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射频磁控溅射制备(In,Co)共掺ZnO薄膜的电学和磁学性质
被引量:
2
1
作者
刘芬
代明江
+2 位作者
林松盛
石倩
孙珲
《工程科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第3期385-391,共7页
(In,Co)共掺的ZnO薄膜(ICZO薄膜)在100℃下通过射频(RF)溅射沉积至玻璃基板上.沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射.通过调节靶功率,获得了不同In含量的ICZO薄膜.研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化.分别使用扫描电子显微镜(...
(In,Co)共掺的ZnO薄膜(ICZO薄膜)在100℃下通过射频(RF)溅射沉积至玻璃基板上.沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射.通过调节靶功率,获得了不同In含量的ICZO薄膜.研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化.分别使用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、原子力显微镜(AFM)、电子探针扫描(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall measurement)和振动样品磁强计(VSM)对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析.详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响.实验结果表明,随着薄膜中In含量的提高,薄膜中载流子浓度显著提高,薄膜的导电性得到优化.所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性.与此同时,束缚磁极化子(BMP)模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料,致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变,并呈现在三个不同的区域.
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关键词
稀磁半导体
iczo
射频磁控溅射
束缚磁极化子
磁学性质
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职称材料
题名
射频磁控溅射制备(In,Co)共掺ZnO薄膜的电学和磁学性质
被引量:
2
1
作者
刘芬
代明江
林松盛
石倩
孙珲
机构
山东大学山东省光学天文与日地空间环境重点实验室
广东省科学院新材料研究所
吉林大学材料科学与工程学院
出处
《工程科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第3期385-391,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(62004117)
中国博士后基金面上资助项目(2019M651199)
+2 种基金
山东省自然科学基金资助项目(ZR2018QEM002)
广东省现代表面工程技术重点实验室课题资助项目
山东大学(威海)青年学者未来计划资助项目。
文摘
(In,Co)共掺的ZnO薄膜(ICZO薄膜)在100℃下通过射频(RF)溅射沉积至玻璃基板上.沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射.通过调节靶功率,获得了不同In含量的ICZO薄膜.研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化.分别使用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、原子力显微镜(AFM)、电子探针扫描(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall measurement)和振动样品磁强计(VSM)对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析.详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响.实验结果表明,随着薄膜中In含量的提高,薄膜中载流子浓度显著提高,薄膜的导电性得到优化.所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性.与此同时,束缚磁极化子(BMP)模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料,致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变,并呈现在三个不同的区域.
关键词
稀磁半导体
iczo
射频磁控溅射
束缚磁极化子
磁学性质
Keywords
diluted magnetic semiconductors
(In,Co)co-doped ZnO films
radio frequency sputtering
bound magnetic polaron model
magnetic property
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
射频磁控溅射制备(In,Co)共掺ZnO薄膜的电学和磁学性质
刘芬
代明江
林松盛
石倩
孙珲
《工程科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
2
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职称材料
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