IC缺陷轮廓多分形特征研究

IC真实缺陷轮廓曲线的形状特征对集成电路成品率预报及故障分析有重要影响。该文提出缺陷轮廓曲线具有多分形特征,以某一真实缺陷为例,用小波变换模极大(WTMM)的方法估计了其轮廓曲线参数方程的多分形谱,该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益探索。

基于小波变换的IC缺陷轮廓曲线分形维估计

硅片表面缺陷轮廓的形状特征对集成电路(IC)成品率预报及故障分析有重要影响。讨论了IC缺陷轮廓所具有的分形特征,利用小波变换对其参数曲线的分形维数进行了估计,估计结果与实际特征相符,从而为缺陷轮廓特征的描述和计算机模拟提供了一条新的途径。

IC缺陷轮廓分形维估计的小波方法

为了有效的进行集成电路成品率预报和故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形、椭圆或方形.然而,真实缺陷的形貌是多种多样的,它们的形状对集成电路的成品率估计有重要影响.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征,并用小波变换的方法对其分形维数进行了估计,估计结果与实例的特征相符,从而为缺陷轮廓的表征和计算机模拟提供了新的特征参数.