热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向及形态的研究

采用热丝化学气相沉积法（HWCVD），在很近的热丝与衬底距离（5mm）下沉积多晶硅薄膜，研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律。结果表明：当热丝温度在1400oC～1800oC变化，衬底温度225℃-320℃时，沉积出多晶硅薄膜的择优取向随温度升高的变化规律是（111）→（220）→（111）；在低的灯丝温度（-1450℃）和低的衬底温度（235℃）条件下，获得了晶粒横向尺寸大于1μm、垂直尺寸大于5μm的均匀致密的多晶硅薄膜。

镀铜玻璃衬底上柱状多晶硅薄膜的制备

采用热丝化学气相沉积方法在镀铜玻璃衬底上制备了柱状多晶硅薄膜。使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等测试手段研究了灯丝与衬底间距（5～10mm）、灯丝温度（1800～1500℃）以及对应的衬底温度（在320～200℃变化）对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律。研究结果表明：在镀铜玻璃衬底上金属诱导生长的多晶硅薄膜具有较高的晶化率，较低的晶化温度，同时铜过渡层影响多晶硅薄膜的晶体学生长方向。