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热壁外延(HWE)制备PbTe/PbSnTe异质结和超晶格
被引量:
1
1
作者
杨玉琨
李文明
+6 位作者
熊欣
于磊
于泳
杨易
吴连民
徐跃
徐立兴
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1996年第3期26-30,共5页
本文于国内首次报导,利用简化的热壁外延(HWE)装置在BaF_2(111)衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层,制备了PbTe/PbSnTe异质结和具有20个周期的超晶格.测试结果表明,所制备的外延层的晶体结构完美,...
本文于国内首次报导,利用简化的热壁外延(HWE)装置在BaF_2(111)衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层,制备了PbTe/PbSnTe异质结和具有20个周期的超晶格.测试结果表明,所制备的外延层的晶体结构完美,异质结具有良好的整流特性.通过X—光衍射求出了超晶格的周期.超晶格样品(222)衍射峰的卫星峰不对称,说明样品内有应变.
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关键词
热壁外延
异质结
超晶格
碲化铅
铅锡碲化合物
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职称材料
热壁外延PbTe/Si异质结带偏移的研究
2
作者
熊欣
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1995年第2期31-34,共4页
本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法.利用C-V测量技术,估计了晶格失配和其它集中电容对n-pbTe/P-Si异质结内建电势的影响.在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后,所得内建电势差修...
本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法.利用C-V测量技术,估计了晶格失配和其它集中电容对n-pbTe/P-Si异质结内建电势的影响.在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后,所得内建电势差修正值接近理想HJ的计算值。基于此修正值,计算的带偏移△Ev和△Ec十分接近国外文献所报导的结果。
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关键词
热壁外延
带偏移
半导体
碲化铅
硅
异质结
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职称材料
题名
热壁外延(HWE)制备PbTe/PbSnTe异质结和超晶格
被引量:
1
1
作者
杨玉琨
李文明
熊欣
于磊
于泳
杨易
吴连民
徐跃
徐立兴
机构
吉林大学分析测试实验中心
出处
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1996年第3期26-30,共5页
文摘
本文于国内首次报导,利用简化的热壁外延(HWE)装置在BaF_2(111)衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层,制备了PbTe/PbSnTe异质结和具有20个周期的超晶格.测试结果表明,所制备的外延层的晶体结构完美,异质结具有良好的整流特性.通过X—光衍射求出了超晶格的周期.超晶格样品(222)衍射峰的卫星峰不对称,说明样品内有应变.
关键词
热壁外延
异质结
超晶格
碲化铅
铅锡碲化合物
Keywords
hot wall epitaxy
,
helerojwnction
,
super lattice.
分类号
TN304.201 [电子电信—物理电子学]
O471.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
热壁外延PbTe/Si异质结带偏移的研究
2
作者
熊欣
出处
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1995年第2期31-34,共4页
文摘
本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法.利用C-V测量技术,估计了晶格失配和其它集中电容对n-pbTe/P-Si异质结内建电势的影响.在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后,所得内建电势差修正值接近理想HJ的计算值。基于此修正值,计算的带偏移△Ev和△Ec十分接近国外文献所报导的结果。
关键词
热壁外延
带偏移
半导体
碲化铅
硅
异质结
Keywords
hot wall epitaxy
,
lattice
mismatch,Built-in potential,Band disconti-nuities.
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
O471 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热壁外延(HWE)制备PbTe/PbSnTe异质结和超晶格
杨玉琨
李文明
熊欣
于磊
于泳
杨易
吴连民
徐跃
徐立兴
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1996
1
下载PDF
职称材料
2
热壁外延PbTe/Si异质结带偏移的研究
熊欣
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1995
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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