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共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立
被引量:
1
1
作者
张莉莉
张世林
+3 位作者
郭维廉
毛陆虹
王伊钿
管坤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期522-527,共6页
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得...
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数,通过分析拟合参数与温度的关系,初步建立了RTD的I-V特性变温模型。
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关键词
共振隧穿二极管
i-v方程
拟合参数
变温模型
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职称材料
题名
共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立
被引量:
1
1
作者
张莉莉
张世林
郭维廉
毛陆虹
王伊钿
管坤
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期522-527,共6页
文摘
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数,通过分析拟合参数与温度的关系,初步建立了RTD的I-V特性变温模型。
关键词
共振隧穿二极管
i-v方程
拟合参数
变温模型
Keywords
resonant tunneling diode
i-v
equation
fitted parameters
variable temperaturemodel
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TN313.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立
张莉莉
张世林
郭维廉
毛陆虹
王伊钿
管坤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
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