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Finite Element Analysis for Grinding and Lapping of Wire-sawn Silicon Wafers
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作者 Z J PEI X J XIN 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第S1期10-,共1页
Silicon wafers are the most widely used substrates for semiconductors. The falling price of silicon wafers has created tremendous pressure on silicon wafer manufacturers to develop cost-effective manufacturing process... Silicon wafers are the most widely used substrates for semiconductors. The falling price of silicon wafers has created tremendous pressure on silicon wafer manufacturers to develop cost-effective manufacturing processes. A critical issue in wafer production is the waviness induced by wire sawing. If this waviness is not removed, it will affect wafer flatness and semiconductor performance. In practice, both lapping and grinding have been used to flatten wire-sawn wafers. Although grinding is not as effective as lapping in removing waviness, it has many other advantages over lapping (such as higher throughput, fully automatic, and more benign to environment) and has great potential to reduce manufacturing cost of silicon wafers. This paper presents a finite element analysis (FEA) study on grinding and lapping of wire-sawn silicon wafers. An FEA model is first developed to simulate the waviness deformation of wire-sawn wafers in grinding and lapping processes. It is then used to explain how the waviness is removed or reduced by lapping and grinding and why the effectiveness of grinding in removing waviness is different from that of lapping. Furthermore, the model is used to study the effects of various parameters including active-grinding-zone orientation, grinding force, waviness wavelength, and waviness height on the reduction and elimination of waviness. Finally, the results of pilot experiments to verify the model are discussed. 展开更多
关键词 finite element analysis grinding lapping silicon wafer waviness removal
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IC硅片超精密背磨用树脂2000#金刚石砂轮研究 被引量:4
2
作者 李克华 郭强 +4 位作者 赵延军 史冬丽 丁春生 刘权威 丁玉龙 《超硬材料工程》 CAS 2010年第2期14-20,共7页
树脂金刚石砂轮应用于IC硅片的背面减薄磨削(背磨),工件磨削后能达到纳米级粗糙度、微米级损伤层厚度和微米级面型精度,因此对使用的砂轮性能要求很高。文章介绍了金刚石砂轮背磨技术的原理、特点,对硅片超精密背磨砂轮进行了实验研究... 树脂金刚石砂轮应用于IC硅片的背面减薄磨削(背磨),工件磨削后能达到纳米级粗糙度、微米级损伤层厚度和微米级面型精度,因此对使用的砂轮性能要求很高。文章介绍了金刚石砂轮背磨技术的原理、特点,对硅片超精密背磨砂轮进行了实验研究。研制了专用的树脂结合剂,通过优化结合剂配方,使结合剂磨损速度与金刚石脱落速度达到匹配。研制的2000#金刚石砂轮经过硅片背磨试验证明,材料去除率达到10.236 mm3/s,表面粗糙度值Ra为5.122nm,损伤层厚度为2.5μm;与国外同类砂轮相比,材料去除率提高53%,硅片磨削后的表面粗糙度值接近。 展开更多
关键词 树脂结合剂 2000#金刚石砂轮 ic硅片 超精密背磨
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大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状 被引量:59
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作者 康仁科 田业冰 +1 位作者 郭东明 金洙吉 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2003年第4期13-18,25,共7页
随着IC制造技术的飞速发展 ,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片趋向大直径化 ,原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ;与此相反 ,为了满足IC封装的要求 ,芯片的厚度却不断减小 ,需要对图形硅片进行背面减薄。硅片... 随着IC制造技术的飞速发展 ,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片趋向大直径化 ,原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ;与此相反 ,为了满足IC封装的要求 ,芯片的厚度却不断减小 ,需要对图形硅片进行背面减薄。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加以及对硅片加工精度和表面质量更高的要求 ,使已有的硅片加工技术面临严峻的挑战。本文详细分析了传统硅片加工工艺的局限性 ,介绍了几种大直径硅片超精密磨削加工工艺的原理和特点 ,评述了国内外硅片超精密磨削技术与装备研究和应用的现状及发展方向 ,强调了我国开展大直径硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性。 展开更多
关键词 ic芯片 硅片 超精密磨削 砂轮 磨床 集成电路
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单晶硅片的制造技术 被引量:10
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作者 吴明明 周兆忠 巫少龙 《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2005年第3期72-75,共4页
随着IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 (≤ 2 0 0mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。文章主要论述了小直径硅片的制造... 随着IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 (≤ 2 0 0mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。文章主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法的加工原理和工艺特点。 展开更多
关键词 单晶硅片 ic技术 高密度化 集成电路芯片 制造技术 大直径 集成化 小直径 超精密磨削 加工原理
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硅片超精密磨床的发展现状 被引量:6
5
作者 董志刚 田业冰 +2 位作者 康仁科 郭东明 金洙吉 《电子工业专用设备》 2004年第6期54-59,66,共7页
硅片超精密磨床是半导体集成电路(IC)制造中的关键装备,主要应用于IC制程中的硅片制备加工和IC后道制程中图形硅片的背面减薄。国外硅片超精密磨床制造技术发展很快,具有高精度化、集成化、自动化等特点。介绍了超精密磨床在大尺寸(≥φ... 硅片超精密磨床是半导体集成电路(IC)制造中的关键装备,主要应用于IC制程中的硅片制备加工和IC后道制程中图形硅片的背面减薄。国外硅片超精密磨床制造技术发展很快,具有高精度化、集成化、自动化等特点。介绍了超精密磨床在大尺寸(≥φ300mm)硅片超精密加工中的应用状况,详细评述了国外先进硅片超精密磨床的特点,并指出了大尺寸硅片超精密加工技术的发展趋势。 展开更多
关键词 超精密磨床 超精密磨削 金刚石砂轮 硅片 集成电路(ic)
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凝胶结合剂磨粒工具制备及其磨抛性能研究 被引量:12
6
作者 徐西鹏 刘娟 +1 位作者 于怡青 陆静 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第19期156-162,共7页
提出基于溶胶凝胶原理制备大面积细粒度磨削与抛光工具的方法。比较了凝胶结合剂工具与烧结式金属结合剂工具在分散细粒度磨粒方面的效果,并将所制备的凝胶工具用于单晶硅片和天然石材的磨抛加工。结果表明,凝胶工具中磨粒分散的均匀性... 提出基于溶胶凝胶原理制备大面积细粒度磨削与抛光工具的方法。比较了凝胶结合剂工具与烧结式金属结合剂工具在分散细粒度磨粒方面的效果,并将所制备的凝胶工具用于单晶硅片和天然石材的磨抛加工。结果表明,凝胶工具中磨粒分散的均匀性较烧结式工具有明显改善。与游离磨料加工相比,采用凝胶工具的磨抛加工能够更加高效率地获得更低粗糙度的单晶硅片表面。凝胶工具在加工硬质花岗石材时的材料去除能力不足。但是,在加工大理石材料时能够获得满意的表面光泽度。在初期磨抛阶段,凝胶工具磨损以磨粒磨损方式为主,随着加工过程的进行,会出现一定程度的磨料脱落。 展开更多
关键词 凝胶工具 细粒度磨粒 磨抛加工 硅片 石材
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单晶硅片的制造技术 被引量:16
7
作者 吴明明 周兆忠 巫少龙 《新技术新工艺》 北大核心 2004年第5期7-10,共4页
随着 IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 ( Φ≤ 2 0 0 mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。本文主要论述了小直径硅片的... 随着 IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 ( Φ≤ 2 0 0 mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。本文主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法硅片磨削的加工原理和工艺特点。 展开更多
关键词 集成电路 单晶硅片 制造技术 研磨 抛光 磨削
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大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究 被引量:11
8
作者 田业冰 郭东明 +1 位作者 康仁科 金洙吉 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2004年第4期1-4,共4页
利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床 ,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系。研究结果表明 ,增大砂轮轴向进给速度和减小工件... 利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床 ,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系。研究结果表明 ,增大砂轮轴向进给速度和减小工件转速 ,采用粗粒度砂轮有利于提高磨削硅片的材料去除率 ,砂轮轴向进给速度对材料去除率的影响最为显著 ;适当增大砂轮转速 ,减小砂轮轴向进给速度 ,采用细粒度砂轮可以减小磨削表面粗糙度 ;在其它条件一定的情况下 ,砂轮速度超过一定值会导致材料去除率减小 ,主轴电机电流急剧增大 ,表面粗糙度变差 ;采用比 #2 0 0 0粒度更细的砂轮磨削时 ,材料去除率减小 ,硅片表面粗糙度没有明显改善。 展开更多
关键词 硅片 金刚石砂轮 超精密磨削 集成电路
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高精度大尺寸硅晶片的双面研磨抛光机改进设计 被引量:6
9
作者 陈毓 胡晓珍 李伟 《浙江海洋学院学报(自然科学版)》 CAS 2010年第6期586-590,共5页
随着IC设计技术和制造技术的发展和进步,集成电路芯片的集成度在不断提高,芯片密度呈指数增长趋势。硅晶片作为集成电路芯片的主要材料,尺寸越来越大。在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 m... 随着IC设计技术和制造技术的发展和进步,集成电路芯片的集成度在不断提高,芯片密度呈指数增长趋势。硅晶片作为集成电路芯片的主要材料,尺寸越来越大。在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 mm的硅晶片,提出高精度双面研磨抛光机在机械结构和控制系统等方面的改进措施,很好地解决了国内目前对大尺寸硅晶片加工难、加工精度不高等难题。 展开更多
关键词 大尺寸硅晶片 高精度 双面研磨抛光机 改进设计
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大尺寸硅片的高效超精密加工技术 被引量:13
10
作者 郭东明 康仁科 金洙吉 《世界制造技术与装备市场》 2003年第1期35-40,共6页
本文根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了大尺寸硅片超精密加工的关键问题,介绍了工业发达国家在硅片超精密加工技术和设备方面的研究现状和最新进展,指出了大尺寸硅片高效超精密加工技术的发展趋势,... 本文根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了大尺寸硅片超精密加工的关键问题,介绍了工业发达国家在硅片超精密加工技术和设备方面的研究现状和最新进展,指出了大尺寸硅片高效超精密加工技术的发展趋势,通过对国内技术现状的分析,强调了针对大尺寸硅片超精密加工理论和关键技术开展基础研究的必要性。 展开更多
关键词 硅片 超精密加工 磨削 抛光 集成电路
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大尺寸集成电路和硅片表面加工技术 被引量:2
11
作者 陈杰 高诚辉 《现代制造工程》 CSCD 2007年第11期127-131,共5页
随着半导体技术的发展,特别是大尺寸硅片在集成电路中的应用,对硅片表面平整度及加工精度提出了越来越高的要求。根据当前硅片向直径400mm以上及特征线宽0.07μm发展的趋势,主要介绍以在线电解修整(Electrolytic In-process Dressing,EL... 随着半导体技术的发展,特别是大尺寸硅片在集成电路中的应用,对硅片表面平整度及加工精度提出了越来越高的要求。根据当前硅片向直径400mm以上及特征线宽0.07μm发展的趋势,主要介绍以在线电解修整(Electrolytic In-process Dressing,ELID)磨削和化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)等复合加工为主的几种硅片表面加工技术,并简要说明其加工机理和应用。 展开更多
关键词 硅片表面加工 ELID磨削 工件旋转式磨削 化学机械抛光
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集成电路工艺中减薄与抛光设备的现状及发展 被引量:4
12
作者 费玖海 杨师 周志奇 《电子工业专用设备》 2014年第2期6-10,共5页
晶圆加工是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,为了得到更稳定的硅片,提高其平整度和表面洁净度,国内外技术人员越来越注重减薄与抛光设备的研究与改进。介绍了针对硅片平坦化工艺的减薄设备及现阶段加工过程中防止碎片的技术方... 晶圆加工是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,为了得到更稳定的硅片,提高其平整度和表面洁净度,国内外技术人员越来越注重减薄与抛光设备的研究与改进。介绍了针对硅片平坦化工艺的减薄设备及现阶段加工过程中防止碎片的技术方法;介绍了化学机械抛光设备的技术发展现状以及针对硅片抛光的后清洗工艺。 展开更多
关键词 集成电路 硅片 减薄
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超薄硅双面抛光片加工效率的提升
13
作者 田原 刘雪松 +2 位作者 杨玉梅 杨春颖 樊树斌 《电子工艺技术》 2023年第1期50-52,共3页
用于5G通信芯片支撑层的超薄硅双面抛光片的生产是一个需要攻克的难题。该产品的技术难点在于,硅片厚度低至100μm,薄如纸张,采用传统粘蜡抛光工艺,加工效率极低且碎片率极高,同时硅片几何参数无法保证,成品率较低。由于磨削工艺可有效... 用于5G通信芯片支撑层的超薄硅双面抛光片的生产是一个需要攻克的难题。该产品的技术难点在于,硅片厚度低至100μm,薄如纸张,采用传统粘蜡抛光工艺,加工效率极低且碎片率极高,同时硅片几何参数无法保证,成品率较低。由于磨削工艺可有效减少硅片表面的损伤层、改善几何参数,所以针对超薄硅片的加工,采用贴膜抛光工艺可以保证抛光的效率和成品率。在硅片腐蚀后采用磨削+贴膜抛光的工艺,解决了超薄硅双抛片加工效率低、碎片率高、几何参数难以保证、成品率低的问题。 展开更多
关键词 硅片 双面抛光 磨削
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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 被引量:4
14
作者 张玺 王蓉 +2 位作者 张序清 杨德仁 皮孝东 《中央民族大学学报(自然科学版)》 2021年第4期5-12,共8页
碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了... 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 展开更多
关键词 碳化硅 切片 薄化 抛光
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半导体硅晶片超精密加工研究 被引量:4
15
作者 李媛 《电子工业专用设备》 2018年第1期7-13,共7页
"超精密加工"作为精度极高的一项加工技术正在逐步兴起,归纳总结了硅晶片的超精密切削、磨削和研磨的加工方法,分析了硅晶片超精密加工的研究现状,并对硅晶片超精密加工的发展趋势和今后的研究工作进行了展望。对超精密加工... "超精密加工"作为精度极高的一项加工技术正在逐步兴起,归纳总结了硅晶片的超精密切削、磨削和研磨的加工方法,分析了硅晶片超精密加工的研究现状,并对硅晶片超精密加工的发展趋势和今后的研究工作进行了展望。对超精密加工方法的研究,为推动集成电路向更高层次的发展奠定了基础.。 展开更多
关键词 半导体 硅晶片 超精密加工 磨削 抛光
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