一种通道复用的高可靠性隔离IGBT栅极驱动器

采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明:采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧.

ADI推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器

Analog Devices,Inc.（ADI）,全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器,其可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。单封装ADuM4135集成ADI公司备受赞誉的i Coupler誖数字隔离器技术,通过成熟的电流隔离技术来确保安全性和可靠性,同时实现业界最佳的特性组合——CMTI（共模瞬变抗扰度）为100 k V/μs且传播延迟为50ns（典型值）。

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117

:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制 ,同时剖析了它的内部结构和工作原理 。

混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A-IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路

本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路(IC)。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能,然后介绍电平下移功能。之后,还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路,它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A/600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器,而且适用于混合动力电动汽车。

前沿技术 如何优化隔离栅级驱动电路?标准栅极驱动光电耦合器如何工作?

栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器,来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET或IGBT的栅极输入供应所需的峰值充电电流,来打开器件。该目标通过向功率半导体的栅极提供正压(V_(OH))来实现。若要关闭MOSFET或IGBT,需拉起驱动器件的栅极至0电压(V_(OL))或更低。

一种内置隔离电源的混合集成IGBT驱动器

对自带隔离电源的IGBT驱动器QP12WO5S-37的功能原理进行了说明。包括驱动信号的隔离与传输、驱动放大、过流与短路保护、软关断,自恢复等特性,并给出了相关的实测波形及应用要点。

IGBT栅极驱动器FAN8800及其应用

FAN8800是Fairchild公司生产的IGBT驱动器单片IC ,可用于驱动分立和模块式IGBTs ,也可用来驱动功率MOSFET。文中介绍了FAN8800的特点、功能以及应用电路。

一种用于GaN FET的双通道电容隔离式栅极驱动器设计

针对氮化镓功率器件(GaN FET)栅极驱动电路应用,本文设计了一款具有4 kVRMS隔离电压能力的双通道电容隔离式栅极驱动器,采用通-断键控(on-off keying,OOK)、脉冲双模式,分别应对高速、低速信号传输;采用商用半导体工艺中金属层作为基板,并采用聚酰亚胺(polyimide,PI)层作为介质层,形成较高耐压的电容,电容典型值为90 fF;采用微电流振荡器作为芯片核心振荡器,使振荡频率达到600 MHz的同时具有较低功耗,保证高速信号的有效传输。基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺设计验证,此驱动器电路的共模脉冲抑制(common mode transient immunity,CMTI)能力高达100 kV/μs,数据典型传输延时小于20 ns,典型传输速率可达10 Mbit/s。

基于电磁隔离的1.7kV IGBT驱动器

分析了IGBT驱动器应该具备的基本功能,设计了一种基于电磁隔离的IGBT驱动器,并进行了斩波与短路试验研究。试验结果表明,该驱动器驱动特性和保护性能好,能满足1.7 k V IGBT器件应用要求。

隔离栅极驱动器

Si828x隔离栅极驱动器系列产品，其设计旨在保护电源逆变器和电机驱动应用中敏感的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。Si828x系列产品在具有成本效益的单个器件中集成了可靠的隔离、先进的栅极驱动技术和快速过流监视能力，该设计旨在保护昂贵的IGBT开关。

Zetex推出新型高速栅极驱动器开关功率MOSFET及IGBT

Zetex日前推出用于开关电源和电机驱动的全新MOSFET及IGBT产品。这款型号为ZXGD3000的低成本双极栅极驱动器系列产品能灌人高达9A的电流，栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快，有助于加快开关时间，提高电路效率。

TI发布适用于高压应用的隔离式栅极驱动器

TI发布5．7kVRMs隔离式双通道栅极驱动器，该产品是T幛鬲离产品组合中新型栅极驱动器家族的第一款产品。因其高度的灵活性和通用兼容性，UCC21520N离式驱动器能够广泛地用于低端、高端、高端／低端或半桥电源管理设计。

广州金升阳公司自带隔离电源的混合集成型IGBT驱动器

0P12W05S-37是MORNSUN在原来QC962的基础上开发出来的一款自带隔离电源的混合集成型IGBT驱动器，该9区动器较0C962的优势在于自带隔离DC-DC电源，无需用户单独考虑配套电源的选择，方便用户的使用，同时由于自带隔离电源，其分布参数更小，工作更安全可靠，使系统的布置和安装更为简便。

德州仪器栅极驱动器旨在满足IGBT与SiCFET设计需求

日前，德州仪器（TI）宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管（IGBT）与碳化硅（SiC）FET的35v单通道输出级电源管理栅极驱动器。T1支持拆分输出的最新UCC27531与UCC27532输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力，以充分满足太阳能DC／AC逆变器、不问断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。

隔离式栅极驱动器揭秘

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT,通常须将一个电压施加于栅极(相对于器件的源极/发射极而言[QC1])。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流[QC2]。本文讨论栅极驱动器是什么,为何需要栅极驱动器,以及如何定义其基本参数,如时序、驱动强度和隔离度。

隔离式栅极驱动器的重要特性

探讨了IGBT隔离式栅极驱动器的重要特性。

ADI公司推出小型隔离式栅极驱动器

ADI宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而设计,同时仍然提供对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)配置的开关特性的可靠控制。

适用于高压应用的隔离式栅极驱动器

UCC21520为对系统防护和可靠性有高要求的高压应用而开发，可提供5．7kVRMS的增强隔离，其浪涌抗扰度经测试高达12．8kV，

适用于高压应用的隔离式栅极驱动器

UCC21520是业内最快的5．7kVRMS隔离式双通道栅极驱动器，是TI隔离产品组合中新型栅极驱动器家族的第一款产品。