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共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立 被引量:1
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作者 张莉莉 张世林 +3 位作者 郭维廉 毛陆虹 王伊钿 管坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期522-527,共6页
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得... 首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数,通过分析拟合参数与温度的关系,初步建立了RTD的I-V特性变温模型。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 i-v方程 拟合参数 变温模型
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