共沉淀法合成Tm,Ho:GGG纳米粉体及性能表征

采用尿素共沉淀法合成Tm,Ho:Gd3Ga5O12(Tm,Ho:GGG)纳米粉体,利用TG/DTA,XRD,SEM及电子衍射分析技术对Tm,Ho:GGG粉体的物相结构、热稳定性、粒度及形貌进行了分析.结果表明:所合成粉体为GGG相,1200℃获得了粒径均匀、分散性和流动性好纳米粉体,大小约50 nm～150 nm之间,有利于制备性能优异的Tm,Ho:GGG陶瓷.

溶胶-凝胶低温燃烧法制备Yb,Ho∶Gd_3Ga_5O_(12)纳米粉体

采用溶胶-凝胶低温燃烧法制得了Yb,Ho∶GGG纳米粉体。X射线衍射分析结果表明900℃煅烧得结晶良好的Yb,Ho∶GGG纯相。IR光谱分析发现900℃煅烧的样品在617 cm-1附近出现一系列GGG的晶格振动吸收峰。SEM观察发现Yb,Ho∶GGG纳米粉体粒径在20 nm左右,粒度均匀,无团聚。荧光光谱分析表明样品的最强发射峰位于1200 nm,是由Ho3+的5I6-5I8能级跃迁引起的荧光发射,且发现Yb3+-Ho3+间存在能量传递。

Tm,Ho:Gd3Ga5O12粉体合成并制备陶瓷性能表征

采用溶胶-凝胶法合成了Tm,Ho:Gd 3Ga 5O 12(Tm,Ho:GGG)超细纳米粉末,煅烧纳米粉末以用来烧结透明陶瓷.对纳米粉末进行模塑,煅烧和烧结,并通过真空烧结法制备GGG透明陶瓷同时确定陶瓷烧结方法.通过X射线衍射仪(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光荧光光谱仪(PFS)分析样品的粒度和结构.分析结果表明,粉末在900℃煅烧下粒度均匀且分散性好.荧光光谱测试结果表明,Tm,Ho:GGG陶瓷主要发射峰位于2.02μm(即2 020 nm),该荧光是由Ho 3+的5I 7→5I 8转变产生的荧光发射.透过光谱测试结果表明,烧结后的Tm,Ho:GGG陶瓷样品透过率约为85.8%.