硅基GaN单片功率集成电路的研制

研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。

骨架提取在IC晶片缺陷机器视觉识别中的研究

光刻工艺导致的IC晶片制造中缺陷种类多样,丢失物和冗余物缺陷是影响成品率下降的重要原因,其主要造成电路开路和短路。提出一种基于骨架特征的IC晶片丢失物和冗余物缺陷短路故障机器视觉识别方法,应用细化算法抽取图像骨架,提供了使用多余点及多余端枝删除原则和数学形态学处理算法两种方法得到单像素的优化骨架,采用邻域跟踪法实现电路开路和短路形式识别。

IC芯片粘片机焊头柔性铰直线缓冲机构的设计

讨论了柔性铰直线缓冲机构的粘片机焊头,阐述了它与传统粘片机焊头相比较所具有的优点,推导了设计其弹簧结构的近似计算公式,运用SolidWorks有限元软件中Cosmos对焊头的位移及应力进行校核,得出了一个系列化的规格尺寸。

IC粘片机焊头四杆机构实现预定轨迹的遗传算法优化设计

论文设计了一种IC芯片粘片机焊头平面四杆机构,针对焊头机构在运动平稳的情况下,面向运动输出轨迹的空间约束需求,确定优化参数,并建立了满足两个优化目标的多元约束非线性数学模型,应用模拟生命进化机制的遗传搜索算法,在MATLAB平台上编写程序进行了优化设计。结果表明,目标函数值趋于零,优化设计的焊头平面四杆机构参数能够很好的满足设计目标要求,为后续的工程实际应用提供设计方法、数据支持。

基于像素分布特性的IC晶片视觉检测方法

IC晶片制造过程存在多种致命缺陷,致使芯片失效,导致成品率下降。冗余物缺陷是影响IC晶片成品率下降的重要原因,主要造成电路短路错误。针对冗余物缺陷对版图的影响,提出了一种简单可行的缺陷视觉检测方法,以实现冗余物缺陷的识别及电路失效形式的确定。根据摄取的显微图像的图像特征,利用光线补偿技术及形态滤波方法消除干扰噪声,以提高图像质量,采用投影定理及基于像素分布特性的检测方法,实现电路短路形式或缺陷未导致电路失效的识别。

单片电能检测IC AD7750

AD7750是专为检测市电电能而开发的IC。电能通常用K_wh表示,家用电度表主要是机械式电度表,而工业用的电度表现在越来越多地采用电子式电度表,但其主流仍然是进行模拟运算处理。AD7750是将输入的电流和电压相乘,再随着时间的积累量而输出脉冲数,所有的运算都是数字处理。

一种IC晶片导线特征检测方法的研究

针对IC晶片导线特征检测中的难点,介绍一种基于图像处理技术的导线特征分析和缺陷检测方法,把由局部缺陷引起的线路短路、开路故障分析归结为多条平行线宽和线距的分析,先通过Hough变换实现导线边缘的直线拟合和线宽、线距的亚像素测量,再根据测量结果建立起导线边缘标准模型,并把边缘图像的二维信号转换为一维信号进行分析,最终实现导线特征的分析和缺陷的定位;仿真和实际运用结果表明该方法使IC晶片导线特征分析简单化,并使缺陷分析定位变得更加方便灵活。

IC高速装片设备飞行视觉系统研究

针对IC高速装片设备高速高精度的装片需求,提出了一种新型辅助标识飞行视觉定位方法,解决了目前IC高速装片设备存在飞行视觉定位精度差的问题。通过在键合机构吸嘴中心制作圆环型辅助标识并搭建飞行视觉测试平台进行试验,通过优化芯片运动速度、曝光时间、增益、光源强度和程序扫描周期之间匹配关系的实验,得到运动速度在850 mm/s,曝光时间在50μs增益为1 000,工作距离为170 mm、光源强度为300最佳图像值,在识别精度为3.5μm下装片效率提高了31%。

IPM(智能功率模块)中单片IC的设计

本文介绍了新一代功率器件IPM(Ineligent Power Module),即智能功率模块的基本组成及技术.对其中的设计重点单片IC进行了优化设计,使之不仅具有通常的驱动和过流、短路、过热、欠压等保护功能,而且保护电路本身具有延时智能处理的功能.该电路还具有合适的光耦接口,以同计算机相连,达到智能控制的目的.文中给出了该单片控制IC的功能设计方法和方框图及工作原理,对单片IC中分块单元电路进行了元件级设计.最后给出了电路的PSPICE模拟结果.

英国IR推出单片同步整流控制IC

美国IR公司新开发的单片IC“IR1175S”可以用来控制绝缘型DC-DC转换器，以及开关电源的二次整流电路。该产品的同步整流与以往的二极管整流电路相比，由于减少了二极管的寄生成份所造成的损耗，从而提高了转换效率。

重复图案晶片自动检测新方法

针对具有重复图案阵列的IC晶片结构特征,提出了一种基于旋转不变子空间技术(ESPRIT)算法的自比较模板匹配缺陷检测方法。应用ESPRIT算法精确计算出重复图案中结构块的大小,然后将图像中所有结构块对应位置的像素值平均,计算出标准结构块。再根据显微镜视野大小扩展标准结构块形成标准模板,通过比对实现缺陷检测。实验结果表明:采用ESPRIT算法求取结构块大小,具有较高的速度和精度,能够满足IC检测实时性要求。算法的计算复杂度为O(N3/2),精度可达到0.04 pixel。

Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验

通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ku波段两级AlGaAs／InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与CAD设计值十分相近的实验结果：在13．4～14．0GHz的频率范围内，噪声系数（NF）1．66±0．04dB，相关增益（Ga）13．3±0．05dB。

S波段单片四位数控移相器

描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件，利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）制造工艺，研制出Ｓ波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内１６个移相态具有移相精度高（均方根误差小于１°）、输入输出驻波好（＜１．４）和较低的插入损耗（＜５．５ｄＢ）与插损变化（均方根误差小于０．２ｄＢ）等优良的电特性。芯片尺寸为６．４５ｍｍ×１．４ｍｍ×０．２ｍｍ。

三维多芯片组件

三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高，系统功能更多等优点，是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了３ＤＭＣＭ主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点，并对一些应用实例作了说明。

用ps光电导采样技术测量微波单片集成电路的S参数

本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的Ｓ参数的基本原理．首次用光电导采样技术测量了宽带（１８～３６ＧＨｚ）低噪声三级放大器的Ｓ参数，与用网络分析仪测量的结果进行了比较，一致性很好．而光电导采样技术的测量带宽已达到１００ＧＨｚ．

S波段接收前端用单片混频器的CAD

报道了Ｓ波段接收前端用单片混频器的设计方法，运用ＬＩＢＲＡ软件对混频器进行谐波平衡分析与优化，结果表明该软件是进行非线性电路设计很有效的工具。