中国大陆对IEDM 2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长,"A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA...中国大陆对IEDM 2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长,"A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA-Configured Micro-Transformers"(用后CMOS的MEMS凹悬工艺制作DNA螺旋状的高性能片上微互感器)。2004年.他们将CMOS工艺(STI)用于单晶圆MEMS,今年则反其道而行.用MEMS工艺来制作高性能的射频片上互感器和电感,再显他山之石的威力。展开更多
历史长达53年的IEDM(International Electron Devices Meeting)是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期.会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位.包括大公司的研发部门。...历史长达53年的IEDM(International Electron Devices Meeting)是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期.会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位.包括大公司的研发部门。独立研究机构及大学的相关小组,通常会积极地在IEDM上报道半导体及电子器件领域的最新进展。IEDM讨论的议题十分广泛.涵盖制造。设计、物理和建模等各个方面.从最先进的CMOS工艺到Memory和显示技术.从化合物半导体到纳米器件.从MEMS到智能电源等.不一而足。展开更多
松下与IMEC联合开发工作电压1.8v的MEMS谐振器
松下与比利时的IMEC宣布,共同开发了Q值为业界最高水平的低电压驱动MEMS谐振器。部分开发技术已在“IEDM 2010(2010 IEEE International Electron Devices Meeting)”(2010年12月6—...松下与IMEC联合开发工作电压1.8v的MEMS谐振器
松下与比利时的IMEC宣布,共同开发了Q值为业界最高水平的低电压驱动MEMS谐振器。部分开发技术已在“IEDM 2010(2010 IEEE International Electron Devices Meeting)”(2010年12月6—8日,美国旧金山)上公开。展开更多
文摘中国大陆对IEDM 2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长,"A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA-Configured Micro-Transformers"(用后CMOS的MEMS凹悬工艺制作DNA螺旋状的高性能片上微互感器)。2004年.他们将CMOS工艺(STI)用于单晶圆MEMS,今年则反其道而行.用MEMS工艺来制作高性能的射频片上互感器和电感,再显他山之石的威力。
文摘历史长达53年的IEDM(International Electron Devices Meeting)是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期.会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位.包括大公司的研发部门。独立研究机构及大学的相关小组,通常会积极地在IEDM上报道半导体及电子器件领域的最新进展。IEDM讨论的议题十分广泛.涵盖制造。设计、物理和建模等各个方面.从最先进的CMOS工艺到Memory和显示技术.从化合物半导体到纳米器件.从MEMS到智能电源等.不一而足。
文摘松下与IMEC联合开发工作电压1.8v的MEMS谐振器
松下与比利时的IMEC宣布,共同开发了Q值为业界最高水平的低电压驱动MEMS谐振器。部分开发技术已在“IEDM 2010(2010 IEEE International Electron Devices Meeting)”(2010年12月6—8日,美国旧金山)上公开。