IC+MOS组合电路封装漏电机理探讨

通过对IC+MOS电路组合特点的讨论,重点对MOSFET晶圆前制程中的缺陷、封装过程的外力损伤缺陷等对封装后产品漏电现象的影响进行了探讨,以期通过制程控制和过程缺陷分析,为MOSFET封装在品质保证上提供保证。

Allegro MicroSystems公司推出新款全桥式MOSFET预驱动器IC

2009年4月28日．美国马萨诸塞州伍斯特市的Allegro MicroSystems公司推出一种具有故障诊断和报告功能的新款全桥式MOSFET预驱动器IC——A4940．扩展其现有的全桥式控制器系列。它采用超小型封装，提供灵活的输入接口、自举监控电路、宽泛的工作电压（5．5～50V）和温度（40～150℃）范围。这是一款特别针对使用大功率电感负载（如直流电刷电动机）的汽车应用而设计的小型封装器件。

Diodes新型双MOSFET组合式器件节省空间却无损性能

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A81适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

ZXMC10A816：双MOSFET组合式器件

Diodes公司推出ZXMC10A816器件，它采用S08封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

微封装功率MOSFET应用连载(十)——过压保护电路

集成电路(IC)的工作电压有一定范围。如超过最大极限电压时会损坏IC。例如，AIC1781电池充电控制器集成电路。其正常的工作电压是5．0V，最大的极限电压是55V。最小的极限电压是45V。若该器件施加的工作电压超过5．5V时，则IC可能损坏。

集成电路封装技术中国专利数据分析研究

通过建立专题专利数据库,运用技术生命周期、指标组合分析等方法,站在公司层面对集成电路封装领域专利进行了分析研究,为企业的创新与发展提供决策支持。

符合DrMOS规定的DrMOS解决方案——SiC762CD

Vishay Intertechnology．Inc．推出集成的DrMOS解决方案-SIC762CD。在紧凑的PowerPAK MLP6x6的40引脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。新的SIC762CD完全符合DrMOS规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器（VR）标准。该器件的工作频率超过1MHz．效率高达92％。

集成驱动器的功率IC

R2J20602NP集成了一个驱动器IC和两个高端／低端开关电源MOSFET。其最大输出电流为40A；当工作在1MHz开关频率时，最高效率为89％；封装尺寸为8mm×8mm×0．95mm；可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。

瑞萨科技发布第二代集成驱动器MOSFET

瑞萨科技（Renesas Technology）近日宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端／低端功率M0SFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。

恩智浦半导体发布全新汽车功率MOSFET

近日．恩智浦半导体推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新汽车功率MOSFET．这是目前市场上最全的Power—SO8 MOSFET产品组合。

HEXFET系列：功率MOSFET

IR公司拓展了HEXFET功率MOSFET产品组合，采用了5mm×6mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术，具有标准引脚，适合电路板空间狭小的开关应用。

功率MOSFET FDMF8700

FDMF8700将驱动器IC和两个功率MOSFET集成在一个节省空间的8mm×8mm的56脚MLP封装中，适用于高电流同步降压DC／DC应用。该集成式器件带有FET动态性能、系统电感和总体导通电阻的驱动器，能够优化全部的开关功率级，大大减少与传统分立式解决方案相关的封装寄生和电路板布线问题。此外，这种集成器件能够显著节省电路板空间，

DFN1006B．3产品组合：晶体管

恩智浦半导体扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFNl006B-3（SOT883B）的晶体管产品阵容。目前，恩智浦提供60款双极性晶体管（BJT）和12款小信号单NIP沟道MOSFET产品，均采用1mm×0．6mmX0．37mmDFN塑料SMD封装。

英飞凌推出第三代高集成功率IC CoolSET F3系列

英飞凌(Infineon)日前推出第三代高集成功率IC——CoolSET F3系列产品。CoolSET F3在单一封装中结合了英飞凌CoolMOS功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)与新型的脉冲宽度调节(PWM)控制集成电路，适用于DVD录放机平板液晶显示器、数字动画摄影机、笔记本电脑以及其他便携式电子产品的电源转换器。

罗姆推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC'BM2SCQ12xT-LBZ'。近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域.

推出符合DrMOS规定的新款器件

日前，ViShay宣布，推出集成的DrMOS解决方案SiC762CD。在紧凑的PowerPAKMLP6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。

全新5A峰值电流门极驱动器

SCALE-Driver IC家族最新成员SID1102K登场-采用宽体eSOP封装的单通道隔离型IGBT和MOSFET门极驱动器。

新型Gen2．1 SupIRBuck集成稳压器

Gen2．1 SupIRBuck系列采用了设计纤薄、温度性能更强的5mm×6mm Power QFN封装，配有先进的控制IC、MOSFET和FI封装集成技术，输出电流高达12A。这款新型集成稳压器系列能够满足1．5～16V的宽输入电压，输出电压则可由0．7V调整到输入电压的90％，同时在整个负载范围都能达到最佳效率，峰值效率可超过96％。

负载点DC／DC稳压器SupIRBuck

SupIRBuck稳压器系列将IR基准HEXFETR沟道技术MOSFET及一个高效能同步降压控制IC集成到5mm×6mm小型功率方形扁平无引脚（PowerQFN）封装，与分立式解决方案相比减少了70％占板面积。

Luke:浓缩的就是精华

基于X86指令集的PC平台发展至今，一直都是CPU—主板芯片组互相配合的组合方式，如今，作为全球IC设计与个人电脑平台解决方案领导厂商的威盛电子，推出了一款新产品“Luke”，直接将CPU和北桥芯片封装在了一起。