光电二极管电参数模型及I/V转换稳定分析

为了克服光电二极管寄生参数引起的I/V转换电路的不稳定性,提高对微弱光电流信号的检测精度.给出光电二极管实际电参数模型,并分析了光电二极管检测单元在实际电参数下的振荡原因,通过采用超前校正的方法,对光电二极管检测单元实际模型中结电容及运算放大器输入电容引起的相位进行补偿,并给出模型、电路仿真和实验结果,实验结果表明该方法可有效抑制光电二极管I/V转换电路的振荡,从而提高对微弱光电流信号的检测精度.

RCV420I/V转换电路的几种典型应用

介绍了RCV420 I/V转换电路的内部结构、功能和应用方法,列举了三种典型应用实例,最后提出了应用中的注意事项。

探究式教学在“I/V变换电路设计与应用”实验中的研究

该文以学生为主体设计了模拟电子技术实验课程的I/V变换电路设计与应用实验。将实验内容按基础—晋级—拓展阶段进行设计,层层深入地实现对电路原理、参数及装配形式的探究与应用;将课前—课中—课后的过程与线上线下融合。实验中充分融入科研项目雏形与学科竞赛赛题,让学生体会基础实验在科研与竞赛中的价值。围绕以学生为中心,通过夯实基础实验、训练思维能力,培养学生深入探究和勇于创新的科学精神。

输出可调I/V隔离转换电路设计及分析

基于隔离器件HCNR201及其外围简单的配置电路,设计了一种隔离输出电压范围可调的I/V转换电路,从原理上对I/V转换电路总体电路组成、转换前后的主要电路设计参数选择等作了详细的分析和阐述,并构建了测试环境,对该I/V转换电路的隔离转换精度作了比较详尽的测试,进一步验证了该电路设计原理的正确性。相信这些成果可以为相关I/V模拟转换路设计提供有益的指导和参考。

用自校正方法设计的对数I/V转换器

提出了一种光电流对数压缩I/V转换器设计.该电路能将蓝硅SPD输出的0.1～100(A范围光电流转换成0～3V的模拟电压输出,方便地实现了与MCU的连接.电路核心是制作在同一硅片上两个性能对称的对数放大器,其中之一是自校正参考电路,它的状态由带隙基准源设定.通过对称电路输出的除法运算就消除了温度影响,进而大大提高了温度稳定性,使温度在-20～50(C时,光电流从0.1～100(A的转换误差达1%.

集成I/V变换器与除法器在光学实验中的应用

在光学实验的光强测量中，运用集成Ｉ／Ｖ变换器和除法器组成双光路测量装置，不但可以取代老式的检测显示仪表（如光电检流计），克服其缺点，实现数字化检测显示，便于与微机连接．而且可以消除由于光源光强不稳产生的测量误差，具有一定的实用价值．

运放型,分离元件型,电阻型三种电路的比较退后一步也靓音—DAC用I/V变换电路的探讨

人们通常认为:一款音响用'顶级品'元器件越多,音效将越好,要发烧就得用'发烧级元件',更有人认为:'舍不得孩子套不到狼'!本文给这种思路的人浇了'一勺冷水',认为好钢应用刀刃上。不该进'补'就不'补',让发烧更清醒、更理智。这事得从日本音响专家木茂的实验说起。木氏对 CD机的 DAC 解码器中的 I/V(电流/电压)变换电路进行了多年的跟踪研究,并作了大量的颇有说服力的实验(运放型、分离元件型和电阻型)。

基于改进SVIT算法的非侵入式居民负荷监测方法

针对居民侧异常用电负荷对用户用电安全有重大影响的问题,提出了一种基于改进SVIT的非侵入式负荷监测方法。该方法从用户总线处对居民家庭用电负荷投切时的V-I数据进行特征提取;对提取出的V-I轨迹特征进行二进制化处理并绘制成V-I轨迹图像;利用改进的与三重注意力机制(Triplet Attention)相结合的SVIT的特征提取网络对其进行特征提取与映射;在此基础上,将处理后生成的新的特征向量进行聚类形成特征检索数据库,以识别出不在该特征检索数据库中的用电器V-I轨迹样本。通过利用PLAID数据集进行仿真实验并分析,验证了模型的有效性以及算法的优越性。

交流大电流线圈I/V转换比校准结果不确定度评定

文章介绍了交流大电流线圈的I/V转换比参数的定义,确立测量模型并建立校准装置进行实验。在此基础上,充分考虑各影响量,对实验数据进行了不确定度分析,结果证明采用的校准方法和校准装置满足参数校准要求。

IGBT模块V-I特性曲线簇建模及其结温提取应用

绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)以其高效率、大容量和低成本等特点在新能源发电及储能、高压直流输电、电力牵引和电气化交通等领域应用非常广泛。然而一旦IGBT模块发生故障,将打破相关装置和设备的正常运行状态,引发一系列连锁事故,造成人员伤害和严重的经济损失。根据一项调查统计结果,光伏电站大约34%的可靠性问题是由IGBT模块故障所引发的,因此,IGBT模块可靠性问题愈发受到关注。相关研究成果表明,IGBT模块的结温与模块可靠性问题之间存在密切的关系,如何能够快速准确地获取当前IGBT模块的实时结温是IGBT模块可靠性研究的关键。通过对IGBT模块的V-I输出特性曲线进行深入分析和研究,提出一种表征IGBT模块导通压降、结温和集电极电流关系的建模方法。利用该方法建立的表征模型可以方便快捷地提取IGBT模块结温,并通过试验验证了基于该建模方法的IGBT模块结温提取策略的有效性。除此之外,该建模方法考虑到了模块键合线老化的影响,并给出了相应的模型校正方法和结温提取策略。

基于V-I轨迹的非侵入式电动自行车充电行为在线辨识

为杜绝安全隐患,利用V-I轨迹和改进MobileNetv2模型对入户充电行为进行在线辨识。设计实验场景,从采样率选取、迁移学习、泛化性和不同网络对比4个方面验证模型性能,最后把模型部署到上位机和K210芯片上。上位机系统在电动自行车单独充电时准确识别,当充电行为和常用家庭负载混合运行时,识别准确率达到98%以上。

基于I-V曲线逆推法的光伏组件故障诊断策略

光伏组件故障诊断一般依赖于对辐照度和温度等环境变量的测量,对分散的组件故障判别不够精确。文章提出了基于逆推I-V曲线法的光伏组件故障诊断策略。该策略事先提取光伏组件模型参数,然后计算不同辐照度及太阳能电池温度下的I-V曲线,形成I-V曲线库;在运行时无须实时监测太阳能电池运行时表面辐照度及平均温度,仅测量光伏组件的开路电压、短路电流和最大功率点电压、电流,即可判断出组件是否发生故障。搭建实验平台对典型故障进行模拟并利用该策略进行判别,结果表明,文章提出的策略能够有效判断组件的故障。利用该策略研发了单板故障监测模块,实现了光伏组件在线故障判断,提高了光伏组件故障判断的精确性及光伏电站运行的可靠性和经济性。

RtH55可能是一个与C基因型HBV rtM204I/V耐药突变相关联的新突变位点

目的研究乙型肝炎病毒(HBV)C基因型rtM204I/V耐药株,除伴随有rtL80I/V或rtL180M代偿性突变外,是否还存在其他新的代偿性突变位点。方法从本课题组数据库中选择392条C基因型HBV慢性感染者的病毒逆转录酶(RT)全长序列。根据患者是否接受拉米夫定、替比夫定和恩替卡韦治疗及治疗后是否发生rtM204I/V突变,将序列分为未治疗组(192例),治疗无rtM204I/V突变组(rtM204组,131例)和有rtM204I/V突变组(rtM204I/V组,69例)。用本课题组建立的基于Microsoft Office Excel2007软件的数据管理和分析技术及常用生物信息学技术,对RT区344个氨基酸位点进行全面筛查和分析,鉴定与rtM204I/V突变相关联的潜在代偿性突变。结果除已知的rtL80I/V或rtL180M与rtM204I/V联合突变外,新发现rtM204I/V突变常与rtH55R突变共存。rtM204I/V组中rtH55R突变检出率显著高于rtM204组和未治疗组(36.23%vs 9.16%vs 4.17%,P<0.001)。在25株HBV rtH55R+rtM204I/V联合突变株中,22株(88.00%)还同时具有rtL80I/V或rtL180M突变,另3株(12.00%)则无。该3株均为rtH55R+rtM204I突变模式,患者血清HBV DNA滴度均在5lg拷贝/ml以上。含有rtH55R+rtM204I/V突变毒株可在拉米夫定、替比夫定和恩替卡韦的8种单药、序贯或联合用药方案患者中检出。rtH55是C基因型特异性位点,HBV其他基因型在此位点均为rtR55。结论 rH55R可能是C基因型特异性的并与rtM204I/V突变密切相关的RT新突变,rH55R联合突变株在多种抗病毒治疗方案下有广泛的生存能力。

4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .

微弱电流的I-V变换测量方法研究

微弱电流信号具有极低的幅度，极易受到外界的干扰，测量难度较大。论文介绍了微弱电流I—V变换方法，分析影响I—V变换方法测量下限与测量精度的关键因素，I—V变换的等效型电路T型网络及优缺点，设计了宽量程（10^-15-10^-8A）高精度的静电计电路，并对所设计的静电计电路进行了实验测试。测试结果表明，该静电计电路具备较高的测量下限与测量精度，能够满足现场校准高气压电离室的使用需求。

基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。

基于动态电容充电的光伏阵列I-V测试仪

光伏阵列Ⅰ-Ⅴ测试仪是一种对光伏阵列进行现场测试,从而为有效评价光伏电站的控制和设计水平提供参考实验数据的仪器。为获取光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ曲线,系统测试时采用动态电容充电的方式,将电容作为可变负载接于光伏阵列的输出端,当光伏阵列给电容充电时,连续采样该时段内的电压电流就可得到当前环境条件下光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ特性曲线。通过对光伏阵列进行实际测量的结果表明:该测试系统运行稳定、携带方便、测量精度较高,并且测量得到的伏安特性可以在液晶上直接以曲线的形式显示,从而使测得的阵列特性更为直观,能满足工程应用的需要。

共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题

对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对

InGaAs线列探测器的I-V特性研究

采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。