一个新的太阳电池显式模型以预测在任何太阳辐照度和温度时的I-V

采用求解满足实验结果的微分方程,建立一个三参数的显函数模型。经过22条实验数据的验证肯定该模型的正确性。更好的结果是该工作成功地发展出次级模型即模型参数同太阳辐照度及温度的定量关系,从而实现用太阳辐照度和温度预测太阳电池的I-V。

GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述

新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。

非分段GaN HEMT EF2类功率放大器理论研究

目前,增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题,提出一种非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段连续方程对GaN HEMT器件的静态和动态特性进行建模;再对GaN HEMT的输出特性进行仿真,并与Si MOSFET的仿真结果进行对比。仿真结果表明,所提模型的收敛性较好,收敛速度快,有较高的准确性。另外,将此模型应用于EF2类功率放大器中,研究该模型对传输效率的影响。仿真结果进一步表明:该模型具有良好的收敛性;且当开关频率为10~20 MHz,输入功率为75 W时,输出功率可达73 W,传输效率为95%,这也证明了GaN HEMT器件可以提高EF2类功率放大器的传输效率。

基于数据采集卡及电子负载的太阳能电池伏安特性测试系统

为低成本高速测量太阳能电池伏安特性,设计一套基于数据采集卡(DAQ)及金属-氧化物半导体场效应晶体管电子负载(MOS)的测量系统。该系统硬件主要包括DAQ、MOS以及采样电阻等,软件主要包括数据采集模块、数据分析处理模块、数据存储模块等。对测量系统研究有三点结论。第1点是系统测量结果与Keithley 2400源表对比,它们之间全局相对误差约为9.5%;与电阻箱负载测量结果对比,它们之间最大功率点相差约17%;说明系统测量精度较高。第2点是发现MOS管电子负载无法实现零阻值负载,但可在电池最大功率点附近做到几乎连续电阻变化;管子型号影响测量结果,且开态电阻大的MOS管测量误差大。采样电阻应选择小的但不能无穷小,因为当使用小的采样电阻时导线电阻将对测量结果严重影响。第3点是采用Matlab/Simulink建模和拟合实验数据时,可获得电池短路电流、反向饱和电流及二极管理想因子,弥补系统固有缺点。

基于动态电容充电的光伏阵列I-V测试仪

光伏阵列Ⅰ-Ⅴ测试仪是一种对光伏阵列进行现场测试,从而为有效评价光伏电站的控制和设计水平提供参考实验数据的仪器。为获取光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ曲线,系统测试时采用动态电容充电的方式,将电容作为可变负载接于光伏阵列的输出端,当光伏阵列给电容充电时,连续采样该时段内的电压电流就可得到当前环境条件下光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ特性曲线。通过对光伏阵列进行实际测量的结果表明:该测试系统运行稳定、携带方便、测量精度较高,并且测量得到的伏安特性可以在液晶上直接以曲线的形式显示,从而使测得的阵列特性更为直观,能满足工程应用的需要。

Josephson结的I-V曲线的理论分析

本文从理论上分析了Josephson结的I-V曲线的混沌、台阶和滞后等一系列现象,并给出了描述上述现象的解析关系式,所得结果与实验结果比较符合。

单电子晶体管I-V特性数值分析

在单电子晶体管的正统理论的基础上 ,建立了平稳条件下I V特性的数值分析方法 .应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I V 特性的影响 ,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响 ,分析了单电子现象产生的条件 .

共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题

对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对

右对合广群中的i-v Fuzzy子广群与理想

密码学中对称加密,各种公钥密码都归结为群的运算,基于此,对右对合广群的i-v Fuzzy性及Fuzzy理想进行了研究,给出了A为右对合广群X的一个i-v Fuzzy集条件下,A是X的一个i-v Fuzzy子广群(理想)的充要条件.

InGaAs线列探测器的I-V特性研究

采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。

基于I-V特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估

针对光伏阵列故障和异常状态的性能评估问题,文章运用健康管理理论和数据挖掘技术提出了一种基于电流-电压(I-V)特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估方法。首先对光伏阵列的仿真模型进行研究,通过数值计算的方法提高仿真的速度,然后利用粒子群优化算法提取模型参数,并利用灰色关联分析方法对光伏阵列的健康状态进行评估,进而计算其健康指数,定量描述光伏阵列的健康状态。仿真与实验结果表明,文章所提的光伏阵列健康状态评估方法可有效而准确地描述光伏阵列的健康状态,有助于指导光伏电站维护人员进行电站维护,确保光伏电站的安全运行。

基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。

4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .

电子束辐照对氧化锌纳米线I-V特性的影响

在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S-M)结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V曲线的影响。30 keV电子束辐照使ZnO纳米线的总电阻减小。计算得到ZnO纳米线的电导率σ=0.24S/cm,载流子浓度n=1.64×1016cm-3。为了对比,还测试了单根碳纤维接触钨电极的I-V特征曲线。在30 keV电子束辐照下,碳纤维的总电阻保持不变,电导率σ=22 S/cm。

半群的I-V Fuzzy子半群

在半群上引入i-vFuzzy子半群等概念.研究了半群的i-vFuzzy子半群的若干性质.特别是给出半群的i-vFuzzy子集成为i-vFuzzy子半群的充要条件.即定理4半群X的i-vFuzzy子集μ=[μL,μV]是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是μL与μV均是X的Fuzzy子半群.定理5设μ是半群X的一个i-vFuzzy子集,则μ是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是对任意D1∈D[0,1],μD1={x|x∈X,μ(x)≥D1}≠Φ是X的一个子半群.

利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.

多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。

太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。

4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型

提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合。

HgI_2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109Ω.cm。计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107Ω和4.3×106Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触。分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极。由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性。溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差。