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ICL7667实现步进电机高频斩波控制
被引量:
6
1
作者
王永成
党源源
+2 位作者
徐抒岩
韩诚山
于涛
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2193-2198,共6页
为了提高小内阻步进电机驱动系统中功率MOSFET的开关速度,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器来实现步进电机的高频斩波控制。对驱动电路采用的功率MOSFET的栅极电容特性、开关时间等进行了研究,发现栅极电容的充放电过程影响了功率MOS...
为了提高小内阻步进电机驱动系统中功率MOSFET的开关速度,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器来实现步进电机的高频斩波控制。对驱动电路采用的功率MOSFET的栅极电容特性、开关时间等进行了研究,发现栅极电容的充放电过程影响了功率MOSFET的开关速度,提出了提高功率MOSFET开关速度的方法。最后,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器实现了步进电机的高频斩波控制。仿真和试验结果表明:采用ICL7667的驱动电路,可以保证斩波频率为200 kHz时,功率MOSFET的漏极输出仍处于截止和深度饱和的状态,这比采用电阻分压式驱动电路其斩波频率最大为20 kHz提高了10倍,可保证小内阻步进电机在高速斩波信号的控制下正确运行。
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关键词
icl7667
功率MOSFET
步进电机
MOSFET驱动器
开关特性
下载PDF
职称材料
题名
ICL7667实现步进电机高频斩波控制
被引量:
6
1
作者
王永成
党源源
徐抒岩
韩诚山
于涛
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院研究生院
长春工业大学计算机科学与工程学院
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2193-2198,共6页
基金
国家重大国防科研项目
文摘
为了提高小内阻步进电机驱动系统中功率MOSFET的开关速度,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器来实现步进电机的高频斩波控制。对驱动电路采用的功率MOSFET的栅极电容特性、开关时间等进行了研究,发现栅极电容的充放电过程影响了功率MOSFET的开关速度,提出了提高功率MOSFET开关速度的方法。最后,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器实现了步进电机的高频斩波控制。仿真和试验结果表明:采用ICL7667的驱动电路,可以保证斩波频率为200 kHz时,功率MOSFET的漏极输出仍处于截止和深度饱和的状态,这比采用电阻分压式驱动电路其斩波频率最大为20 kHz提高了10倍,可保证小内阻步进电机在高速斩波信号的控制下正确运行。
关键词
icl7667
功率MOSFET
步进电机
MOSFET驱动器
开关特性
Keywords
icl7667
power MOSFET
stepper motor
MOSFET driver
switching property
分类号
TM34 [电气工程—电机]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ICL7667实现步进电机高频斩波控制
王永成
党源源
徐抒岩
韩诚山
于涛
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
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职称材料
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