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基于长短期记忆神经网络参数辨识的IGBT模块老化判据
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作者 金声超 罗玮 +2 位作者 暨力 黄晓宏 吴文宝 《电气应用》 2024年第11期96-103,共8页
铝键合线脱落或者断裂是造成IGBT内部失效的主要原因,由于应用者无法观测到模块内部,从而无法正确认识模块的失效情况,安全措施不及时,导致系统发生更严重故障。研究了考虑杂散参数的多芯片封装高压大功率IGBT模块的工作特性,以某品牌... 铝键合线脱落或者断裂是造成IGBT内部失效的主要原因,由于应用者无法观测到模块内部,从而无法正确认识模块的失效情况,安全措施不及时,导致系统发生更严重故障。研究了考虑杂散参数的多芯片封装高压大功率IGBT模块的工作特性,以某品牌三芯片并联结构IGBT模块的内部封装特性作为研究基础,分析了模块工作状态随栅极电容与寄生电感差异变化关系。重点研究了模块内部芯片间铝键合线的寄生参数,构建了基于长短期记忆神经网络的杂散参数辨识方法,提出了一种可快速精确诊断IGBT内部缺陷与失效率的方案。仿真和实验验证了该方案的正确性。 展开更多
关键词 igbt缺陷/失效 铝键合线 长短期记忆神经网络(LSTM) 参数辨识
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