快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。

太阳电池稳态双通道I-V特性测试方法研究

通过分析太阳电池I-V特性的实验室测试方法,研究一种适用于稳态光源下的双通道I-V特性测试方法,在原有单通道四线制测试方法的基础上增加另一个通道,用于参考电池的同步测试,在太阳电池进行I-V测试后,通过逐点修正的方法对测试数据进行处理,得出更为准确的I-V曲线。该方法可以有效减少稳态光源的不稳定性对测试造成的影响,提高测试系统的准确度和重复性。

一种异常V_(ramp)I-V曲线分析及其应用探讨

讨论分析了Vramp测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估,丰富了Vramp测试的应用。

双面光伏组件I-V测试方法研究

主要研究双面光伏组件的电性能测试,通过选择6种不同的双面光伏组件,分别采用等效光强法、双面同步打光法以及公式法进行实验验证。通过实验发现:不同测试方法对同一块组件进行I-V测试的结果差异较大,但这种差异在不同类型组件测试中并不一致,所以3种测试方法并不能简单地等同。最后根据光伏组件应用场景分析,推荐使用SEMI的双面同步闪光法对双面光伏组件进行I-V测试。

48 V i-BSG混合动力汽车电机设计与测试验证

48 V i-BSG(带传动的智能一体化起动/发电机)电机是汽车混合动力系统的核心零部件。电机具有起动、发电以及能量回收、动力辅助的功能,因此提升发动机低速区域的性能可以获得较好的排放与油耗指标。为了获得电机优良的性能指标,采用电磁学仿真软件,对电机的电磁结构进行优化设计。阐述了电机工作模式以及相应的控制策略。最后进行工程样机的制造和测试验证,结果表明电机性能达到设计指标。与法雷奥公司同类产品进行对比分析得出,在具备相同性能条件下,所设计电机有体积小、低成本等优点,为推向市场应用奠定了坚实的基础。

太阳电池组件I-V特性曲线的测试

太阳电池组件的销售是以组件在标准测试条件下的额定输出功率为单位,但是怎样准确地获得这个额定功率却长期困扰着组件的生产者和采购者,其中包括与标准测试条件相关的测量标准器、测量环境、测量设备和测量操作过程等问题。本文讨论了光伏测量标准的建立过程、组件的测试方法、太阳模拟器及其太阳电池组件测试设备的要求,讨论了测试环境和测量操作对测试结果的影响,并对测试过程中通常使用的术语进行了解释。

基于光伏组串I-V特性的并联失配检测

在光伏电站检测中,针对由于现场功率测试误差,导致的并联失配分析结果与实际情况偏差过大的问题,提出了基于组串I-V特性叠加的分析方法,大幅提高了分析的准确性;并将该方法应用于在线监测,在此基础上提出了一种故障判别和并联失配优化的有效方法,提高电站的管理水平。

便携式I-V测试仪测试结果准确性的影响因素研究

采用便携式I-V测试仪在户外进行光伏组件最大功率测试时,测试结果会不同程度地受到外界因素的影响,从而使得到的光伏组件最大功率测试结果出现偏差。本文通过对比不同外界因素(比如:太阳辐照度、辐照计摆放位置、光伏组件工作温度及风速等)下测试得到的光伏组件最大输出功率值,分析不同外界因素对户外采用便携式I-V测试仪进行光伏组件最大功率测试结果的影响,以期为户外光伏组件最大功率测试提供一种最优的测试方案。

电压互感器 V-I 特性对谐振影响的物理仿真

在模拟试验的基础上，探讨了中性点绝缘电网电磁式电压互感器的Ｖ—Ｉ特性对电网铁磁谐振的影响，在操作电网时，如果Ｖ—Ｉ特性差别大，其谐振区谐振性质有较大差异。文中给出了具有不同Ｖ—Ｉ特性ＰＴ的谐振区间和谐振性质及重要结论。

In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响

采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In∶ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In∶ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响。红外透过光谱分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60%,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收。然而,I-V测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级。同时Hall测试分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的V Zn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级。对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的。

基于LabVIEW的太阳能电池测试系统

设计的基于LabVIEW软件和NI公司的USB-6009型数据采集卡的太阳能电池测试系统,硬件结构简单,成本低。不仅可以满足室内标准光源下太阳能电池的测试要求,由于其体积小、测试时间短和便携式的特点,完全可以实现任意光照、温度环境下现场测试并将其结果向标准条件下转换的要求。

基于V-I曲线的电路板故障测试卡的实现

设计了一种基于V-I曲线的电路板故障测试卡。它采用PCI接口的形式,在上位机的控制下产生测试所需的电压扫描信号,同时逐点采集其电流值,并实时将电压与对应的电流值经PCI接口送上位机做故障分析。该测试卡架构灵活,采用PCI卡+专用测试诊断软件的模式,可用于各种类型电路板的故障测试,同时可扩展到分机及任意电气特性节点,特别适合现场及野外维修等场合。本文详细介绍了测试卡的硬件设计,包括原理图及关键程序段,最后设计了一个简单的测试DEMO,验证了预期的结果。

一种零磁通电流传感器适配装置的研制与应用

为了方便有源零磁通电流传感器的现场使用,研制了一种零磁通电流传感器适配装置,可作为电流传感器的配套产品,其内部集成的具有多种供电模式的电源模块可为现有的大部分主流传感器提供高稳定、低纹波的工作电源。采用电池供电可有效降低电流传感器的零点输出电流;同时通过专用的接口引出传感器的二次电流,并进行I-V变换、数字化等后续处理,在便于测量应用的同时,更拓展了电流传感器的有效测量范围。

干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%～35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。

集成式低倍聚光光伏组件模块开发

提出一套集成式低倍聚光光伏组件光路的优化算法,并设计制作聚光比为2.2的晶体硅聚光电池模块,在标准光照条件(AM1.5)下,开路电压为0.69 V,短路电流密度为35 m A/cm^2,最大功率点效率约为14.2%。与使用相同电池材料制作的普通晶体硅模块相比,效率可提高0.7%。相比普通晶体硅组件,该型组件可节约50%~60%的电池材料使用量。

太阳电池测试系统及其参数匹配优化研究

为了获得太阳电池的I-V特性曲线及特性参数，利用Visual C＋＋语言开发出基于Windows平台的太阳电池测试软件系统，并对基于补偿原理的I-V测试电路参数匹配进行了详细分析。电路中串联电阻及桥式直流电源对电池的暗特性影响变化不大，但可使光特性I-V曲线发生显著变化。通过参数匹配的调整与优化，测量数据与电池的标准数据基本吻合，其误差仅为1％～2％，表明该测试软件系统满足实际使用要求，为电池性能分析提供了准确的依据。

电压互感器伏安特性对电网铁磁谐振的影响

在模拟试验的基础上，探讨了中性点绝缘电网电磁式电压互感器的伏安特性对电网铁磁谐振的影响，发现如果伏安特性差别大，在操作电网时，其谐振区、谐振性质也会有较大差异．给出了具有不同伏安特性的电压互感器的谐振区间和谐振性质，并得出了重要结论．

空间粒子探测器中一种微电流测量电路设计

为了实现对空间粒子探测器中弱电流的测量,设计了以I-V变换、电压线性放大、二阶低通滤波和带阻滤波为主要结构的弱电流测量电路。通过I-V变换原理分析,为使电流信号尽量无失真地转变为电压信号,提出了选用高输入阻抗、高准确度的运放来构成I-V变换电路。根据弱电流的特性,从电路结构、参数设计方面,讨论了电路中噪声抑制和隔离的措施,来提高测量电路的性能。以高准确度运算放大器为核心部件,完成整个实际电路。该电路测量范围为10-7A^10-12A,最小可分辨电流为10-13A,响应时间不超过5ms,还具有漂移低、稳定性好以及价格低廉的优点。

未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K～332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。

激光器综合参数测试实验系统的设计与实现

该文设计实现了一种半导体激光器综合参数测试实验系统,该系统通过微处理器控制搭建好的激光器驱动电路与激光器温度控制电路,运用控制变量法,分别采集驱动电流或温度改变后激光器的电压、电流和光功率等数据,通过串口将数据返回到上位机进行数据处理并绘制对应的曲线图。通过测试,实验系统可完成激光器综合参数的测试,并可用于光电技术综合实验及专业综合实践能力训练。