废IC板电浆熔渣之资源回收

本研究主要针对废IC（积体电路）板经电浆熔融後熔渣中之金、银、铜进行回收研究，本研究方法包括破碎研磨、筛分、磁选、浸渍溶蚀及溶蚀效率分析等。本研究成果显示，废IC板电浆熔渣之比重爲3.47、水份爲0.23%，而灰份爲101.81%。熔渣经过粉碎、磁选後可得6.62%之含铁物，而不感磁物中含有金0.0010%、银0.0392%及铜33.94%。另不感磁物经筛分得知100目(0.149mm)以上之熔渣含铜量较高，可直接将其售予煉铜厂作爲冶铜之原料，而100目以下，因其粒径较小且尚含有金、银、铜有价物，故本研究以盐酸、硫酸、氨水、硫脲等浸渍剂來进行金、银、铜之浸渍溶蚀研究。本研究结果显示以硫脲浸渍效果最好，其最佳浸渍条件爲：硫脲2.5g，硫酸浓度7.2N，硫酸铁3.3g，固液比0.03(1.5g/50mL)，在室温下浸渍2小时，可得金、银、铜100%之浸渍回收率。

离子研磨仪在PCB及IC载板检测中的应用

离子研磨(Ion Milling)是一种非接触式、高精度材料加工技术,通过带电核束轰击样品表面,使得样品表面的原子和分子发生位移和变形,从而实现对样品的精细加工。在PCB及IC载板检测中的常见应用方法有异物失效分析、界面分析,EBSD分析。离子研磨仪与FIB制备样品的SEM扫描效果一致,不但可以进行平面和截面磨抛,测试区域大,而且对EBSD样品制备有很大优势。

【企业动态】IC载板领域大突破!这一项目封顶大吉

8月30日,芯碁微装二期厂区建设项目顺利封顶。芯碁微装二期项目位于长宁大道与长安路交口,项目主要用以直写光刻设备产业应用深化拓展、IC载板、类载板直写光刻设备产业化以及关键子系统、核心零部件的自主研发。二期项目总建筑面积40397.93平方米。

面向高密度柔性集成电路封装基板的精密视觉检测算法

高密度柔性集成电路(IC)封装基板是电子组件的核心载体,其制造过程中的刻蚀、显影等工艺需要严格的品质控制.本文开发了一种融合金相显微镜与工业相机的成像视觉检测系统,用于柔性IC封装基板的图像采集与品质控制.针对显微成像视野小、易离焦等问题,提出了一种基于中值的三元模式局部纹理快速自动对焦算法.此外,针对高倍镜下柔性IC封装氧化缺陷分布不均匀问题,引入微分几何工具,利用曲率等几何特征提出了一种基于动态曲线演化的高精度表面氧化分布特征检测模型.通过定性与定量的实验研究,验证了两种算法在快速性和高精度方面的优越性能.

两种方法处理IC基板制造络合铜废水的对比研究

集成电路板(integrated circuit,IC)基板制造过程中会产生含络合铜化合物的各类废水。随着国内环保意识的提高和行业废水排放监管的加强,IC基板制造行业废水的有效处理成为亟待解决的问题。使用硫酸亚铁法和TMT-15(即Na_(3)(C_(3)N_(3)S_(3))-9H_(2)O晶体的15%水溶液)法对含络合铜废水进行破络除铜,在确定两种方法最佳运行工况的基础上,结合药剂成本进行了对比。结果表明,硫酸亚铁法和TMT-15法均可有效破络除铜,出水总铜含量达到《电镀污染物排放标准》(GB 21900—2008)的排放要求(低于0.5 mg/L),其药剂处理成本分别为1.44元/t和1.34元/t。

高性能涂层微钻在IC封装基板精密微孔加工应用研究

研究微钻不同涂层种类对IC封装基板加工性能及效率的影响。针对几种典型难加工IC封装基板,通过对IC封装基板机械钻孔加工难点、刀具失效机理、不同高性能涂层微钻的性能特点进行分析,设计不同高性能涂层微钻,获得了IC封装基板尤其是难加工封装基板的钻孔品质保障、效率提升、刀具寿命提高方面的有效解决方案。研究结果显示,针对刀具磨损极大的高填料封装基板,金刚石涂层可有效改善微钻的耐磨性能,相对于未涂层微钻和其他类型涂层微钻,刀具寿命显著提升。类金刚石涂层因其较低摩擦系数,有利于切屑的快速排出、降低了加工温度和减小了切削力。对厚径比大、排尘困难的封装基板,如FC-BGA用厚芯板的微孔加工,能有效改善孔壁粗糙度,提升孔位精度,降低断刀率,大幅提升钻孔品质;对于较薄的封装基板如CSP板的微孔加工,能够降低断刀率、增加叠板数量,提升加工效率。

IC载板mSAP工艺的化学镀铜性能研究

mSAP工艺是在半加成法的基础上进行改良而得的一种制作精细线路的IC载板制作技术,随着轻薄化的发展及国产化趋势,IC封装载板在国内的需求也越来越大。本文介绍一种性能优异、高效、低应力及不含氰化物的环保型mSAP化学镀铜解决方案,实现了BT类载板的mSAP工艺金属化制程。研究了添加剂对化学镀铜结晶形貌的影响,同时介绍使用我司的化学镀铜和电镀药水进行BT类载板的孔金属化情况,并测试了其载板的可靠性。

适用于先进IC载板半加成法的除胶沉铜工艺

文章介绍了适用于半加成法(SAP)制程的除胶和沉铜工艺,通过优化除胶段的玻璃蚀刻处理流程,积层膜表面在除胶段形成“缝隙型”微观粗糙度,增加了沉铜层与基材之间的锚固效应,再结合可靠性优异的低应力沉铜技术,可满足先进集成电路(IC)封装载板的SAP制程需求。

低温共烧多层陶瓷IC基板

介绍低温共烧多层陶瓷IC基板的应用、生产工艺和性能。

对发展IC封装载板用覆铜板的探讨[上]

本文对当前IC封装载板用覆铜板技术,特别是三菱瓦斯化学公司的BT树脂覆铜板制造技术的发展现状,及IC封装载板用基板材料市场格局的新变化进行了分析、探讨,以期对发展我国此方面覆铜板技术起到抛砖引玉的效果。

对发展IC封装载板用覆铜板的探讨[下]

本文对当前IC封装载板用覆铜板技术,特别是三菱瓦斯化学公司的BT树脂覆铜板制造技术的发展现状,及IC封装载板用基板材料市场格局的新变化进行了分析、探讨,以期对发展我国此方面覆铜板技术起到抛砖引玉的效果。

IC封装载板的新型表面涂饰层——ENEPIG

文章介绍一种新型的化学镀镍化学镀钯与浸金表面涂饰层,克服了化学镀镍浸金涂层的缺点,更加适合于IC封装载板上应用。

日本CCL技术的新进展(三、上)——日立化成工业公司近年IC封装用基板材料技术进展综述

本文对日立化成工业公司新开发的IC封装用基板材料(MCL-E-679GT)的主要特性、技术构成、研发思路、运用相关材料等加以介绍、分析。

IC封装基板和精细线路PCB对AOI检查的挑战

旨在介绍IC封装基板和精细线路PCB对AOI检查提出的要求,并就AOI设备的光学部件与机械部件的一些关键性能指标做了介绍。

IC封装无芯基板的发展与制造研究

手持电子产品的薄型化催生了IC封装无芯基板,它不仅比IC封装有芯基板更薄,而且电气性能更加优越。介绍了IC封装无芯基板的发展趋势和制造中面临的问题。IC封装无芯基板以半加成法制造,翘曲是目前制程中的首要问题。翘曲改善主要依靠改变绝缘层材料和积层结构,可用云纹干涉法进行量测,并以模拟为指导加快开发周期。

FIB-SEM双束系统在PCB及IC载板缺陷检测中的应用

FIB-SEM(Focused Ion Beam-Scanning Electron Microscope)双束系统是集聚焦离子束和扫描电子显微镜与一体的系统,其最大的优势是可以实现离子束切割或微加工的同时用电子束实时观察的功能。主要介绍FIB-SEM双束系统在PCB及IC载板缺陷检测中的常见应用,如盲孔孔底分析、杂物失效分析和晶体结构分析。

IC封装基板及其原材料市场分析和未来展望

随着5G技术的应用和智能汽车、智能家居走进平常百姓家,半导体市场近年来得到高速发展。IC封装基板作为半导体封装的核心材料,其需求也在逐年增长。本文介绍了IC封装基板及其原材料市场的供需情况,并对基板核心原材料供应商做了背景调研和分析,同时阐述IC封装基板精细线路制造工艺和封装基板技术要求,并展望了未来IC封装基板的发展方向。

新一代半加成化学铜沉积法于IC载板信赖度提升应用研究

针对下一代IC载板低表面粗糙度介电材料金属化应用,我们特别提出了全新的化学铜沉积速率控制配方,来改善现有的信赖性问题。此化学铜配方可在粗糙度低于0.1μm的基材上达到机械拉力值0.4 Kgf/cm以上。此外,此方法不会造成其他孔洞信赖度测试(如QVP,quick via pull)出现金属种子层断裂的问题。化学铜在直径50μm,孔深约27μm的孔洞均厚能力也能达到90%以上。以上化学铜沉积速率控制配方的特性表现,确保在高阶IC载板的应用上可以达到良好的操作性与信赖度。

PCB景气弱 设备商转赖IC载板扩产

由于2008年全球经济不振，导致印制电路板成长力度不如预期，客户投资缩水，影响设备商接单。不过，靠着IC载板扩产及面板出货，志圣和港建均对2008年营收及2009年前景持乐观看法。

尖点科技IC基板钻针08年出货量大幅上升

台湾尖点科技估计，IC基板市场需求成长将令其IC基板钻针（drill bit）2008年出货量大幅上升。 其线路板和IC基板用钻针2007年的出货比例为50：50，2008年估计将转变为45：55。