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改进型3IDT-LCR结构的低损耗小矩形系数SAW滤波器
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作者 陈华志 罗文汀 +3 位作者 马晋毅 陈彦光 伍平 董加和 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第3期335-337,共3页
通过理论仿真,该文研制了一种改进型的3IDT-LCR结构,并基于该结构在42°Y-X LiTaO_(3)压电基片上研制出一种低损耗、小矩形系数的SAW滤波器。滤波器标称频率为253.75 MHz,实测插入损耗1.05 dB,低端带外抑制接近80 dB,高端带外抑制接... 通过理论仿真,该文研制了一种改进型的3IDT-LCR结构,并基于该结构在42°Y-X LiTaO_(3)压电基片上研制出一种低损耗、小矩形系数的SAW滤波器。滤波器标称频率为253.75 MHz,实测插入损耗1.05 dB,低端带外抑制接近80 dB,高端带外抑制接近65 dB,-1 dB带宽10.52 MHz,-3 dB带宽12.54 MHz,-40 dB带宽16.68 MHz,矩形系数1.33。实测结果表明,该改进型3IDT-LCR结构的SAW滤波器具备低插入损耗、小矩形系数和高带外抑制的特点。 展开更多
关键词 声表面波滤波器 纵向耦合谐振器 三换能器
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剥离工艺制作SAW滤波器IDT的研究 被引量:6
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作者 陈颖慧 高杨 +1 位作者 郑英彬 赵兴海 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期124-128,共5页
研究了用于声表面波滤波器的微米尺度的叉指换能器的制作工艺。利用剥离工艺,分别采用铝和铬金两种金属制作了叉指换能器的电极,分析了剥离工艺制作叉指电极时的工艺特性。对加工样品的测量分析结果表明,利用剥离工艺制备的叉指换能器... 研究了用于声表面波滤波器的微米尺度的叉指换能器的制作工艺。利用剥离工艺,分别采用铝和铬金两种金属制作了叉指换能器的电极,分析了剥离工艺制作叉指电极时的工艺特性。对加工样品的测量分析结果表明,利用剥离工艺制备的叉指换能器电极线条光滑、陡直、清晰,但是成品率较低。对比分析了采用铝和铬金制作的叉指换能器样品结构,结果表明两种金属材料在剥离液中的腐蚀时间不同,铝材料需要较长的剥离时间;两种材料制作的电极图形质量也有差异,铝材料制作的电极更为陡直、精细。 展开更多
关键词 声表面波(saw) 滤波器 叉指换能器(idt) 剥离 陡直度
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ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作 被引量:3
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作者 陈颖慧 郑英彬 +3 位作者 席仕伟 唐彬 王旭光 张慧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期443-447,478,共6页
传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/I... 传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。 展开更多
关键词 射频微机电系统(RFMEMS) 声表面波滤波器(saw) 金刚石 氧化锌薄膜 叉指换能器(idt)
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变迹加权三角形IDT结构的SAW滤波器设计与实现 被引量:3
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作者 王代强 陈雨青 +1 位作者 徐稀嫔 刘桥 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期31-35,共5页
利用改进的δ函数模型对变迹加权三角形的IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为200 MHz、带内插损为6 dB的SAW带通滤波器样品,结果表明其仿真结果与试验结果的一致性较好.
关键词 变迹加权 idt结构 插入损耗 带通滤波器
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硅基AlN椭圆形IDT-SAW滤波器的设计 被引量:3
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作者 王代强 陈雨青 +1 位作者 姚祖铭 刘桥 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1691-1694,共4页
在已知的压电材料中,AlN薄膜的声表面波传播速度是最快的。采用硅基AlN薄膜作为压电材料,利用变迹加权的方法来优化设计IDT,改进型δ函数模型为椭圆形结构IDT的建模工具。通过建模仿真并根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,在实验室制... 在已知的压电材料中,AlN薄膜的声表面波传播速度是最快的。采用硅基AlN薄膜作为压电材料,利用变迹加权的方法来优化设计IDT,改进型δ函数模型为椭圆形结构IDT的建模工具。通过建模仿真并根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,在实验室制作了中心频率为300MHz,带内插损11dB的SAW带通滤波器样品,测试结果表明其仿真结果与试验结果一致性较好,具有实际应用意义。 展开更多
关键词 滤波器 椭圆形idt结构 变迹加权 插入损耗 ALN薄膜
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IDT镜象连接式SAW低插损滤波器 被引量:1
6
作者 钟宁 武以立 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期1-4,共4页
本文以SAW叉指换能器的等效电路模型作为物理模型,分析研究了镜象连接式的两种典型结构,介绍了基本镜象连接单元的形成原因和它的各种用途.实验结果表明,基本镜象连接单元的插损为6.2dB,十换能器结构滤波器的插损为4.0dB.
关键词 saw 滤波器 镜象连接 idt
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关于SAW滤波器及其低损耗IDT结构
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作者 马国胜 严晓兰 《电子元器件应用》 2001年第5期33-35,共3页
声表面波(SAW)滤波器以其独特的优点广泛应用于许多电子设备中,尤其在移动通信的应用领域中,更体现了它的优势,但低插入损耗的SAW滤波器是扩大其应用领域的关键,其中主要是叉指换能器(IDT)的结构。本文主要介绍SAW滤波器及实现低插入损... 声表面波(SAW)滤波器以其独特的优点广泛应用于许多电子设备中,尤其在移动通信的应用领域中,更体现了它的优势,但低插入损耗的SAW滤波器是扩大其应用领域的关键,其中主要是叉指换能器(IDT)的结构。本文主要介绍SAW滤波器及实现低插入损耗的几种IDT结构。 展开更多
关键词 声表面波滤器 叉指换能器 损耗
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YX128°-LiNbO_3 SAW传感器IDT的有限元仿真 被引量:8
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作者 薛齐齐 孙崇波 孙毅 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期364-367,共4页
为研究高频环境下的二次效应,建立了SAW传感器叉指谐振器(IDT)的二维周期有限元模型.以YX128°-LiNbO3高频SAW传感器为分析对象,定量分析了不同电极设计参数下的电极二次效应;通过谐响应分析,得到了传感器IDT电学导纳与传感器中心... 为研究高频环境下的二次效应,建立了SAW传感器叉指谐振器(IDT)的二维周期有限元模型.以YX128°-LiNbO3高频SAW传感器为分析对象,定量分析了不同电极设计参数下的电极二次效应;通过谐响应分析,得到了传感器IDT电学导纳与传感器中心频率的关系,提取了IDT的谐振频率和逆谐振频率.结果表明,随着敷金比MR或电极高度EH的增大,表面波的模态频率降低,相应的表面波的速度也会降低.相同电极高度下,随着敷金比的增大,频率截止带逐渐变宽,对应的电极反射率逐渐变大.仿真提取的谐振频率为973MHz,逆谐振频率为1002MHz. 展开更多
关键词 saw传感器 叉指谐振器 有限元
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Research progress in SAW filter banks 被引量:1
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作者 何世堂 《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第9期990-996,共7页
SAW (Surface Acoustic Wave) filter bank is a single input, single or multi-output device consisting of multi-SAW-filters with input interconnection network or switch circuits, and can be divided into two categories... SAW (Surface Acoustic Wave) filter bank is a single input, single or multi-output device consisting of multi-SAW-filters with input interconnection network or switch circuits, and can be divided into two categories: channelizer (multi-output) and switchable (programmable, single output). The tbrmer is mainly used in military channelized receiver for spectrum analysis; the latter has wide application in frequency synthesizer and frequency-hopping radar and communication system receiver as anti-jamming filter, and has been widely used in various military electronic equipments ever since the 1970s. Research abroad was done mainly by Americans, few documents on related work done by Japan and Russia are available. Domestic research started in the 1980s, mainly by No. 26 Research Institute, China Electronics Technology Group Co., Institute of Acoustics, Chinese Academy of Sciences, No. 23 and No. 25 Research Institute, China Spaceflight Tech. Group Co. This paper first briefly introduces Chinese and foreign research on SAW filter banks; then discusses research progress in device design, the input interconnection network or switch circuit and miniaturization; and ends in a brief perspective of developing trends in future. 展开更多
关键词 saw Channelizer SWITCHABLE filter banks PROGRESS
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基于IDTs电极分层布局结构的瑞利波器件特性研究
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作者 袁宇鑫 武庆鹏 +2 位作者 孙立 孙科学 王艳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第1期11-17,共7页
现代科技的发展对高频声表面波(SAW)器件的需求不断增加,对其工作频率也提出了更高的要求。为了提高SAW器件的频率,该文构建了一种IDTs电极分层布局的器件模型,即IDTs/AlN/IDTs/R-sapphire结构,并采用有限元法分析其声学性能,包括导纳... 现代科技的发展对高频声表面波(SAW)器件的需求不断增加,对其工作频率也提出了更高的要求。为了提高SAW器件的频率,该文构建了一种IDTs电极分层布局的器件模型,即IDTs/AlN/IDTs/R-sapphire结构,并采用有限元法分析其声学性能,包括导纳、相速度、机电耦合系数等。结果表明,IDTs/AlN/IDTs/R-sapphire结构可激发出瑞利波,且当AlN压电薄膜厚度h_(AlN)=0.4λ(λ为器件周期),水平中心距P_(b)=4μm时,其工作频率为692 MHz,传统的IDTs/AlN/R-sapphire结构器件提高了近1倍(356 MHz),而此时机电耦合系数K^(2)为0.3%,比传统结构高。另外,通过优化IDTs电极的结构参数可进一步改善、调制瑞利波器件的性能。当IDTs的上层铜电极和下层铝电极厚度之比Δh=1.2,P_(b)=4μm,h_(AlN)/λ=0.5时,瑞利波器件的谐振频率为657.9 MHz,K^(2)=1.27%;当P b=6μm时,瑞利波的工作频率为461 MHz,机电耦合系数达到最大(K^(2)_(max)=1.34%),较传统IDTs单层布局结构瑞利波器件分别提升了30%和300%。结果表明,IDTs电极分层布局结构不仅可有效地提高SAW器件的工作频率和机电耦合系数,也可以降低高频SAW器件的制备难度。 展开更多
关键词 声表面波 叉指换能器 有限元分析 机电耦合系数 瑞利波
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SAW filter with AIN on diamond
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作者 Song Jen-hao Sung James C. +1 位作者 Chang Hsiao-kuo Kan Ming-chi 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第S1期109-114,118,共7页
Diamond surface acoustic wave(SAW) has been used to boost the frequency of thin film filters made of piezoelectric materials.Many designs have been tested and with significant results,in particular,AlN on diamond(AlNo... Diamond surface acoustic wave(SAW) has been used to boost the frequency of thin film filters made of piezoelectric materials.Many designs have been tested and with significant results,in particular,AlN on diamond(AlNoD) as the interface for transmitting Rayleigh wave was studied extensively .However,in all cases,nano crystalline or microcrystalline AlN coatings were deposited,typically by sputtering or CVD,on polycrystalline diamond film.The diamond film itself may contain nano or micro grains that are deposited by CVD.The presence of extensive grain boundaries in AlN can attenuate rapidly the propagation of Rayleigh wave.Moreover,the bonding between loose atomic packing of AlN and tight lattice of diamond is weak so much of the mechanical energy is dissipated as heat.In fact,the energy loss is much higher than energy transmitted during the resonating process.In this research,we attempted to improve the matching of atoms at the interface of AlNoD by doping AlN lattice with boron atoms.The shrinking of the lattice may allow more atoms are aligned at the interface.Moreover,a method of coupling single crystal AlN on single crystal diamond is proposed.Such a coupling can maximize the signal-to-noise ratio of the resonating AlNoD at the same time minimize the insertion loss of the SAW filter. 展开更多
关键词 saw filter DIAMOND FILM AIN BORON DOPING
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LiNbO_3高阻抗SAW滤波器的IDT特性分析
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作者 曹益群 王安琪 杨家发 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期783-785,共3页
论述了LiNbO3高阻抗声表面波滤波器的二分割和三分割叉指换能器的特性
关键词 声表面波滤波器 换能器 铌酸锂 阻抗
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圆形IDT结构声表面波滤波器的设计与实现 被引量:1
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作者 王代强 姚祖铭 +3 位作者 陈雨青 杨发顺 龚红 刘桥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期50-53,共4页
采用硅基AlN薄膜作为压电衬底,利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为300 MHz,带内插损8 dB的SAW带通滤波器样品。测试结果表明,其仿真结果与试验结果... 采用硅基AlN薄膜作为压电衬底,利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为300 MHz,带内插损8 dB的SAW带通滤波器样品。测试结果表明,其仿真结果与试验结果一致性较好。 展开更多
关键词 声表面波带通滤波器 变迹加权 圆形idt结构 插入损耗 硅基AlN薄膜 Δ函数
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MEMS-IDT声表面波陀螺 被引量:6
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作者 吕志清 胡爱民 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期27-29,33,共4页
声表面波陀螺的概念出现在70年代初期,发展为MEMS-IDT声表面波陀螺仅是最近几年的事情。MEMS-IDT声表面波陀螺仪是一种MEMS微机械振动陀螺,这种陀螺为单层平面结构,采用标准IC工艺就可完成加工,勿需悬浮的振动元件,有很强的抗冲击振动能... 声表面波陀螺的概念出现在70年代初期,发展为MEMS-IDT声表面波陀螺仅是最近几年的事情。MEMS-IDT声表面波陀螺仪是一种MEMS微机械振动陀螺,这种陀螺为单层平面结构,采用标准IC工艺就可完成加工,勿需悬浮的振动元件,有很强的抗冲击振动能力,可靠性高,可不用真空封装而保持较高的灵敏度。 展开更多
关键词 声表面波陀螺 声表面波 叉指换能器 驻波振动 MEMS—idt 微机械振动陀螺
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ZnO/IDT/SiO_2结构声表面波传感器仿真和分析
15
作者 梅红芳 《科学技术与工程》 2011年第21期5029-5033,5038,共6页
针对现有声表面波理论模型难以分析多层结构声表面波传感器器件的缺点,利用周期性介质的矩阵本征算子模型,成功对ZnO/IDT/SiO2多层结构中IDT电极的机械特性对装置性能的影响进行了建模。基于此模型,仿真和分析了此结构装置的波传播速度... 针对现有声表面波理论模型难以分析多层结构声表面波传感器器件的缺点,利用周期性介质的矩阵本征算子模型,成功对ZnO/IDT/SiO2多层结构中IDT电极的机械特性对装置性能的影响进行了建模。基于此模型,仿真和分析了此结构装置的波传播速度、机械耦合系数等参数与波导层厚度以及电极厚度的关系。并将仿真结果得到的装置传输频率响应与试验结果进行比较,二者基本一致。 展开更多
关键词 ZnO/idt/SiO2 声表面波传感器 矩阵本征算子 多层声表面波器件
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IDT推出新一代FemtoCIockTM产品系列
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《电子元器件应用》 2009年第7期I0006-I0006,共1页
IDT公司(Integrated Device Technology,Inc.)推出其FemtoClocksTM系列最新产品——新一代FemtoNG(FemtoClockNextGeneration)。新一代的时钟合成器具有极低的相位噪声性能和显著改善的电源噪声抑制特性,当与串行接口配合使用时... IDT公司(Integrated Device Technology,Inc.)推出其FemtoClocksTM系列最新产品——新一代FemtoNG(FemtoClockNextGeneration)。新一代的时钟合成器具有极低的相位噪声性能和显著改善的电源噪声抑制特性,当与串行接口配合使用时可实现更高的带宽。全新FemtoNG系列是完全可定制的独立解决方案.为高性能应用提供参考时钟.以取代客户之前常用的晶振和SAW振荡器。 展开更多
关键词 idt公司 Integrated 品系 DEVICE saw振荡器 参考时钟 噪声抑制 噪声性能
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IDT推出新一代FemtoClock^TM产品系列
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《中国集成电路》 2009年第6期6-7,共2页
IDT公司推出其FemtoClocks^TM系列最新产品——新一代FemtoNG(FemtoClock Next Generation)。新一代的时钟合成器具有极低的相位噪声性能和显着改善的电源噪声抑制特性,当与串行接口配合使用时可实现更高的带宽。全新FemtoNG系列是... IDT公司推出其FemtoClocks^TM系列最新产品——新一代FemtoNG(FemtoClock Next Generation)。新一代的时钟合成器具有极低的相位噪声性能和显着改善的电源噪声抑制特性,当与串行接口配合使用时可实现更高的带宽。全新FemtoNG系列是完全可定制的独立解决方案,为高性能应用提供参考时钟,以取代客户之前常用的晶振和SAW振荡器。 展开更多
关键词 idt公司 品系 saw振荡器 参考时钟 NEXT 噪声抑制 噪声性能 接口配合
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基于SAW滤波器的电磁寄生提取
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作者 胡月 白凤 +8 位作者 周艺蒙 范维 魏子杰 李沛然 帅垚 吴传贵 罗文博 潘忻强 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期453-457,共5页
针对封装管壳和版图电磁寄生参数导致射频声表面波(SAW)滤波器通带变窄及驻波增大等问题,提出一种能快速提取封装管壳和版图中电磁寄生效应的方法,精准模拟了封装和版图对滤波器性能的影响。首先利用有限元法(FEM)电磁仿真软件提取封装... 针对封装管壳和版图电磁寄生参数导致射频声表面波(SAW)滤波器通带变窄及驻波增大等问题,提出一种能快速提取封装管壳和版图中电磁寄生效应的方法,精准模拟了封装和版图对滤波器性能的影响。首先利用有限元法(FEM)电磁仿真软件提取封装管壳的电磁寄生参数,再使用电路仿真软件将所设计出的滤波器结合所提取的封装寄生参数和滤波器版图直接进行联合仿真,此方法不需将版图在FEM软件中再次进行电磁仿真,可提高时间利用率。此方法在中心频率为1 268 MHz、通带插入损耗小于1 dB、带内驻波小于1.6、带内波动为0.5 dB、带宽为24 MHz(相对带宽为1.8%)的SAW滤波器上进行了验证,结果表明仿真结果与实测值吻合度较高。该设计中所用的SAW谐振器均经过去嵌操作,能更精准地模拟实测滤波器的结果。 展开更多
关键词 电磁寄生 saw滤波器 封装 去嵌 版图
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电磁寄生参数对SAW滤波器性能的影响
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作者 魏园林 帅垚 +3 位作者 魏子杰 吴传贵 罗文博 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期463-467,共5页
设计了B41频段的声表面波(SAW)滤波器,利用三维电磁场仿真工具HFSS建立表面贴装器件(SMD)封装和芯片级(CSP)封装模型,对比两种封装的声-电磁联合仿真结果得出,在滤波器电路拓扑结构中,当2条不同并联支路连接在一起时,由于SMD封装键合引... 设计了B41频段的声表面波(SAW)滤波器,利用三维电磁场仿真工具HFSS建立表面贴装器件(SMD)封装和芯片级(CSP)封装模型,对比两种封装的声-电磁联合仿真结果得出,在滤波器电路拓扑结构中,当2条不同并联支路连接在一起时,由于SMD封装键合引线的电磁寄生参数影响,滤波器在高频处的带外抑制会出现“上翘”。建立不同键合线数量、直径及长度的SMD封装模型,并仿真计算S参数。对比仿真结果可知,随着键合线直径的增大和长度的减小,其等效电感逐渐变小,即键合线的电磁寄生参数逐渐减小,对SAW滤波器性能的影响逐渐减弱,高频处的带外抑制性能得到优化。结果表明,CSP封装植球倒扣的电磁寄生参数更小,声-电磁联合仿真的结果更优,与实测结果吻合较好。 展开更多
关键词 saw滤波器 表面贴装器件(SMD)封装 芯片级(CSP)封装 电磁寄生参数 带外抑制 键合线
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压电复合薄膜的SAW器件杂波抑制及仿真方法
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作者 王吉芳 陈平静 +6 位作者 曹稚颖 潘虹芝 董加和 肖强 吴浩东 陈正林 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期447-452,457,共7页
针对任意复杂膜系结构压电复合薄膜声表面波(SAW)器件横向杂波抑制及精确快速仿真方法,从数学上严格分析推导了有限长结构分层级联理论和色散2D-COM模型,可精确快速地计算压电复合薄膜SAW器件传播方向及孔径方向结构对杂波模式的影响,... 针对任意复杂膜系结构压电复合薄膜声表面波(SAW)器件横向杂波抑制及精确快速仿真方法,从数学上严格分析推导了有限长结构分层级联理论和色散2D-COM模型,可精确快速地计算压电复合薄膜SAW器件传播方向及孔径方向结构对杂波模式的影响,并通过色散2D-COM模型对SAW器件杂波抑制进行综合分析。通过对41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW谐振器的优化设计与研制,结果表明,设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。 展开更多
关键词 压电复合薄膜 saw器件 杂波抑制 分层级联 2D-COM模型
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