骨架提取在IC晶片缺陷机器视觉识别中的研究

光刻工艺导致的IC晶片制造中缺陷种类多样,丢失物和冗余物缺陷是影响成品率下降的重要原因,其主要造成电路开路和短路。提出一种基于骨架特征的IC晶片丢失物和冗余物缺陷短路故障机器视觉识别方法,应用细化算法抽取图像骨架,提供了使用多余点及多余端枝删除原则和数学形态学处理算法两种方法得到单像素的优化骨架,采用邻域跟踪法实现电路开路和短路形式识别。

IC硅片超精密背磨用树脂2000#金刚石砂轮研究

树脂金刚石砂轮应用于IC硅片的背面减薄磨削(背磨),工件磨削后能达到纳米级粗糙度、微米级损伤层厚度和微米级面型精度,因此对使用的砂轮性能要求很高。文章介绍了金刚石砂轮背磨技术的原理、特点,对硅片超精密背磨砂轮进行了实验研究。研制了专用的树脂结合剂,通过优化结合剂配方,使结合剂磨损速度与金刚石脱落速度达到匹配。研制的2000#金刚石砂轮经过硅片背磨试验证明,材料去除率达到10.236 mm3/s,表面粗糙度值Ra为5.122nm,损伤层厚度为2.5μm;与国外同类砂轮相比,材料去除率提高53%,硅片磨削后的表面粗糙度值接近。

基于像素分布特性的IC晶片视觉检测方法

IC晶片制造过程存在多种致命缺陷,致使芯片失效,导致成品率下降。冗余物缺陷是影响IC晶片成品率下降的重要原因,主要造成电路短路错误。针对冗余物缺陷对版图的影响,提出了一种简单可行的缺陷视觉检测方法,以实现冗余物缺陷的识别及电路失效形式的确定。根据摄取的显微图像的图像特征,利用光线补偿技术及形态滤波方法消除干扰噪声,以提高图像质量,采用投影定理及基于像素分布特性的检测方法,实现电路短路形式或缺陷未导致电路失效的识别。

IC封装设备切片机电控系统设计

为了高速、高精度切割半导体晶片,切片机的电控系统要求具备高精度及高稳定度。根据系统设计指标和可编程控制器(PLC)的特点,选用日本OMRON公司的CS1G型PLC构成主控系统,FC10/400型高速电机及其配套变频器构成高速主轴系统,Y、Z轴则用PD-0535M型步进电机驱动器驱动步进电机构成开环控制系统,X轴采用交流伺服电机及增量式编码器构成半闭环系统,?轴选用美国Parker公司DM1004B型转台交流伺服电机及DrvMⅡ型电机驱动器,供电系统采用隔离变压器等方法来屏蔽电磁干扰。通过多模块运动控制软件协调控制,该系统完全达到了设计要求。

创新型超薄IC封装技术

圆片薄型化工艺技术的改进,以及对小型化、便携式产品的强烈的市场需求,共同推动了封装技术的创新。文中主要论述了与超薄型集成电路封装技术相关的薄型硅集成电路应用、超薄型圆片的制造、薄型化切割技术、同平面互连技术、倒装片装配及其可靠性问题。

一种IC晶片导线特征检测方法的研究

针对IC晶片导线特征检测中的难点,介绍一种基于图像处理技术的导线特征分析和缺陷检测方法,把由局部缺陷引起的线路短路、开路故障分析归结为多条平行线宽和线距的分析,先通过Hough变换实现导线边缘的直线拟合和线宽、线距的亚像素测量,再根据测量结果建立起导线边缘标准模型,并把边缘图像的二维信号转换为一维信号进行分析,最终实现导线特征的分析和缺陷的定位;仿真和实际运用结果表明该方法使IC晶片导线特征分析简单化,并使缺陷分析定位变得更加方便灵活。

2015年全球IC设计与制造产业的发展状况分析

进入2015年以后,由于智能手机、平板电脑成长有限,PC和笔记本电脑持续衰退,新兴的物联网市场等尚在发展初期,对半导体产业的贡献度仍低,因此2015年是全球IC设计业较为艰辛的一年。2015年全球晶圆代工业显示了两个明显的特点:一是10nm制程提早成为晶圆代工技术竞争的焦点;二是8英寸晶圆产能又显紧缺,8英寸生产线的收购兼并又旧事重提。

当前IC的工艺与技术新动向

介绍了当前IC几项新工艺、新技术的发展动向 ,包括设计尺寸微细化工艺、30 0mm圆片工艺、铜互连技术、无铅工艺和嵌入式技术。

晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等。分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染。

圆片级芯片尺寸封装技术及其应用综述

综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等。并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-CSP的技术优势及其应用前景。

单晶硅片的制造技术

随着IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 (≤ 2 0 0mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。文章主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法的加工原理和工艺特点。

重复图案晶片自动检测新方法

针对具有重复图案阵列的IC晶片结构特征,提出了一种基于旋转不变子空间技术(ESPRIT)算法的自比较模板匹配缺陷检测方法。应用ESPRIT算法精确计算出重复图案中结构块的大小,然后将图像中所有结构块对应位置的像素值平均,计算出标准结构块。再根据显微镜视野大小扩展标准结构块形成标准模板,通过比对实现缺陷检测。实验结果表明:采用ESPRIT算法求取结构块大小,具有较高的速度和精度,能够满足IC检测实时性要求。算法的计算复杂度为O(N3/2),精度可达到0.04 pixel。

单晶硅片的制造技术

随着 IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 ( Φ≤ 2 0 0 mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。本文主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法硅片磨削的加工原理和工艺特点。

大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展

集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

硅晶体精密切片技术及相关基础研究

分析了目前硅晶体切片技术的特点和现状,综述了相关基础研究,指出了未来的发展趋势和研究热点。

用图像识别的方法检测集成电路的键合点

１引言（ａ）例１（ｂ）例２图１键合区与键合点在大规模集成电路（ＶＬＳＩ）的制造工艺中，键合区及键合点的检验是保证可靠性的一个重要环节，因为每一个键合点的好坏，直接影响整体集成电路（ＩＣ）芯片的可靠性．图１是两例放大了一百倍的ＩＣ键合区显微图像．图中中...

大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状

随着IC制造技术的飞速发展 ,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片趋向大直径化 ,原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ;与此相反 ,为了满足IC封装的要求 ,芯片的厚度却不断减小 ,需要对图形硅片进行背面减薄。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加以及对硅片加工精度和表面质量更高的要求 ,使已有的硅片加工技术面临严峻的挑战。本文详细分析了传统硅片加工工艺的局限性 ,介绍了几种大直径硅片超精密磨削加工工艺的原理和特点 ,评述了国内外硅片超精密磨削技术与装备研究和应用的现状及发展方向 ,强调了我国开展大直径硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性。

集成电路圆片级可靠性测试

在集成电路制造厂的工艺监控体系中引入可靠性监控对于控制产品的可靠性十分重要。圆片级可靠性测试技术通过对集成电路产品的工艺过程进行可靠性检测,能够为集成电路制造工艺提供及时的可靠性信息反馈。圆片级可靠性测试通常是采用高加速应力对各种可靠性测试结构进行测试,以实现快速的工艺可靠性评价。对半导体集成电路圆片级可靠性测试的背景、现状和发展趋势进行了概况和探讨,介绍了目前在VLSI生产中应用最为广泛的栅氧化层经时击穿、电迁移和热载流子注入效应的可靠性测试结构。

基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究

基于TSV技术的封装技术是目前MEMS产品、存储器、3D IC封装中的高端和热点技术.本文论述了在国内处于领先并正在量产化研究阶段的基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺流程.通过理论分析和实验,重点研究了在封装流程中将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前的意义和所出现的镍滋生问题.研究表明,将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前可以缩短去胶时间,减少光刻胶的残留和金属镀覆层数;通过延长金属镀覆过程中每次UPW冲洗时间,在EN Ni中防止镀液结镍,并在镀锌时降低锌液的粘附性和镀锌后增加硝酸清洗步骤,即可消除镍滋生.以上研究对于提高封装效率和合格芯片率,降低成本是很有意义的.

特气业与半导体业的发展近况

首先综述了我国半导体产业近年发展概况,然后论述了特气相关行业的配套发展问题,同时也介绍了世界及我国知名气体企业的应对措施。