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基于长短期记忆神经网络参数辨识的IGBT模块老化判据
1
作者
金声超
罗玮
+2 位作者
暨力
黄晓宏
吴文宝
《电气应用》
2024年第11期96-103,共8页
铝键合线脱落或者断裂是造成IGBT内部失效的主要原因,由于应用者无法观测到模块内部,从而无法正确认识模块的失效情况,安全措施不及时,导致系统发生更严重故障。研究了考虑杂散参数的多芯片封装高压大功率IGBT模块的工作特性,以某品牌...
铝键合线脱落或者断裂是造成IGBT内部失效的主要原因,由于应用者无法观测到模块内部,从而无法正确认识模块的失效情况,安全措施不及时,导致系统发生更严重故障。研究了考虑杂散参数的多芯片封装高压大功率IGBT模块的工作特性,以某品牌三芯片并联结构IGBT模块的内部封装特性作为研究基础,分析了模块工作状态随栅极电容与寄生电感差异变化关系。重点研究了模块内部芯片间铝键合线的寄生参数,构建了基于长短期记忆神经网络的杂散参数辨识方法,提出了一种可快速精确诊断IGBT内部缺陷与失效率的方案。仿真和实验验证了该方案的正确性。
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关键词
igbt缺陷/失效
铝键合线
长短期记忆神经网络(LSTM)
参数辨识
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职称材料
题名
基于长短期记忆神经网络参数辨识的IGBT模块老化判据
1
作者
金声超
罗玮
暨力
黄晓宏
吴文宝
机构
智信能源科技有限公司
出处
《电气应用》
2024年第11期96-103,共8页
基金
IGBT功能测试技术研究及装置开发(JEPCC-KYXM-2022-034)。
文摘
铝键合线脱落或者断裂是造成IGBT内部失效的主要原因,由于应用者无法观测到模块内部,从而无法正确认识模块的失效情况,安全措施不及时,导致系统发生更严重故障。研究了考虑杂散参数的多芯片封装高压大功率IGBT模块的工作特性,以某品牌三芯片并联结构IGBT模块的内部封装特性作为研究基础,分析了模块工作状态随栅极电容与寄生电感差异变化关系。重点研究了模块内部芯片间铝键合线的寄生参数,构建了基于长短期记忆神经网络的杂散参数辨识方法,提出了一种可快速精确诊断IGBT内部缺陷与失效率的方案。仿真和实验验证了该方案的正确性。
关键词
igbt缺陷/失效
铝键合线
长短期记忆神经网络(LSTM)
参数辨识
Keywords
igbt
defect and failure
aluminium bonding wires
long short term memory
parameter identification
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于长短期记忆神经网络参数辨识的IGBT模块老化判据
金声超
罗玮
暨力
黄晓宏
吴文宝
《电气应用》
2024
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