期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Determining Hubbard U of VO_(2) by the quasi-harmonic approximation
1
作者 孔龙娟 陆雨航 +2 位作者 庄新莹 周志勇 胡振芃 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期623-630,共8页
Vanadium dioxide VO_(2) is a strongly correlated material that undergoes a metal-to-insulator transition around 340 K.In order to describe the electron correlation effects in VO_(2), the DFT+U method is commonly emplo... Vanadium dioxide VO_(2) is a strongly correlated material that undergoes a metal-to-insulator transition around 340 K.In order to describe the electron correlation effects in VO_(2), the DFT+U method is commonly employed in calculations.However, the choice of the Hubbard U parameter has been a subject of debate and its value has been reported over a wide range. In this paper, taking focus on the phase transition behavior of VO_(2), the Hubbard U parameter for vanadium oxide is determined by using the quasi-harmonic approximation(QHA). First-principles calculations demonstrate that the phase transition temperature can be modulated by varying the U values. The phase transition temperature can be well reproduced by the calculations using the Perdew–Burke–Ernzerhof functional combined with the U parameter of 1.5eV. Additionally,the calculated band structure, insulating or metallic properties, and phonon dispersion with this U value are in line with experimental observations. By employing the QHA to determine the Hubbard U parameter, this study provides valuable insights into the phase transition behavior of VO_(2). The findings highlight the importance of electron correlation effects in accurately describing the properties of this material. The agreement between the calculated results and experimental observations further validates the chosen U value and supports the use of the DFT+U method in studying VO_(2). 展开更多
关键词 quasi-harmonic approximation vanadium dioxide first-principles calculation hubbard u
下载PDF
铁磁性及Hubbard U值对黄铜矿密度泛函理论计算的影响
2
作者 李玉琼 简胜 陈建华 《矿产保护与利用》 2023年第1期32-36,共5页
黄铜矿具有反铁磁性,在密度泛函理论(DFT)计算过程中,磁性设置对计算的准确性非常重要,另外Hubbard U值对具有电子强关联性的Fe 3d轨道的修正对获得正确的电子结构也至关重要。研究了铁磁性、反铁磁性和Hubbard U值修正对黄铜矿密度泛... 黄铜矿具有反铁磁性,在密度泛函理论(DFT)计算过程中,磁性设置对计算的准确性非常重要,另外Hubbard U值对具有电子强关联性的Fe 3d轨道的修正对获得正确的电子结构也至关重要。研究了铁磁性、反铁磁性和Hubbard U值修正对黄铜矿密度泛函理论计算结果的影响。结果表明,没有设置U值修正会导致晶格常数偏离实验值较远,只有在反铁磁性和2.0eV的U值同时设置条件下,黄铜矿的晶格参数与带隙值才非常接近实验值。无任何磁性设置时,表面结构弛豫变化较大,并且捕收剂乙基硫氨酯(Z-200)不能吸附;铁磁性设置对Cu的结构弛豫影响大于Fe的结构弛豫,反铁磁性设置对这两种金属元素的弛豫影响相同,都使其在表面上与S成键后呈近似平面的结构;另外,Z-200在铁磁性表面的吸附弱于在反铁磁性表面的吸附。研究表明反铁磁性设置和Hubbard U修正对黄铜矿的密度泛函理论计算非常重要,该研究为黄铜矿的密度泛函理论计算提供了参考。 展开更多
关键词 黄铜矿 密度泛函理论计算 反铁磁性 hubbard u
下载PDF
Constrained Density Functional Theory Plus the Hubbard U Correction Approach for the Electronic Polaron Mobility:A Case Study of TiO_(2)
3
作者 Yue-Chao Wang Hong Jiang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2021年第5期541-551,I0002,共12页
The formation and migration of polarons have important influences on physical and chemical properties of transition metal oxides.Density functional theory plus the Hubbard U correction(DFT+U)and constrained density fu... The formation and migration of polarons have important influences on physical and chemical properties of transition metal oxides.Density functional theory plus the Hubbard U correction(DFT+U)and constrained density functional theory(cDFT)are often used to obtain the transfer properties for small polarons.In this work we have implemented the cDFT plus the Hubbard U correction method in the projector augmented wave(PAW)framework,andapplied it to study polaron transfer in the bulk phases of TiO_(2).We have confirmed that the parameter U can have significant impact on theoretical prediction of polaronic properties.It was found that using the Hubbard U calculated by the cDFT method with the same orbital projection as used in DFT+U,one can obtain theoretical prediction of polaronic properties of rutile and anatase phases of TiO_(2) in good agreement with experiment.This work indicates that the cDFT+U method with consistently evaluated U is a promising first-principles approach to polaronic properties of transition metal oxides without empirical input. 展开更多
关键词 Small polaron Constrained density functinal theory Density functional theory the hubbard u correction
下载PDF
Lattice Enthalpy Drives Hubbard U to Zero
4
作者 Sven Larsson 《Journal of Modern Physics》 2013年第6期29-32,共4页
In the equation U = I – A for the Mott energy, the electron-hole interaction of the successor state is missing. Adding the attractive term, the energy for disproportionation (Hubbard U), may adopt any sign. The missi... In the equation U = I – A for the Mott energy, the electron-hole interaction of the successor state is missing. Adding the attractive term, the energy for disproportionation (Hubbard U), may adopt any sign. The missing term is related to the Born effect, the Madelung correction and the Lattice Enthalpy. 展开更多
关键词 hubbard u LATTICE ENTHALPY SuPERCONDuCTIVITY Correlation DISPROPORTIONATION
下载PDF
Investigation of optoelectronic properties of pure and Co substituted α-Al_2O_3 by Hubbard and modified Becke–Johnson exchange potentials 被引量:2
5
作者 H.A.Rahnamaye Aliabad 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期430-435,共6页
Advanced GGA + U(Hubbard) and modified Becke–Johnson(mBJ) techniques are used for the calculation of the structural, electronic, and optical parameters of α-Al2-x CoxO3(x = 0.0, 0.167) compounds. The direct b... Advanced GGA + U(Hubbard) and modified Becke–Johnson(mBJ) techniques are used for the calculation of the structural, electronic, and optical parameters of α-Al2-x CoxO3(x = 0.0, 0.167) compounds. The direct band gaps calculated by GGA and m BJ for pure alumina are 6.3 eV and 8.5 eV, respectively. The m BJ approximation provides results very close to the experimental one(8.7 eV). The substitution of Al with Co reduces the band gap of alumina. The wide and direct band gap of the doped alumina predicts that it can efficiently be used in optoelectronic devices. The optical properties of the compounds like dielectric functions and energy loss function are also calculated. The rhombohedral structure of theα-Al2-x CoxO3(x = 0.0, 0.167) compounds reveal the birefringence properties. 展开更多
关键词 density functional theory hubbard u modified Becke–Johnson exchange potential optoelectronic properties
下载PDF
附相t-t′-U Hubbard模型的约束路径Monte Carlo方法研究
6
作者 文生辉 刘自信 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期40-43,共4页
利用约束路径MonteCarlo方法的双维表示,对附相t-t′-UHubbard模型进行了研究.在研究中,我们发现,当在t-t′-UHubbard模型中加入一体现内部非均匀性的相因子时,不同的相因子对扩展的s-波,d-波的配对关联函数和顶角贡献有一定的影响.而... 利用约束路径MonteCarlo方法的双维表示,对附相t-t′-UHubbard模型进行了研究.在研究中,我们发现,当在t-t′-UHubbard模型中加入一体现内部非均匀性的相因子时,不同的相因子对扩展的s-波,d-波的配对关联函数和顶角贡献有一定的影响.而在相同的相角时,负的t′值减小了关联函数顶角贡献的短程关联性. 展开更多
关键词 t-t'-u hubbard模型 关联函数 顶角贡献 约束路径Monte CARLO方法
下载PDF
U(1)自旋交换下的一维关联电子体系的相图
7
作者 丁汉芹 张军 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第4期425-431,共7页
在弱耦合区域和电子浓度半满情况下,我们研究了一维U(1)自旋各向异性的t-U-J-V模型的基态特性.通过组合玻色化和重整化群分析的场论方法,我们获得了量子相图.基态中包含二个有自旋激发能隙的自旋密度波(SDW)和键序自旋密度波(BSDW)的绝... 在弱耦合区域和电子浓度半满情况下,我们研究了一维U(1)自旋各向异性的t-U-J-V模型的基态特性.通过组合玻色化和重整化群分析的场论方法,我们获得了量子相图.基态中包含二个有自旋激发能隙的自旋密度波(SDW)和键序自旋密度波(BSDW)的绝缘相以及二个无自旋激发能隙的Mott绝缘体(MI)和Haldane绝缘体(HI).研究结果揭示了各向异性的相互作用对一维关联电子体系的低能物理有着重要的影响. 展开更多
关键词 相图 扩展hubbard模型 u(1)自旋各向异性 弱耦合 一维 关联体系
下载PDF
GGA+U方法研究C与Ti掺杂GaN的电子结构和光学性质 被引量:1
8
作者 刘纪博 庞国旺 +9 位作者 马磊 刘丽芝 王晓东 史蕾倩 潘多桥 刘晨曦 张丽丽 雷博程 赵旭才 黄以能 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第1期77-84,共8页
作为一种优良的半导体材料,GaN所具有的宽禁带导致其只能吸收可见光中的紫光,因此如何增加GaN材料对可见光的利用率是一个值得研究的问题,掺杂是解决这个问题常用的手段。本文利用第一性原理的方法对本征GaN,C单掺、Ti单掺、C-Ti共掺Ga... 作为一种优良的半导体材料,GaN所具有的宽禁带导致其只能吸收可见光中的紫光,因此如何增加GaN材料对可见光的利用率是一个值得研究的问题,掺杂是解决这个问题常用的手段。本文利用第一性原理的方法对本征GaN,C单掺、Ti单掺、C-Ti共掺GaN四种体系的电子结构和光学性质做了计算和分析,结果表明:掺杂后的体系都具有良好的稳定性;掺杂后各体系的体积均增大,说明杂质的引入使体系晶格发生畸变,对光生空穴-电子对的分离有促进作用,进而提高材料的光催化性能;杂质元素的引入使体系能级发生劈裂,电子跃迁更加容易;掺杂后各体系的介电函数虚部主峰均向低能区移动,吸收谱均红移至可见光区域,其中共掺体系在蓝绿光区域的吸收系数最大,由此可以推测C-Ti共掺有助于提高GaN的光催化性能。 展开更多
关键词 第一性原理 哈伯德u修正 GAN 掺杂 电子结构 光学性质 半导体
下载PDF
CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究
9
作者 张富春 崔红卫 +1 位作者 杨延宁 张威虎 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期14043-14047,共5页
采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的... 采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的能级逐渐分裂,导带部分和价带部分分别向高能和低能方向移动,当U=8时,CoSi2合金出现自旋劈裂现象。电荷密度计算结果显示Co—Si键是一种以共价键为主且含有部分离子键成分的混合价合金材料,载流子具有明显的由Si原子向Co原子的电荷转移特性。光学吸收谱分析表明,随着U值的增大,CoSi2材料的吸收峰发生蓝移现象,吸收峰强度逐渐减弱。这些结果表明,CoSi2合金材料是一种很好的具有一定发光性能的热电材料。 展开更多
关键词 CoSi2合金 hubbardu 电子结构 光学性质
下载PDF
二氧化铀电子结构和弹性性质的第一性原理研究 被引量:1
10
作者 范航 王珊珊 李玉红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期456-461,共6页
本文采用第一性原理的方法系统研究了UO2的晶体结构、电子结构和弹性性质.在计算中采用广义梯度近似结合Hubbard U项描述电子的局域强关联效应.首先通过计算能带带隙大小并与理论值比较的方法,得到了合理的有效库仑相关作用能(Ueff)的取... 本文采用第一性原理的方法系统研究了UO2的晶体结构、电子结构和弹性性质.在计算中采用广义梯度近似结合Hubbard U项描述电子的局域强关联效应.首先通过计算能带带隙大小并与理论值比较的方法,得到了合理的有效库仑相关作用能(Ueff)的取值,同时通过态密度的计算,进一步验证了Ueff取值的合理性.计算得到UO2中U原子的Ueff值为3.30 e V(Ueff=U-J,U=3.70 e V,J=0.40 e V).应用此参数计算得到的UO2晶格常数为5.54,带隙宽度为2.17 e V.该结果优于目前现有的研究结果,同时在同样的Ueff值条件下计算所得到的弹性常数与实验值也符合得较好.相较于之前的基于实验测量并分析得到的Ueff值,我们所采用的方法在对UO2性质描述上更为准确.不同的有效库仑相关作用能取值下的态密度结果表明,有效库仑相关作用能的大小可以影响铀原子5f电子轨道的分布. 展开更多
关键词 DFT%PLuS%u ueff值 uO2 性质
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部