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新能源车用IGBT模块封装技术研究
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作者 贺坚 《自动化应用》 2024年第9期78-80,共3页
我国新能源汽车的关键零部件对外依赖程度较高,特别是在IGBT模块芯片方面,与先进国家技术实力相比,我国还存在明显差距。因此,相关行业人员应深入研究IGBT技术,推动IGBT技术快速进步,以使我国新能源汽车真正摆脱外国芯片。先分析新能源... 我国新能源汽车的关键零部件对外依赖程度较高,特别是在IGBT模块芯片方面,与先进国家技术实力相比,我国还存在明显差距。因此,相关行业人员应深入研究IGBT技术,推动IGBT技术快速进步,以使我国新能源汽车真正摆脱外国芯片。先分析新能源汽车产业现状,并指出新能源车用IGBT模块封装技术特征,再重点探究技术的应用与发展,以期为相关行业人员提供参考。 展开更多
关键词 新能源 igbt模块 封装技术
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高压碳化硅IGBT器件的电学特性
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作者 肖凯 刘航志 +2 位作者 王振 邹延生 王俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期102-109,139,共9页
借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的... 借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的正向载流子注入增强,从而使得p-IGBT导通电流较大。相比较npn晶体管而言,由于n-IGBT内部pnp晶体管的电流增益较低,关断过程中载流子的抽取电流较高,耗尽层扩展速度较快,使得其关断时间较短,因而n-IGBT在动态关断能耗和正向导通压降之间具有较好的折中关系。但n-IGBT关断过程中电压变化率(dv/dt)、电流变化率(di/dt)值较高,特别是发生电压穿通现象过后。因此,应对n-IGBT电磁干扰(EMI)抑制的器件设计技术加以重视。 展开更多
关键词 SiC igbt 短路安全工作区(SCSOA) 反向偏置安全工作区(RBSOA) 能量损耗
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A 4H-SiC trench IGBT with controllable hole-extracting path for low loss
3
作者 吴丽娟 刘恒 +4 位作者 宋宣廷 陈星 曾金胜 邱滔 张帮会 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期714-718,共5页
A novel 4H-Si C trench insulated gate bipolar transistor(IGBT)with a controllable hole-extracting(CHE)path is proposed and investigated in this paper.The CHE path is controlled by metal semiconductor gate(MES gate)and... A novel 4H-Si C trench insulated gate bipolar transistor(IGBT)with a controllable hole-extracting(CHE)path is proposed and investigated in this paper.The CHE path is controlled by metal semiconductor gate(MES gate)and metal oxide semiconductor gate(MOS gate)in the p-shield region.The grounded p-shield region can significantly suppress the high electric field around gate oxide in Si C devices,but it weakens the conductivity modulation in the Si C trench IGBT by rapidly sweeping out holes.This effect can be eliminated by introducing the CHE path.The CHE path is pinched off by the high gate bias voltage at on-state to maintain high conductivity modulation and obtain a comparatively low on-state voltage(VON).During the turn-off transient,the CHE path is formed,which contributes to a decreased turn-off loss(EOFF).Based on numerical simulation,the EOFFof the proposed IGBT is reduced by 89%compared with the conventional IGBT at the same VONand the VONof the proposed IGBT is reduced by 50%compared to the grounded p-shield IGBT at the same EOFF.In addition,the average power reduction for the proposed device can be 51.0%to 81.7%and 58.2%to 72.1%with its counterparts at a wide frequency range of 500 Hz to 10 k Hz,revealing a great improvement of frequency characteristics. 展开更多
关键词 controllable hole-extracting path energy loss frequency characteristics Si C insulated gate bipolar transistor(igbt)
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IGBT失效能量传导及能量冲击影响研究
4
作者 马瑶 徐丽宾 +2 位作者 余伟 刘敏安 任亚东 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期162-169,共8页
IGBT作为功率开关器件,具有载流密度大、饱和压降低等许多优点,广泛应用于各类电力工程领域,但其也是功率变流器系统最主要的失效部分。当IGBT模块发生短路时,短路电流急剧增大,使得IGBT芯片发热剧烈,当短路能量足够高时,将会引发芯片失... IGBT作为功率开关器件,具有载流密度大、饱和压降低等许多优点,广泛应用于各类电力工程领域,但其也是功率变流器系统最主要的失效部分。当IGBT模块发生短路时,短路电流急剧增大,使得IGBT芯片发热剧烈,当短路能量足够高时,将会引发芯片失效,从而产生大量高温高压的爆生气体。爆生气体经过初始膨胀后将以冲击波能和气体能的形式作用于管壳,当模块管壳无法束缚失效能量时,将会造成模块管壳炸损。如何评估失效能量冲击,文章提出了5种评估方法,即管壳损坏程度评估法、高速摄影法、冲击传感器测量法、电参数测试法、电容能量释放法。通过试验验证发现,管壳损坏程度评估法较为有效,可以使短路能量对管壳的影响变成一个可以定量计算的问题,从而指导管壳结构优化、评价管壳材料强度、限制失效能量对其他子系统的次生伤害。 展开更多
关键词 igbt 失效能量 短路试验 爆轰波 管壳损坏程度评估法
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新能源汽车控制器IGBT动态温升分析
5
作者 党艳辉 赵英军 +1 位作者 高乙栋 李莉莉 《汽车实用技术》 2023年第10期7-11,共5页
针对电动汽车控制器的热设计,需要考虑低输出频率情况下绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的温升情况,从而防范IGBT在低输出频率工况下烧毁。由于IGBT低频载荷工况为短时瞬态过程,实验测试无法实现,故采用瞬态仿真验证改进实际设计。论文针对采... 针对电动汽车控制器的热设计,需要考虑低输出频率情况下绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的温升情况,从而防范IGBT在低输出频率工况下烧毁。由于IGBT低频载荷工况为短时瞬态过程,实验测试无法实现,故采用瞬态仿真验证改进实际设计。论文针对采用水冷散热的富士功率模块进行瞬态仿真计算,对比了450 A工况下常规模式和输出频率为50 Hz、20Hz、10Hz、5Hz和2Hz情况下功率模块IGBT的温度响应情况。结果表明,随着IGBT输出频率的降低,最高温度逐步升高,其中5 Hz和2 Hz最高温度分别为162℃和181℃,与常规模式相比分别提高了39℃和58℃。 展开更多
关键词 新能源汽车 汽车控制器 igbt 输出频率 瞬态仿真 散热
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基于列车运行图的CRH3牵引变流器IGBT模块寿命预测 被引量:2
6
作者 黄先进 杜田倩 +2 位作者 王风川 陈澄 孙湖 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第S01期172-180,共9页
器件的寿命与列车的运行状况有着密切的关系,现有变流器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的寿命预测,考虑的工况大多都是额定工况或最大负荷工况。高速列车牵引变流器工况与工业变流器工况完全不同,需要结合实际运行图来考虑。如何提取... 器件的寿命与列车的运行状况有着密切的关系,现有变流器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的寿命预测,考虑的工况大多都是额定工况或最大负荷工况。高速列车牵引变流器工况与工业变流器工况完全不同,需要结合实际运行图来考虑。如何提取实际运行图关键数据,将变流器中IGBT的特性从整车运行中提取出来是一个关键性问题。在多运行工况下研究IGBT的寿命才能更加符合实际的寿命情况。传统的仿真系统是在逆变器侧构建牵引、制动等工况,该文设计更为简便的方法在整流器侧直接构建牵引、制动等工况的变化,将列车的多运行工况的变化反映到整流器直流侧的电流变化,进而反映到IGBT的电气特性的变化。最后,基于京津城际线路的任务剖面搭建仿真模型得到多运行工况下的IGBT结温变化,并分析IGBT的寿命。 展开更多
关键词 多运行工况 igbt 寿命 整流器 能量传递 损耗计算
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Characteristics of Bi-2223 HTS Tapes Under Short-Circuit Current Impacts in Hybrid Energy Transmission Pipelines
7
作者 Yuguang Sun Chao Yin +2 位作者 Weizhen Li Xinyang Li Xiaohua Jiang 《CSEE Journal of Power and Energy Systems》 SCIE EI CSCD 2024年第2期736-745,共10页
A hybrid energy transmission pipeline is proposed with the aim of long-distance cooperative transmission of electricity and chemical fuels, which is composed of an inner high-temperature superconducting (HTS) power ca... A hybrid energy transmission pipeline is proposed with the aim of long-distance cooperative transmission of electricity and chemical fuels, which is composed of an inner high-temperature superconducting (HTS) power cable and outer liquefied natural gas (LNG) pipeline. The flowing LNG could maintain the operating temperature of the inner HTS power cable within the range of 85 K-90 K, thus the Bi-2223 superconductors in the HTS power cable produce little Joule loss with the transmission current below the critical current. Owing to the advantages of high power density, low transmission losses and economical manufacturing costs, the hybrid energy transmission pipeline is expected to be widely utilized in the near future. In order to ensure the safety of the HTS power cable and explosive LNG in case of short-circuit faults, this paper tests and analyzes the characteristics of Bi-2223 HTS tapes of the Type HT-CA, Type HT-SS and Type H models under short-circuit current impacts at the LNG cooling temperature (85 K-90 K). An experimental platform is designed and established for the ampacity tests of HTS tapes above LN2 cooling temperature (77 K). The AC over-current impact tests at 85 K-90 K are carried out on each sample of Bi-2223 tapes respectively, and the experimental results are analyzed and compared to evaluate their performances under different operating conditions. The results indicate that the Type HT-CA tape can withstand 50 Hz short-circuit current impact with the amplitude of 1108 A (10 times of critical current Ic ) for 100 ms at 90 K, and its resistance is the smallest of the three tested samples under similar current impacts. Therefore, the Type HT-CA Bi-2223 tape is the optimal superconductor of the HTS power cable in the hybrid energy transmission pipeline. 展开更多
关键词 Bi-2223 high-temperature superconducting(HTS)tape critical current hybrid energy transmission pipeline liquefied natural gas(LNG)cooling temperature short-circuit current impact characteristics
原文传递
1.2 kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT的结构设计及特性研究
8
作者 马丽 康源 +2 位作者 李旖晨 王云飞 王馨梅 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第3期163-168,共6页
提出了一种1.2kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧化槽结构增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之间的短路电阻,从而从根本上消除了传统结构的电... 提出了一种1.2kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧化槽结构增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之间的短路电阻,从而从根本上消除了传统结构的电压折回(Snapback)现象。为了不增加工艺难度,氧化槽的宽度和栅极的宽度完全一致。研究了氧化槽的深宽比对Snapback现象的影响规律,以及氧化槽之间N^+ Collector与P^+ Collector掺杂长度对器件特性的影响。结果表明,新结构的设计能完全消除Snapback现象,且相较传统结构,元胞尺寸减小了一半,并且器件恢复损耗降低了30%。 展开更多
关键词 RC-igbt 电压折回 氧化槽 恢复损耗
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IGBT瞬态短路失效分析及其有限元热电耦合模型研究 被引量:1
9
作者 窦智峰 晋玉祥 郭新飞 《轻工学报》 CAS 2018年第6期101-108,共8页
针对传统热网络模型不适用于IGBT短路情况下结温测量的问题,通过现场瞬态短路破坏性试验,在分析现场瞬态短路情况下IGBT失效机理的基础上,界定了IGBT短路失效时的临界能量值,发现了临界能量值在不同初始温度和不同母线电压情况下的演化... 针对传统热网络模型不适用于IGBT短路情况下结温测量的问题,通过现场瞬态短路破坏性试验,在分析现场瞬态短路情况下IGBT失效机理的基础上,界定了IGBT短路失效时的临界能量值,发现了临界能量值在不同初始温度和不同母线电压情况下的演化规律,并建立了有限元热电耦合模型.结果表明,随着直流母线电压、初始温度和电流密度的增加,IGBT的短路维持时间和临界能量值会大幅度减小,而IGBT发生失效的临界温度点与初始温度的大小无关;在短路过程中IGBT失效前热量的传递仅达到焊料层,且短路瞬间其结温最高点分布在耗尽层的边界处. 展开更多
关键词 绝缘栅型晶闸管 瞬态短路 结温测量 临界能量值 有限元热电耦合模型
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基于IGBT中频感应加热造纸烘缸系统的设计与实现 被引量:5
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作者 张伟 麻红昭 张华 《轻工机械》 CAS 2006年第4期11-14,共4页
介绍了电磁感应加热的基本原理,详细说明了PWM串联型中频感应电源的原理及各部分组成。分析了当前造纸厂广泛采用的蒸气加热烘缸和油加热烘缸的弊端,首次提出将感应加热原理应用到造纸烘缸加热中,并设计和实现了一套中型感应加热电磁烘... 介绍了电磁感应加热的基本原理,详细说明了PWM串联型中频感应电源的原理及各部分组成。分析了当前造纸厂广泛采用的蒸气加热烘缸和油加热烘缸的弊端,首次提出将感应加热原理应用到造纸烘缸加热中,并设计和实现了一套中型感应加热电磁烘缸及控制系统。近一年的运行表明电磁烘缸系统稳定可靠,温度控制平稳,有操作简便、节能、无污染、可自塑化等特点,有很大的市场推广潜力。 展开更多
关键词 感应加热 igbt 烘缸 节能 环保 串级控制
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新能源-驱动力及其自动控制的草根高技术——电力电子的功率器件IGBT/IPM和基础技术PWM
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作者 沈经 《仪器仪表标准化与计量》 2009年第4期3-7,共5页
应对能源与气候变化的挑战,发展新能源成为大趋势。新能源的核心高技术是新材料和通用基础技术IPM、PWM。通过日企自主研发电力电子/自动控制草根技术,并集成到风电、核电、太阳能光伏电等新能源领域为例,说明自主研发基础技术的重要性。
关键词 新能源-驱动力 草根高科技 绝缘栅双极型晶体管 智能功率模块 脉宽调制 功率因子
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一种具有独特导通机理的新型超结IGBT 被引量:5
12
作者 王永维 陈星弼 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期545-548,600,共5页
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA-MEDICI仿真验证,超结IGBT耐压能力和正向导通能力都明显优于普通IGBT。并且发现,不同N柱、P柱掺杂浓度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之... 首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA-MEDICI仿真验证,超结IGBT耐压能力和正向导通能力都明显优于普通IGBT。并且发现,不同N柱、P柱掺杂浓度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之间相互改变,而这一特性是超结IGBT所独有的。也正是这一特殊的导通机理使得超结IGBT的Eoff-Von关系得到了突破性的改进。此外,结合超结技术的基本理论详细分析了电荷非平衡效应对超结IGBT器件耐压能力的影响,给出了耐压区N柱、P柱掺杂浓度的合理取值范围。 展开更多
关键词 超结 绝缘栅双极晶体管 电荷非平衡 击穿电压 导通压降 关断损耗
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缓变场终止型IGBT特性的仿真 被引量:1
13
作者 匡勇 贾云鹏 +4 位作者 金锐 吴郁 屈静 苏洪源 李蕊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期29-33,43,共6页
为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管(GFS-IGBT)的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值... 为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管(GFS-IGBT)的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值掺杂浓度为3.5×10^15cm^-3的缓变场终止层。采用Sentaurus TCAD仿真软件,对600 V/20 A的FS-IGBT与GFS-IGBT和非穿通型IGBT(NPT-IGBT)在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真。结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗。最后介绍了一种针对600 V IGBT器件的缓变场终止结构的制造技术。 展开更多
关键词 缓变掺杂 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 通态压降 关断损耗 场终止结构
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一种馈能式IGBT串联动态均压电路 被引量:1
14
作者 李黎 李杨 罗洋 《低压电器》 2013年第20期38-42,共5页
在分析绝缘栅双极晶体管(IGBT)动态电压分布机理的基础上,针对IGBT集-射极电压斜率不同引起电压不均衡问题,提出一种集-射极电压斜率变化的馈能式动态均压电路。该电路具有快速性好、损耗小、可靠性高等优点。通过建立IGBT串联仿真电路... 在分析绝缘栅双极晶体管(IGBT)动态电压分布机理的基础上,针对IGBT集-射极电压斜率不同引起电压不均衡问题,提出一种集-射极电压斜率变化的馈能式动态均压电路。该电路具有快速性好、损耗小、可靠性高等优点。通过建立IGBT串联仿真电路,对该动态均压电路进行仿真验证。结果表明,该动态均压电路在IGBT串联运行时不仅能够很好地抑制因IGBT集-射极电压斜率不同步造成的电压不均衡,而且能够有效防止过电压的发生,确保了IGBT串联的安全运行。 展开更多
关键词 igbt 串联 动态电压不均衡 斜率变化 馈能式
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电力电子器件IGBT在新能源汽车中的选用与保护 被引量:2
15
作者 王东旭 赵雅芸 马继晶 《电子测试》 2022年第1期131-133,138,共4页
随着现代社会电力电子器件的发展,其使用范围越来越广。本文介绍了电力电子器件的类别及特点,分析了IGBT在新能源汽车中的使用以及保护措施,例如:器件的耐压选择、栅极与发射极电压的确定等。这对未来了解与研究IGBT这类电力电子器件提... 随着现代社会电力电子器件的发展,其使用范围越来越广。本文介绍了电力电子器件的类别及特点,分析了IGBT在新能源汽车中的使用以及保护措施,例如:器件的耐压选择、栅极与发射极电压的确定等。这对未来了解与研究IGBT这类电力电子器件提供了参考。 展开更多
关键词 电力电子器件 igbt 新能源汽车
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基于IGBT的新型固态直流断路器设计与分析 被引量:7
16
作者 丁璨 聂太平 +2 位作者 陈天凡 田小健 袁召 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期17-24,共8页
直流断路器是柔性直流输电系统组网的关键设备,对直流输配电网的安全性、稳定性有着重要的意义。文中提出了一种基于绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的新型固态直流断路器拓扑,在提高断路器切断电流能力的... 直流断路器是柔性直流输电系统组网的关键设备,对直流输配电网的安全性、稳定性有着重要的意义。文中提出了一种基于绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的新型固态直流断路器拓扑,在提高断路器切断电流能力的同时,提高了避雷器和IGBT的使用寿命。通过引入接地引流二极管,减轻避雷器吸收能量的压力,加快电流分断的速度。基于所提拓扑设计了10 kV的直流断路器模型,在PSCAD/EMTDC中进行了验证,仿真结果表明:基于所提出的方案,最大开断电流可达5kA,故障电流转移到主断流支路的时间为0.4 ms,避雷器吸收能量的时间为1.89 ms,同时减少了避雷器吸收的能量,符合直流断路器的设计要求。文中的仿真结果验证了该方案的可行性。 展开更多
关键词 固态直流断路器 igbt 拓扑结构 避雷器吸能 故障电流
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电池储能系统换流桥IGBT开路故障诊断方法 被引量:2
17
作者 钱德周 徐习东 《能源工程》 2015年第2期45-50,共6页
针对电池储能系统换流桥器件IGBT发生故障时,会导致电压电流的畸变,影响电能质量,严重时会对储能系统的安全运行造成威胁这一问题,分析了换流桥IGBT开路故障时的特性,并在PSCAD/EMTDC环境下搭建电池储能系统模型对IGBT的开路故障进行了... 针对电池储能系统换流桥器件IGBT发生故障时,会导致电压电流的畸变,影响电能质量,严重时会对储能系统的安全运行造成威胁这一问题,分析了换流桥IGBT开路故障时的特性,并在PSCAD/EMTDC环境下搭建电池储能系统模型对IGBT的开路故障进行了仿真研究。在分析和仿真研究的基础上,提出了一种适用于电池储能系统的换流桥IGBT阀开路故障诊断方法。 展开更多
关键词 电池储能系统 igbt 开路故障 故障诊断
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一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究 被引量:4
18
作者 苏芳文 毛鸿凯 +2 位作者 隋金池 林茂 张飞 《电子科技》 2021年第1期31-35,59,共6页
针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构。通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N+缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N+缓... 针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构。通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N+缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N+缓冲层施主浓度,折中了器件正向压降与关断能量损耗。在器件关断过程中,N+缓冲层中处于反向偏置状态的PN结对N-漂移区中电场分布起到优化作用,加速了N-漂移区中电子抽取,在缩短器件关断时间和降低关断能量损耗的同时提升了击穿电压。Silvaco TCAD仿真结果显示,新型沟槽栅4H-SiC IGBT击穿电压为16 kV,在15 kV的耐压设计指标下,关断能量损耗低至4.63 mJ,相比传统结构降低了40.41%。 展开更多
关键词 4H-SIC igbt 击穿电压 关断能量损耗 正向压降 Silvaco TCAD
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大功率IGBT短路能量的分析研究 被引量:1
19
作者 杨璐 王雷 李守蓉 《机车电传动》 北大核心 2019年第2期54-56,61,共4页
针对大功率IGBT短路保护技术,详细介绍了IGBT短路及其保护原理,通过不同工作电压下短路试验波形验证了IGBT短路时间与其工作电压密切相关,得出了IGBT工作电压越高短路时间越短的反比关系,最后通过短路试验数据拟合曲线分析证明了不同工... 针对大功率IGBT短路保护技术,详细介绍了IGBT短路及其保护原理,通过不同工作电压下短路试验波形验证了IGBT短路时间与其工作电压密切相关,得出了IGBT工作电压越高短路时间越短的反比关系,最后通过短路试验数据拟合曲线分析证明了不同工作电压下IGBT的短路能量相同。 展开更多
关键词 短路保护 igbt退饱和 驱动器 短路时间 igbt短路能量 高速动车组
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短路电流阈值对IGBT元胞热特性影响的研究
20
作者 夏超 杨猛 +1 位作者 陈滔 张明华 《新技术新工艺》 2022年第5期39-44,共6页
简述了大功率IGBT短路机理的类型,从IGBT元胞本身的电流负载特性出发,分析了短路工况下的芯片自热效应,指出了IGBT短路承受能力的限制因素。以英飞凌公司的FF1400R17IP4功率模块为例,通过对芯片实际尺寸的分析得到了短路保护时间的常规... 简述了大功率IGBT短路机理的类型,从IGBT元胞本身的电流负载特性出发,分析了短路工况下的芯片自热效应,指出了IGBT短路承受能力的限制因素。以英飞凌公司的FF1400R17IP4功率模块为例,通过对芯片实际尺寸的分析得到了短路保护时间的常规方案,对元胞级建模仿真使IGBT在短路大电流工况下高温失效区的研究得到了进一步细化,说明了IGBT元胞热效应与母线电压的相关性,为后续的研究提供了支撑。 展开更多
关键词 短路机理 igbt退饱和 短路阈值时间 igbt短路能量
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