基于虚拟I^2C总线的多并行口扩展技术

对于已经定型的产品,为适应新的要求,设计者往往会重新进行设计,极大浪费了时间,增加了开发成本。文章提出并详细介绍仅用不带I2C总线的单片机的两个引脚,借助于PCF8574,通过虚拟I2C总线来扩展多个并行口,以低廉的代价升级产品性能的方法。

基于I^2C总线的EEPROM与单片机接口技术

介绍了基于I2 C总线的串行EEPROM与单片机的接口应用 ,举例说明两个主器件之间通信可用的最简便方法 ,提出实际应用中应注意的问题和解决办法 ,并给出了程序清单。

具有I^2C总线接口的串行E^2PROM 24LC65原理及应用

文中介绍了具有Ｉ２Ｃ总线接口的串行Ｅ２ＰＲＯＭ２４ＬＣ６５的特性，着重讲述了芯片的工作时序以及其读、写的过程并指出其广泛应用前景。

过量表达Fa14-3-3C促进拟南芥对低氮胁迫耐受性的研究

氮元素是植物生长发育过程必不可少的营养元素之一,对禾本科作物生长的影响更加明显。本研究采用RACE技术从高羊茅叶片中克隆获得Fa14-3-3C基因全长,并对其亚细胞定位与分子功能进行系统研究。在烟草表皮细胞中观察发现Fa14-3-3C-GFP主要定位在细胞质中与细胞膜上。将Fa14-3-3C基因在拟南芥中过量表达获得3个单拷贝转基因株系(抗性分离比为3∶1)。在低氮胁迫反应中,Fa14-3-3C过量表达株系OE-1与OE-3的根鲜重显著比野生型高,而OE-2与野生型差异不显著,通过荧光定量PCR分析发现OE-1与OE-3过量表达明显而OE-2没有过量表达,说明Fa14-3-3C对植物耐低氮胁迫调节具有剂量效应。定量观察植物根系生长发现在低氮处理早期OE-1转基因株系就显著优于野生型,主要是通过补偿根系生长的方式缓解低氮胁迫对植物的伤害。因此本研究不仅获得了耐低氮胁迫候选基因,而且验证了其在模式植物中的分子功能,为进一步通过基因工程等手段培育耐低氮胁迫种质资源奠定基础,具有重要理论研究价值与生产应用前景。

Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究

利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C SiC/p Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C SiC/SiGe/p Si异质结构的I V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C SiC/p Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1 95。

曲美他嗪对非体外循环冠脉搭桥术患者CK—MB、cTnI及hs—CRP的影响

【目的】观察曲美他嗪对非体外循环冠状动脉旁路移植术（OPCAB）患者肌酸激酶同工酶（CK—MB）以及心肌肌钙蛋白I（cTnI）和超敏C-反应蛋白（hs—CRP）的影响。【方法】将本院103择期行0PCAB的冠心病患者随机分为曲美他嗪组（52例）和对照组（51例）。分别于术前、术后6h、术后12h和术后24h抽取静脉血，测定血清CK—MB、cTnI及hs—CRP。【结果】两组患者临床特征及桥血管情况差异无统计学意义。两组术前CK—MB、cTnI及hs—CRP比较，差异无统计学意义。曲美他嗪组cK—MB、cTnI在术后6h、12h、24h明显低于对照组（P〈0．01）。曲美他嗪组hs—CRP在术后12h和24h明显低于对照组（P〈0．01或P〈0．05）。【结论】曲美他嗪可明显降低OPCAB患者CK—MB、cTnI和hs—CRP的释放。

供热自动控制中的室温采集电话的设计与实现

应用于供暖自动控制中的室温采集电话除了具有普通电话机的功能外还具有采集室温的功能。室温采集电话通过公共电话网络,接收到室温采集基站的请求后将温度上传至PC机,构成远程温度采集系统。本文基于普通电话的通话电路用HT95C30P微控制器和温度芯片LM92设计和实现室温采集电话。