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IEDM重装上阵Ⅱ——用MEMS工艺制作高性能的片上电感
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作者 汪辉 《集成电路应用》 2007年第3期30-30,共1页
中国大陆对IEDM 2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长,"A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA... 中国大陆对IEDM 2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长,"A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA-Configured Micro-Transformers"(用后CMOS的MEMS凹悬工艺制作DNA螺旋状的高性能片上微互感器)。2004年.他们将CMOS工艺(STI)用于单晶圆MEMS,今年则反其道而行.用MEMS工艺来制作高性能的射频片上互感器和电感,再显他山之石的威力。 展开更多
关键词 MEMS工艺 工艺制作 片上电感 iedm 性能 CMOS工艺 SILICON 重装
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IEDM的初体验
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作者 汪辉 《集成电路应用》 2006年第11期10-10,共1页
历史长达53年的IEDM(International Electron Devices Meeting)是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期.会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位.包括大公司的研发部门。... 历史长达53年的IEDM(International Electron Devices Meeting)是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期.会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位.包括大公司的研发部门。独立研究机构及大学的相关小组,通常会积极地在IEDM上报道半导体及电子器件领域的最新进展。IEDM讨论的议题十分广泛.涵盖制造。设计、物理和建模等各个方面.从最先进的CMOS工艺到Memory和显示技术.从化合物半导体到纳米器件.从MEMS到智能电源等.不一而足。 展开更多
关键词 iedm 化合物半导体 Devices MEMORY CMOS工艺 IEEE 旧金山市 研究机构
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IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步 被引量:1
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《今日电子》 2004年第2期3-3,共1页
关键词 iedm 电子皮肤 应变硅 存储器 微米电子技术 纳米电子技术
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IEDM重装上阵I——面向RF IC的新型片上电感
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作者 汪辉 《集成电路应用》 2007年第1期12-12,共1页
2006年12月11日.IEDM在美国旧金山如期举行.在这次半导体器件的盛会上.经过一年的沉寂.中国大陆的研究人员重整旗鼓.再度贡献两项高质量的研究成果。也许是一种巧合.它们的作者都是2004年取得突破的IEDM先锋.即清华大学的任天令... 2006年12月11日.IEDM在美国旧金山如期举行.在这次半导体器件的盛会上.经过一年的沉寂.中国大陆的研究人员重整旗鼓.再度贡献两项高质量的研究成果。也许是一种巧合.它们的作者都是2004年取得突破的IEDM先锋.即清华大学的任天令小组和中科院微系统所的李听欣小组。 展开更多
关键词 iedm 片上电感 RFIC 重装 半导体器件 研究成果 研究人员 中国大陆
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IEDM上逻辑器件面对面
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作者 David Lammers 《集成电路应用》 2009年第1期32-33,共2页
在一篇延期提交N2008国际电子器件会议(IEDM)的论文中,来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台,并介绍了基于锑化铟(InSb)的pFET,其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片,此... 在一篇延期提交N2008国际电子器件会议(IEDM)的论文中,来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台,并介绍了基于锑化铟(InSb)的pFET,其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片,此外其他几家逻辑器件供应商也介绍了他们最先进的工艺技术。 展开更多
关键词 逻辑器件 iedm Intel公司 技术平台 研究人员 电子器件 SRAM 锑化铟
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IBM、三星和英飞凌等在IEDM上介绍65nm工艺
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《集成电路应用》 2005年第2期21-21,共1页
日前在美国旧金山举行的国际电子元器件会议OEDM)上,特许半导体(Chartered Semiconductor)、IBM、英飞凌(Infineon)和三星(Samsung)纷纷介绍了其65nm工艺,据称这种工艺比先前工艺的性能高出35%。
关键词 IBM公司 三星公司 英飞凌公司 iedm 生产工艺
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英特尔计划在IEDM上推出32纳米工艺
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《中国集成电路》 2008年第11期5-5,共1页
在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会(IEDM)上,英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。根据IEDM文件,英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片,单元尺寸为0.171平方微米。... 在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会(IEDM)上,英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。根据IEDM文件,英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片,单元尺寸为0.171平方微米。该器件集成了近20亿个晶体管和4.2Mbit2的矩阵密度。 展开更多
关键词 英特尔公司 纳米工艺 iedm 高性能处理器 电子器件 IEEE 32纳米 SRAM
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IEDM会议上发表的论文,显示半导体技术进展迅猛
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作者 RodneyMyrvaagnes 王正华 《今日电子》 2001年第2期8-9,共2页
本届国际电子器件会议(IEDM)于12月11日到13日,在旧金山举行。从会议发表的论文内容可以看出,有许多振奋人心的成果,虽然这些成果并不是主流半导体技术取得的进展。一般地说IEDM和国际固体集成电路会议不同。
关键词 半导体技术 iedm 国际会议
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英飞凌在IEDM展示新型穿隧式场效应晶体管
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《变频器世界》 2005年第1期33-33,共1页
2004年12月13-15日,在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文,展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适用于制造低压数字和... 2004年12月13-15日,在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文,展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适用于制造低压数字和模拟电路的可伸缩性晶体管概念。现在,人们终于可以将互补穿隧式场效应晶体管(TFET)用于标准硅工艺,制造出具备出色静态和动态性能的芯片。 展开更多
关键词 穿隧式场效应晶体管 数字电路 模拟电路 可伸缩性晶体管 英飞凌科技公司 iedm
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面向联合作战的语义参考模型MIM研究与运用
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作者 赵鑫业 苑博 +1 位作者 刘鹏 崔鹏 《指挥控制与仿真》 2023年第4期92-104,共13页
针对盟国多军兵种联合作战数据共享交换的需求,北约面向指挥控制和仿真互操作域提出了多边互操作性规划信息模型(MIM)。MIM作为核心数据框架的语义参考模型,支持互操作性规范的开发及其特定流程。介绍了MIM的开发需求和发展历史,分析了... 针对盟国多军兵种联合作战数据共享交换的需求,北约面向指挥控制和仿真互操作域提出了多边互操作性规划信息模型(MIM)。MIM作为核心数据框架的语义参考模型,支持互操作性规范的开发及其特定流程。介绍了MIM的开发需求和发展历史,分析了MIM语义信息注释模型的方法,总结了MIM的工具和服务,然后结合其特点,从适用性、应用策略等方面对MIM作为语义参考模型支持跨系统信息共享进行了研究,并给出了具体的应用示例。为语义参考模型的应用及其在多军兵种联合作战中的数据共享交换提供基础。 展开更多
关键词 MIM 互操作性 标准化 C2iedm JC3iedm
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IEDM发布新型内存解决方案
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作者 韩潇 《半导体信息》 2009年第6期8-,共1页
IEDM是介绍微电子学、纳米电子学、生物电子学领域器件研究的会议。美国东海岸地区创新成果显著,本年度的会议将在巴尔的摩举办。届时,来自世界各地的企业,大学和国家实验室的研究者们将会发布215篇论文报告。
关键词 内存芯片 器件 气相化学反应 iedm 光刻工艺 掩膜
原文传递
2011 IEEE IEDM将热议化合物半导体最新技术
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作者 江兴 《半导体信息》 2011年第5期2-3,共2页
即将于今年12月5~7日举行的本届IEEE IEDM(国际电子器件大会)中,将有来自三个不同团队的研究人员,展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录。英特尔的团队将揭示带30 nm栅极的三栅极(tri-gate)
关键词 化合物半导体 IEEE iedm 功率元件 量子阱 技术副总裁 英飞凌 功率半导体 击穿电压 飞兆半导体 寄生电阻
原文传递
军事仿真分析评估系统互操作性标准化 被引量:2
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作者 赵鑫业 蔡楹 +1 位作者 杨妹 黄柯棣 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2455-2462,共8页
下一代的军事仿真分析评估系统将仿真系统与实际指挥控制系统有机结合,为军事复杂系统提供更准确的分析、预测与控制方法,从而有效提高决策的灵活性和前瞻性,降低决策风险。如何在军事仿真分析评估系统顶层分析与设计阶段关注和体现系... 下一代的军事仿真分析评估系统将仿真系统与实际指挥控制系统有机结合,为军事复杂系统提供更准确的分析、预测与控制方法,从而有效提高决策的灵活性和前瞻性,降低决策风险。如何在军事仿真分析评估系统顶层分析与设计阶段关注和体现系统的互操作性,这是决策者、系统设计和开发人员,以及最终使用人员必须高度重视的问题。采用主流的国际标准和通用标准,将极大提高系统应用的开发能力和开发质量。研究了当前作战模拟领域主流的几种互操作性国际标准和通用标准的体系结构的发展进程,并对其互操作性和标准之间的相互关系进行了具体的分析与阐述。 展开更多
关键词 分析评估系统 互操作性 标准化 C2iedm JC3iedm 战场管理语言 军事想定定义语言
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基于数据模型的战场态势图信息管理技术 被引量:3
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作者 程向力 仇建伟 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2012年第10期4033-4037,共5页
在高技术战争中,如何有效地管理态势信息成为军事信息技术的核心问题。通过研究基于信息交换数据模型的态势图信息管理技术,分析了战场态势数据的存储、分发以及可视化表示技术。在此基础上扩展了态势图信息的可视化要素实体,提出了管... 在高技术战争中,如何有效地管理态势信息成为军事信息技术的核心问题。通过研究基于信息交换数据模型的态势图信息管理技术,分析了战场态势数据的存储、分发以及可视化表示技术。在此基础上扩展了态势图信息的可视化要素实体,提出了管理态势信息和应用的态势图数据管理方法。对原型系统的扩展实验验证了该战场信息数据模型对支撑态势应用数据管理的可行性与合理性。 展开更多
关键词 共用态势图 数据模型 联合指挥控制协商信息交换数据模型(JC3iedm) 军标 实体扩展
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面向推演分析的联合作战方案概念建模研究 被引量:5
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作者 刘兆鹏 柳少军 +1 位作者 司光亚 周文 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期4563-4573,共11页
以利用仿真系统对战役级联合作战方案进行推演分析为背景,针对推演过程中面临的信息共享问题,深入分析了国内外联合作战方案的构成和差异,以及联合作战方案建模方法的发展趋势,首次将联合作战方案模型划分为概念模型和求解模型,进而分... 以利用仿真系统对战役级联合作战方案进行推演分析为背景,针对推演过程中面临的信息共享问题,深入分析了国内外联合作战方案的构成和差异,以及联合作战方案建模方法的发展趋势,首次将联合作战方案模型划分为概念模型和求解模型,进而分析了当前联合作战方案概念模型的局限性。针对联合作战方案推演过程跨战役、战术层级的特征,利用实体、属性、关系的方法,设计了以任务-指令为核心的联合作战方案概念模型,并通过夺取制空权行动验证了模型在不同层级的描述能力。 展开更多
关键词 联合作战方案 概念模型 求解模型 JC3iedm
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北约战场信息共享的实现技术 被引量:4
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作者 梁维泰 董允强 周方 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期185-188,共4页
MIP是一个以北约国家为主体的跨国性研究团体,致力于解决C2IS系统的互操作问题。MIP的解决方案包括一个交互机制和数据交互模型。文章简要介绍了MIP的发展历史,重点研究了通用接口(MCI)的运行机理和战场数据交互模型JC3IEDM。最后,对其... MIP是一个以北约国家为主体的跨国性研究团体,致力于解决C2IS系统的互操作问题。MIP的解决方案包括一个交互机制和数据交互模型。文章简要介绍了MIP的发展历史,重点研究了通用接口(MCI)的运行机理和战场数据交互模型JC3IEDM。最后,对其与美军目前所采用的技术进行比较。 展开更多
关键词 互操作性 MIP JC3iedm 数据模型
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产品
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《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第4期275-275,共1页
松下与IMEC联合开发工作电压1.8v的MEMS谐振器 松下与比利时的IMEC宣布,共同开发了Q值为业界最高水平的低电压驱动MEMS谐振器。部分开发技术已在“IEDM 2010(2010 IEEE International Electron Devices Meeting)”(2010年12月6—... 松下与IMEC联合开发工作电压1.8v的MEMS谐振器 松下与比利时的IMEC宣布,共同开发了Q值为业界最高水平的低电压驱动MEMS谐振器。部分开发技术已在“IEDM 2010(2010 IEEE International Electron Devices Meeting)”(2010年12月6—8日,美国旧金山)上公开。 展开更多
关键词 MEMS谐振器 DEVICES 产品 低电压驱动 工作电压 iedm IEEE 开发
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引领芯片技术未来
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作者 依然 《电子产品世界》 2004年第01A期109-110,共2页
关键词 iedm 微电子技术 MRAM 铁电存储器 IC产业
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台积电发布28nm工艺首次采用了高-k和HKMG技术
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《中国集成电路》 2009年第1期7-7,共1页
日前,台积电发布了28nm工艺技术。该技术采用193nm的液浸光刻,并首次采用HKMG技术。晶体管的栅长最短为24nm。EOT(等效氧化膜厚度)为0.9nm,与该公司在07年IEDM上发布的未采用HKMG的32nm工艺技术的EOT值1.6nm相比,大幅削减了厚度。
关键词 台积电 技术 工艺 iedm 膜厚度 晶体管 光刻 等效
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强相关电子类材料——实现超高密度存储器材料和原理研究是关键
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《电子设计应用》 2006年第3期59-62,共4页
最近,业内开始关注ReRAM(resistive RAM)的开发,它是一款利用器件阻抗值的变化来记录信息的非易失降存储器。2005年12月召开的半导体国际会议“2005 IEDM”上,韩国三星电子、Spansion公司发布了最新的研究报告。Intel等其他一些企... 最近,业内开始关注ReRAM(resistive RAM)的开发,它是一款利用器件阻抗值的变化来记录信息的非易失降存储器。2005年12月召开的半导体国际会议“2005 IEDM”上,韩国三星电子、Spansion公司发布了最新的研究报告。Intel等其他一些企业也在进行ReRAM的开发。 展开更多
关键词 存储器 超高密度 Spansion公司 电子类 记录信息 国际会议 iedm
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