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IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较
1
作者
姜晓鸿
郝跃
+1 位作者
许冬岗
徐国华
《电子科学学刊》
CSCD
1998年第2期206-212,共7页
本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。
关键词
ic
缺陷
ic故障
制造工艺
下载PDF
职称材料
题名
IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较
1
作者
姜晓鸿
郝跃
许冬岗
徐国华
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1998年第2期206-212,共7页
文摘
本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。
关键词
ic
缺陷
ic故障
制造工艺
Keywords
ic
defect, Defect model, Fault-probability, Local equivalent circular defect
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较
姜晓鸿
郝跃
许冬岗
徐国华
《电子科学学刊》
CSCD
1998
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