更多
关键词 germanium Fractional crystalLIZATION crystalLIZATION REFINING High PURITY Zone MELTING CZOCHRALSKI
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Crystal Structure of O,O-Diethyl-α-(β-triphenylgermanyl)-propionoyloxy Methylphosphonate
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作者 Chen Ru-Yu Mao Li-Juan +1 位作者 Liu Ai-Lin(Institute of Elemento-Organic Chemistry, Nankai University,Tianjin 300071) Wang Ru-Ji Wang Hong-Gen (Central Laboratory, Nankai University,Tianjin 300071) 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 1995年第6期25-28,共4页
C<sub>2</sub>6H<sub>3</sub>1GeO<sub>5</sub>P is monoclinic,space group P2<sub>1</sub>/c,a=14.287(4),b=8.045(2),c=23.381(6),β=103.79(2)°,V=2622.7,Mr=527.10,... C<sub>2</sub>6H<sub>3</sub>1GeO<sub>5</sub>P is monoclinic,space group P2<sub>1</sub>/c,a=14.287(4),b=8.045(2),c=23.381(6),β=103.79(2)°,V=2622.7,Mr=527.10,Z=4,Dx=1.34g/cm3,μ=12.4cm.F(000)=1096.The final R=0.051 and R<sub>w</sub>=0.057 for 2446 observed unique reflections[I≥3σ(I).The results indicated that all non-hydrogen atoms between phosphorus and germanium in the title compound were located almost in coplane with farthest deviation of atom Ge defined by 0. 3657.The values of Ge-C(phenyl) and Ge-C(alkyl) bond distance are 1.938(5),1.945(5) and 1.976(5),respectively. 展开更多
关键词 crystal structure α-hydroxy phosphonate derivative organic germanium antitumor agents
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红外光学材料单晶锗固结磨料研磨加工特性研究
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作者 郝益群 杨晓京 +1 位作者 袁锐波 姚同 《重庆理工大学学报(自然科学)》 CAS 北大核心 2023年第12期179-186,共8页
为实现单晶锗高质高效研磨加工,采用固结磨料研磨加工方式,以单晶锗的表面粗糙度和材料去除率为评价指标,通过单因素实验和正交实验,研究研磨垫磨粒大小和研磨参数(研磨盘转速、研磨压力、研磨时间)对固结磨料研磨加工特性的影响规律。... 为实现单晶锗高质高效研磨加工,采用固结磨料研磨加工方式,以单晶锗的表面粗糙度和材料去除率为评价指标,通过单因素实验和正交实验,研究研磨垫磨粒大小和研磨参数(研磨盘转速、研磨压力、研磨时间)对固结磨料研磨加工特性的影响规律。结果表明:采用磨粒粒度为W 8-12的金刚石研磨垫可以同时兼顾单晶锗的表面质量和加工效率;研磨参数对单晶锗表面粗糙度的影响相对较小,影响单晶锗材料去除率的显著因素顺序为研磨盘转速>研磨时间>研磨压力;以材料去除率为目标的最佳研磨参数为:研磨盘转速80 r/min,研磨压力9 kPa,研磨时间4 min;通过响应曲面分析得到研磨盘转速和研磨压力的交互作用对材料去除率的影响较大。研究结果可为单晶锗研磨加工中工艺参数的选择提供指导。 展开更多
关键词 单晶锗 固结磨料 研磨加工 材料去除率
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单晶锗纳米尺度二次划痕特性
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作者 张高赞 杨晓京 +2 位作者 李宗睿 李云龙 崔杰 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2023年第11期32-40,共9页
现有的单一划痕法磨削机理研究不能反映多个磨粒随机分布所引起的多次划痕之间的相互作用,为了阐明单晶锗磨削过程中多次划痕相互作用对材料去除机理的影响,采用Cube压头对单晶锗进行了不同刻划力的多次刻痕实验。结合Cube压头的几何形... 现有的单一划痕法磨削机理研究不能反映多个磨粒随机分布所引起的多次划痕之间的相互作用,为了阐明单晶锗磨削过程中多次划痕相互作用对材料去除机理的影响,采用Cube压头对单晶锗进行了不同刻划力的多次刻痕实验。结合Cube压头的几何形状与刻划表面的弹性回复,建立了划痕硬度模型,并对二次刻划中的划痕深度、应力场、弹性回复率、划痕硬度和摩擦特性进行分析,研究第一次刻划时载荷变化对于后续刻划的影响。结果表明:随着第一次刻划载荷的增大,二次刻划时单晶锗的脆塑转变的临界载荷、临界深度、弹性回复率和划痕硬度均在减少,幂函数对于切向力、法向力与刻划深度的拟合准确度降低;最大主应力增加,导致裂纹不断扩展,最终造成材料发生脆性断裂。 展开更多
关键词 单晶锗 纳米划痕实验 弹性回复 划痕硬度 磨削力学
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工艺参数对化学机械抛光磷锗锌晶体表面粗糙度的影响
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作者 聂清清 付思源 +2 位作者 梅斌 孙守利 阳红 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第7期63-73,共11页
针对高能领域对磷锗锌(ZGP)晶体表面粗糙度达到亚纳米级的要求,提出一套完整的ZGP晶体加工工艺。首先用内圆切割机将ZGP晶体切成7 mm×7 mm×15 mm的长方体;然后根据对比实验,选取最佳磨粒(金刚石)粒径为5μm,用机械研磨的方法... 针对高能领域对磷锗锌(ZGP)晶体表面粗糙度达到亚纳米级的要求,提出一套完整的ZGP晶体加工工艺。首先用内圆切割机将ZGP晶体切成7 mm×7 mm×15 mm的长方体;然后根据对比实验,选取最佳磨粒(金刚石)粒径为5μm,用机械研磨的方法使晶体的表面粗糙度(Sa)降至150 nm左右;随后基于化学机械抛光(CMP)技术,设计了粗抛光(采用3μm的金刚石悬浮液作为抛光液)和精抛光(SiO_(2)体系)两道工序,通过单因素实验确定了最佳抛光时间均为1 h,并通过正交试验得到如下优化的精抛光工艺:SiO_(2)粒径0.05μm,SiO_(2)质量分数8%,H_(2)O_(2)质量分数3%,pH=9,抛光压力17.24 kPa,抛光转速13.5 r/min,抛光液流量300 mL/min。最终得到表面粗糙度为0.106 nm的超光滑ZGP晶体。 展开更多
关键词 磷锗锌晶体 切割 研磨 化学机械抛光 表面粗糙度 正交优化
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科研反哺促进特种加工实验教学优化革新——单晶锗晶圆光控电解加工实验
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作者 朱浩 张朝阳 +1 位作者 徐坤 刘洋 《广东化工》 CAS 2023年第8期236-238,229,共4页
设计了面向本科生的单晶锗晶圆光控定域电解加工实验,利用上表面激光辐照调控材料电导率,实现晶圆背面电化学阳极溶解过程的精确控制,得到高质量凹坑结构。本实验可以直观验证电化学阳极溶解速度取决于电流密度,帮助学生深入理解电解加... 设计了面向本科生的单晶锗晶圆光控定域电解加工实验,利用上表面激光辐照调控材料电导率,实现晶圆背面电化学阳极溶解过程的精确控制,得到高质量凹坑结构。本实验可以直观验证电化学阳极溶解速度取决于电流密度,帮助学生深入理解电解加工原理,同时锻炼学生对激光器、电解电源、扫描电镜等多种设备的使用能力,进一步了解特种加工技术前沿,提升科学素养。 展开更多
关键词 单晶锗晶圆 光控电解 电化学反应 实验教学 科研前沿
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单晶锗各向异性力学性能实验 被引量:9
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作者 杨晓京 刘艳荣 +1 位作者 杨小江 方聪聪 《农业机械学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期322-326,共5页
通过纳米压痕实验对单晶锗(100)、(110)、(111)晶面进行各向异性力学性能的分析研究。根据纳米压痕过程中获得的载荷-位移曲线并结合Oliver-Pharr理论对材料的弹性模量和硬度进行考察。实验结果表明:单晶锗在纳米压痕过程中发生明显的... 通过纳米压痕实验对单晶锗(100)、(110)、(111)晶面进行各向异性力学性能的分析研究。根据纳米压痕过程中获得的载荷-位移曲线并结合Oliver-Pharr理论对材料的弹性模量和硬度进行考察。实验结果表明:单晶锗在纳米压痕过程中发生明显的塑性变形,并且(110)晶面塑性最好,(100)晶面其次,(111)晶面塑性最差;硬度与弹性模量变化趋势相一致,在压入深度较小时,材料受表面效应的影响,硬度和弹性模量发生明显波动,而且由于单晶锗各个晶面上的原子密度以及晶面间距有较大的差异,单晶锗表现出稳定的各向异性,硬度和弹性模量大小依次为:(111)晶面、(110)晶面、(100)晶面。随着压入深度增加,硬度和弹性模量逐渐趋于稳定,大小依次为:(110)晶面、(100)晶面、(111)晶面。 展开更多
关键词 单晶锗 纳米压痕 晶面 各向异性 硬度 弹性模量
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退火对锗单晶导电性能的影响 被引量:5
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作者 王思爱 苏小平 +1 位作者 冯德伸 尹士平 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期511-514,共4页
退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺... 退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果。 展开更多
关键词 锗单晶 退火 导电型号 电阻率
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一种高效的锗单晶抛光片清洗液 被引量:6
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作者 杨洪星 陈晨 +2 位作者 王云彪 何远东 耿莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期129-132,共4页
以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以... 以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以雾值、表面粗糙度和表面颗粒度作为Ge单晶片表面均匀性的评价指标。通过Ge单晶片清洗实验,确定清洗液配比、清洗时间的较优组合。在优化后的清洗条件下,Ge单晶抛光片的雾值为2.33×10-8,表面粗糙度为0.16 nm,Ge单晶片的表面质量满足电池制作的要求。该清洗液清洗效果好,操作简便,是Ge单晶抛光片的一种较理想清洗液。 展开更多
关键词 锗(Ge)单晶 表面清洗 表面粗糙度 雾值 抛光片
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用飞切法加工光学晶体平面镜 被引量:4
15
作者 史国权 仇健 +3 位作者 于骏一 马文生 韩荣久 黄巍 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期73-77,共5页
从单晶锗光学晶体结构入手,深入分析了光学晶体材料切屑切除与晶体结构方位的关系,确定了材料产生剪切滑移的最佳晶向,据此提出了在这些晶向上对单晶锗进行飞切加工的新工艺,从而有效地消除了已加工表面断裂破坏区,获得了表面粗糙... 从单晶锗光学晶体结构入手,深入分析了光学晶体材料切屑切除与晶体结构方位的关系,确定了材料产生剪切滑移的最佳晶向,据此提出了在这些晶向上对单晶锗进行飞切加工的新工艺,从而有效地消除了已加工表面断裂破坏区,获得了表面粗糙度0.007~0.009均匀一致的光滑表面。 展开更多
关键词 单晶锗 光学晶体 飞切加工 表面粗糙度
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β-羧乙基(或α-甲基乙基)锗三氯化物晶体和分子结构及其质谱分析 被引量:2
16
作者 上官国强 张树功 +2 位作者 金钟声 刘淑莹 倪嘉缵 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1991年第2期223-226,共4页
有机锗化合物的抗癌等广泛生物活性已引起人们对其研究的兴趣。β-羰乙基锗倍半氧化物(Ge-132)的生物活性已有广泛研究,对其衍生物合成及性质研究亦受到重视。作为合成这类衍生物的中间体,β-羧烃基锗三氯化物的结构和性质报道较少。我... 有机锗化合物的抗癌等广泛生物活性已引起人们对其研究的兴趣。β-羰乙基锗倍半氧化物(Ge-132)的生物活性已有广泛研究,对其衍生物合成及性质研究亦受到重视。作为合成这类衍生物的中间体,β-羧烃基锗三氯化物的结构和性质报道较少。我们制备了两种β-羧烷基锗三氯化物晶体,测定了其晶体和分子结构,研究了质谱裂解机理,讨论了结构和性质问的关系。 展开更多
关键词 有机锗化合物 晶体结构 分子结构
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基于分子动力学单晶锗的纳米压痕特性分析 被引量:6
17
作者 毛杰伟 刘文浩 王增鹏 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期454-457,共4页
单晶锗属于硬脆性光学半导体材料,加工时易产生裂纹和凹坑等缺陷,严重影响其表面质量.为了达到纳米级的表面质量,本文采用分子动力学模拟从不同晶面和晶向对单晶锗进行纳米压痕分析,在纳米尺度下对其进行压痕加载和卸载,分析该过程中载... 单晶锗属于硬脆性光学半导体材料,加工时易产生裂纹和凹坑等缺陷,严重影响其表面质量.为了达到纳米级的表面质量,本文采用分子动力学模拟从不同晶面和晶向对单晶锗进行纳米压痕分析,在纳米尺度下对其进行压痕加载和卸载,分析该过程中载荷的变化情况,得到弹性模量的变化差异.结果表明,加载前后弹性模量差异小的单晶锗(111)晶面可以作为实际生产中的加工面,从而获得高质量的加工表面. 展开更多
关键词 单晶锗 超精密 压痕特性 分子动力学 仿真
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利用纳米压痕法研究单晶锗的力学行为 被引量:4
18
作者 杨晓京 赵彪 +1 位作者 李勇 李明 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第16期80-83,共4页
利用纳米压痕仪和原子力显微镜对单晶锗(100)晶面进行纳米压痕试验。通过载荷-压深曲线和弹性回复率的变化情况对材料的变形机理以及硬度和弹性模量进行研究。结果表明:单晶锗(100)晶面在不同的压入深度下分别经历了弹性变形、塑性变形... 利用纳米压痕仪和原子力显微镜对单晶锗(100)晶面进行纳米压痕试验。通过载荷-压深曲线和弹性回复率的变化情况对材料的变形机理以及硬度和弹性模量进行研究。结果表明:单晶锗(100)晶面在不同的压入深度下分别经历了弹性变形、塑性变形和脆性断裂;载荷-压深曲线中出现明显的突进和突退现象,该现象与材料的内部结构发生相变密切相关;单晶锗(100)晶面存在明显的压痕尺寸效应。该材料弹性模量的变化趋势与硬度相一致。 展开更多
关键词 单晶锗 纳米压痕 相变 硬度 弹性模量
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新型杂多配合物K_3H_2[GeW_8Mo_3VO_(40)]·4H_2O的合成与晶体结构 被引量:3
19
作者 吴庆银 王晓芳 宋玉林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期934-937,共4页
用分步酸化、分步加料法合成出新型杂多配合物K3H2[GeW8Mo3VO40]·4H2O,并用X射线单晶衍射法测定其晶体结构.该晶体属单斜晶系,C2空间群,a=1.8944(4)nm,b=3.2920(7)nm,c... 用分步酸化、分步加料法合成出新型杂多配合物K3H2[GeW8Mo3VO40]·4H2O,并用X射线单晶衍射法测定其晶体结构.该晶体属单斜晶系,C2空间群,a=1.8944(4)nm,b=3.2920(7)nm,c=1.2494(2)nm,β=90.25(3)°,V=7.792(4)nm3,Z=6.最终偏差因子R=0.063,RW=0.067. 展开更多
关键词 杂多配合物 配合物 晶体结构
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BaF_2/BaO替代对钡镓锗酸盐玻璃结构的影响(英文) 被引量:8
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作者 曹国喜 胡和方 +1 位作者 干福熹 李留恩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1381-1388,共8页
用Raman光谱技术研究了Ga2O3/GaF3GeO2二元玻璃的结构,并用XRD技术和Raman光谱技术研究了BaF2/BaOGa2O3GeO2系统玻璃的结构。讨论了BaF2替代BaO对玻璃结构的影响。结果表明:摩尔组成为20BaO15Ga2O365GeO2玻璃的主要亚稳相是BaGa2·G... 用Raman光谱技术研究了Ga2O3/GaF3GeO2二元玻璃的结构,并用XRD技术和Raman光谱技术研究了BaF2/BaOGa2O3GeO2系统玻璃的结构。讨论了BaF2替代BaO对玻璃结构的影响。结果表明:摩尔组成为20BaO15Ga2O365GeO2玻璃的主要亚稳相是BaGa2·Ge2O8,而以BaF2替代玻璃中的全部BaO后,玻璃的主要亚稳相转变为BaGe2O5。玻璃中引入氟化物后,其中频段强Raman散射峰宽化,主峰值向高频方向移动,表明在玻璃中形成一些较大的四面体环。同时玻璃高频段最强的振动峰同样移向高频,高频带低频侧的肩明显减弱。这些变化可解释为玻璃中Q2振动模的减少和Ga,Ge四面体的对称性降低,使Raman光谱中的高频成分增加。 展开更多
关键词 锗酸盐玻璃 氟化物 玻璃析晶 RAMAN光谱 玻璃结构
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