逆变焊机IGBT驱动及保护电路的比较分析

通过对逆变焊机IGBT驱动及保护电路的分析与改造,提高了焊机的性能,大大降低了IGBT模块的损坏几率。

基于IR22141的IGBT驱动及保护电路设计

IGBT的驱动电路是应用IGBT开关管的关键技术,一个性能好的驱动电路不仅能够有效地驱动IGBT,而且能够可靠地保护IGBT。本文介绍了一种基于IR22141芯片的大功率IGBT驱动及保护电路的设计以及运用。

基于HCPL-316J的IGBT驱动及保护电路的设计

在变频器和逆变器中,IGBT扮演着十分重要的角色。IGBT运行的稳定性,是变频器(逆变器)工作可靠性的保证。同时,IGBT的故障保护也是变频器(逆变器)设计过程中的重要环节。本文以HCPL-316J光耦合芯片为主,联合Infineon的FP50R12KT4型号IGBT为例,设计IGBT的驱动及保护电路,并通过实验验证该电路的可靠性。

一种灵活可靠的IGBT驱动电路设计

在当今减碳排放背景下,全控型功率器件IGBT以优异的性能广泛用于各种变流器中,有效可靠的驱动电路对IGBT的安全工作至关重要,特别是大功率应用场合。针对大功率IGBT应用中对驱动电路灵活可靠的要求,设计了一种基于智能集成光耦驱动器ACPL-332J的IGBT驱动保护电路,分析了ACPL-332J的各项参数,并以ACPL-332J为核心设计了驱动电路。以英飞凌FF600R12ME4为应用IGBT,通过双脉冲试验、短路试验验证了设计电路驱动及保护的有效性。

基于IGBT电磁感应驱动电路的功率脉宽驱动应用研究

在大功率应用中,IGBT驱动电路需要有较好的驱动特性,其可靠性将决定整个系统能否正常运行。本文以2ED020I12-F2为驱动芯片,研究IGBT模块在大功率模块中的应用,通过光纤传输技术,将驱动信号与反向激励隔离开来,以提高IGBT的驱动性。

GaN驱动芯片的增强型抗干扰欠压保护电路

针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大电路回差电压,极大提高了电路的抗干扰能力。电源上电至预设电压后,系统解除保护锁定,GaN器件通路开启,电源驱动后级GaN器件栅极,实现GaN器件欠压保护功能,提高稳定性。采用0.18μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,电源上电至8.5 V时,电路解除欠压保护功能,带隙基准电路输出1.5×10^(-5)/℃高精度5 V电压至GaN驱动电路栅端。电源下电至8 V时,电路启动欠压保护功能,芯片系统关断,实现GaN器件保护功能。回差电压为0.5 V,静态电流为60μA。该欠压保护电路满足低温度系数、低功耗、高回差电压等要求。

基于SS-EWT的IGBT驱动电路早期故障诊断

驱动电路是绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)正常运行的重要保障。本文基于模拟电路早期故障理论,针对以EXB841驱动模块为核心的300 A/1200 V快速型IGBT驱动电路,提出了一种基于尺度空间(Scale Space,SS)改进的经验小波变换(Empirical Wavelet Transform,EWT)和误差反向传播神经网络(Back Propagation Neural Network,BPNN)相结合的早期故障诊断方法。首先在分析驱动电路硬件结构及工作原理的基础上,对其驱动功能和短路保护功能的主要元件进行灵敏度分析,分别选取相应的早期故障诊断元件;其次通过故障注入获取检测点输出数据,采用SS-EWT对数据处理后构造早期故障特征向量;最后采用BPNN对特征向量进行训练以实现对早期故障模式的识别。针对短路保护元件部分故障类别难以区分的问题,采用再训练对诊断方法进行优化。仿真结果表明,采用基于SS-EWT的早期故障诊断方法处理驱动功能元件及短路保护元件早期故障时准确率分别能达到91.04%和96.05%。

有源电力滤波器驱动保护电路的设计及仿真分析

本文根据有源电力滤波器的应用环境和运行特点,设计了IGBT驱动保护电路,并对保护效果展开了仿真验证。采用RCD吸收电路实现过电压保护,利用过电流检测与“软关断”方法实现过电流保护,运用散热片和温控开关实现过热保护。根据设计方案,使用Multisim 14.0仿真软件,分别进行了驱动电路正常工作仿真和瞬时过流故障仿真。结果表明,在正常工况下,输出驱动信号的仿真值与理论值十分接近;在发生瞬时过流故障时,经过1μs的延时后触发保护动作,在故障排除后电压缓慢恢复至正常电压,达到了驱动保护目的。

基于ACPL-332J的IGBT驱动电路设计

简述了变频器主电路和相关原理,基于ACPL-332J芯片详细设计了变频器全控型功率元件IGBT驱动及其故障保护电路;将其与ABB公司5SNA0800J450300型号的IGBT连接,应用在3300 V矿用变频器中。结果表明:该驱动电路可靠性高、适应性强,可以在中压大功率传动方面得到广泛地应用。

IGBT中频电源改造及驱动保护电路方案验证

主要介绍了一个应用在真空感应精密铸造炉上的IGBT串联谐振式中频电源改造方案。电力开关元件、调功方式、IGBT驱动保护电路设计等关键点的方案比较及选择。最后,经实施验证,方案成功有效。

IGBT驱动及短路保护电路研究

首先讨论了对IGBT的保护以及对其驱动电路的基本要求,然后基于IGBT集电极退饱和原理,作者提供了一个具有完善短路保护功能的IGBT驱动电路。分析及试验结果表明,该电路简单、实用、可靠性高。

碳化硅MOSFET驱动电路的研究与设计

随着碳化硅功率器件技术的不断发展,碳化硅功率器件发展优势明显,将逐步成为未来主流功率半导体器件。多家公司推出了多款碳化硅MOSFET,但是对于高压应用的碳化硅MOSFET驱动产品还处于半空白状态。文章针对A公司FF11MR12W1M1B11型碳化硅模块的驱动进行了研究与设计,在满足碳化硅驱动电流的基础上,增加了有源钳位保护、退饱和保护、故障信号反馈功能。有源钳位保护电路中具有动态有源钳位设计,在MOSFET关断时,降低嵌位电压来快速保护MOSFET,静态时抬高嵌位电压防止误动作。退饱和保护电路检测到故障后可迅速关闭驱动,并将故障信号进行反馈。通过双脉冲测试,验证了文中设计的驱动板功能,对FF11MR12W1M1B11型碳化硅模块在后续项目中的应用具有重要意义。

一种简单的IGBT驱动和过流保护电路

讨论了IGBT驱动电路对其静态和动态特性的影响以及对驱动电路与过流保护电路的要求。利用IGBT的通态饱和压降与集电极电流呈近似线性关系的特性,设计了一个具有完善的过流保护功能的IGBT驱动电路。经分析和实验表明,该电路具有简单、实用、可靠性高等优点。

数字IGBT驱动保护电路设计

中大功率的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),都需要单独的IGBT驱动电路,传统的驱动电路采用模拟电路来实现无源电阻性门极控制的方案存在一定的缺陷。提出以FPGA为核心,利用数字技术实现可分级控制的有源门极驱动方案,并利用数字控制器的优点,实现对IGBT的实时监测和保护。

基于EXB841的IGBT驱动保护电路的设计

分析了IGBT驱动保护模块EXB841的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路IG-BT模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行。

一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计

叙述了绝缘栅双极型晶体管IGBT对驱动和保护电路的要求以及设计其驱动和保护电路时应注意的问题。以EXB841为例,介绍了一种实用的功率IGBT驱动和保护电路。该电路具有很好的性能。

带过流和短路保护的IGBT驱动电路研究

提出了慢降栅压的ＩＧＢＴ保护技术；

半桥逆变IGBT模块压电驱动与保护电路设计

介绍了半桥逆变电路的工作方式,探讨了IGBT静态特性及动态开关过程,对正常工作和过流故障时的原理进行了分析,给出了IGBT驱动和保护的详细电路。三菱公司CT60AM设计的实际电路已在某研究所大功率并联多余度逆变电源上可靠运行。应用表明该驱动及保护电路结构简单,抗干扰能力强,证明了该方案的合理性、可靠性。

IGBT逆变器的驱动与新型保护电路设计

介绍了 EXB840芯片内部结构 ,给出了 IGBT逆变器的驱动电路和微机保护电路 ,并说明了这些电路的工作原理 ,这两个电路已应用成功。

IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究

通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-316J的应用。