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集成pH-ISFET/压力传感器的研究
1
作者
丁辛芳
俞海明
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期250-254,共5页
基于SDB/SOI材料和硅微机械加工技术,提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线PH-ISFET/压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统,以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实...
基于SDB/SOI材料和硅微机械加工技术,提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线PH-ISFET/压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统,以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实现敏感元和信号处理电路的完全隔离,又有效地改善了敏感特性和稳定性。初步实验结果证实了新结构设计是成功的。
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关键词
ph-isfet
集成传感器
压力传感器
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职称材料
题名
集成pH-ISFET/压力传感器的研究
1
作者
丁辛芳
俞海明
机构
东南大学微电子中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期250-254,共5页
文摘
基于SDB/SOI材料和硅微机械加工技术,提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线PH-ISFET/压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统,以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实现敏感元和信号处理电路的完全隔离,又有效地改善了敏感特性和稳定性。初步实验结果证实了新结构设计是成功的。
关键词
ph-isfet
集成传感器
压力传感器
Keywords
ic compatible process
,
ph-isfet
,
pressure
,
integrated sensor
,
miniaturization
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
集成pH-ISFET/压力传感器的研究
丁辛芳
俞海明
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994
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