基于加速老化试验IGBT性能退化特征参量的可靠性评估

IGBT模块广泛应用于功率变流装置中,是变流装置中最为核心的器件之一,也是变流装置中最易失效的器件之一,对IGBT模块进行可靠性评估对提高变流装置的可靠性具有重要意义。本文提出一种基于IGBT模块性能退化特征参量的可靠性评估方法,该方法利用能够直接反映模块健康状态的特征参量进行可靠性评估,不需要考虑运行条件和运行环境的影响,可以解决在较少失效时间数据或没有失效时间数据时传统可靠性评估方法受限的问题。本文首先介绍了该评估方法的原理和思路;其次,对IGBT模块失效机理和特性进行分析,选取饱和压降作为性能退化特征参量;再次,对IGBT模块进行加速老化试验快速获取特征参量的变化情况;最后,利用退化数据对IGBT模块的可靠性进行评估。

英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片可提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性

德国慕尼黑讯-英飞凌科技股份公司发布一款采用可控逆导型IGBT。在同一芯片上集成了IGBT和续流二极管的6．5kV功率模块。新发布的这款RCDC（二极管可控逆导型IGBT）IGBT芯片，非常适合现代高速列车和高性能电力机车，以及未来的HVDC输电系统和传动装置。较之安装尺寸相同的前几代模块，采用RCDCIGBT的模块电流密度提高了33％，散热性能也有所增强。因此，它可以延长产品工作寿命并提高可靠性，进而最大限度降低系统维护工作量。

如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战

尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时-这是我们行业中不断强调的目标之--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗?如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上,就不需要拋硬币了。在IGBT模块中,芯片面积减小导致了热阻抗的增加,进而影响性能。但是,由于较小的芯片在基板上释放了更多的空间,因此有可能利用这些新的可用空间来优化模块的布局。在这篇丈章中,我们将探讨如何调整模块设计来改善热性能。下篇将探讨如何改善电气性能。

具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3.3kV IGBT3芯片技术

本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。

具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3．3kV IGBT3芯片技术

本文介绍了新一代IHM．B具备更强机械性能的高功率IGBT模块，其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHMB模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3．3kV IGBT3芯片，在保持机械兼容性的同时，极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。

如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战

尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗?如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上,就不需要抛硬币了。在IGBT模块中,芯片面积减小导致了热阻抗的增加,进而影响性能。但是,由于较小的芯片在基板上释放了更多的空间,因此有可能利用这些新的可用空间来优化模块的布局。在这篇文章中,我们将探讨如何调整模块设计来改善热性能。下篇将探讨如何改善电气性能。

牵引用3300V IGBT芯片均匀性及其对可靠性的影响

为满足轨道交通领域牵引用3300 V IGBT芯片应具有优良的栅极控制特性、较低的通态压降和较宽的安全工作区的要求,对3300 V IGBT芯片工艺进行了深入研究。在工艺控制和关键工艺改进方面采取措施,全面提升了牵引用3300 V IGBT芯片在栅极特性、电压阻断、导通特性和安全工作区等方面的表现,进而大幅度提高了芯片的可靠性。

英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片

英飞凌科技股份公司发布一款采用可控逆导型IG—BT，在同一芯片上集成了IGBT和续流二极管的6．5kV功率模块。新发布的这款RCDC（二极管可控逆导型IG—BT）IGBT芯片，非常适合现代高速列车和高性能电力机车，以及未来的HVDC输电系统和传动装置。较之安装尺寸相同的前几代模块，采用RCDCIGBT的模块电流密度提高了33％，散热性能也有所增强。因此，它可以延长产品工作寿命并提高可靠性，进而最大限度减小系统维护工作量。

基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究

提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律。在此基础上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法。仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性。该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值。

意法半导体推出最新器件

意法半导体是专用模拟芯片和电源转换芯片制造商,工业半导体和机顶盒芯片供应商,还涉及分立器件、手机相机模块、车用集成电路、高性能微控制器、安全型智能卡芯片和微机电系统(MEMS)器件等。