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p型ZnO薄膜制备的研究进展
被引量:
3
1
作者
陈长春
刘萍
王禄荣
《微纳电子技术》
CAS
2008年第6期311-317,321,共8页
ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向p型导电的转变。为此,阐述了ZnO薄膜的p型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提...
ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向p型导电的转变。为此,阐述了ZnO薄膜的p型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面p型ZnO薄膜的最新研究进展。研究表明:增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH3气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜p型导电的有效措施。期望通过本综述能为国内ZnO基器件应用的p型ZnO薄膜的制备提供新思路。
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关键词
ZNO薄膜
P型
掺杂
自补偿
共
掺杂
ib族元素掺杂
下载PDF
职称材料
题名
p型ZnO薄膜制备的研究进展
被引量:
3
1
作者
陈长春
刘萍
王禄荣
机构
南京工业大学材料科学与工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第6期311-317,321,共8页
文摘
ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向p型导电的转变。为此,阐述了ZnO薄膜的p型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面p型ZnO薄膜的最新研究进展。研究表明:增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH3气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜p型导电的有效措施。期望通过本综述能为国内ZnO基器件应用的p型ZnO薄膜的制备提供新思路。
关键词
ZNO薄膜
P型
掺杂
自补偿
共
掺杂
ib族元素掺杂
Keywords
ZnO films
p-type doping
self-compensation effect
co-doping
group-
ib
elementsdoping
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
p型ZnO薄膜制备的研究进展
陈长春
刘萍
王禄荣
《微纳电子技术》
CAS
2008
3
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职称材料
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