VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．

紫外发光的半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备与性质

利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ＺｎＯ粉末有所减小,并更具择优取向的趋势．室温下光致发光测量给出,ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜在小于３８０ｎｍ的紫外波段出现较强的半宽小于２０ｎｍ的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ＺｎＯ粉末有明显改善,表明这种ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜具有优良的紫外发光特性．

欧盟为5G打造Ⅲ-Ⅴ族CMOS技术

欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合Ⅲ-Ⅴ族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。

ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长

利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432arcsec增大到529arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00nm增大到3.70nm。当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求。

ZnSeTe薄膜的分子束外延生长

研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品呈现出单一的闪锌矿晶体结构。在450和550℃氮气氛保护下对Zn Se0.70Te0.30样品做了快速热退火处理,退火后发现其晶体质量和表面形貌都得到了明显改善：双晶X射线摇摆曲线（DCXRC）（004）衍射峰的半峰宽（FWHM）从0.707 7°降低至0.571 9°,表面均方根粗糙度从2.44 nm降低至1.34 nm。采用点In电极做室温Hall测试的结果显示,本征ZnSeTe薄膜表面In电极之间的电阻值很高,外延薄膜呈现载流子浓度很低的高阻状态。

基于TMD材料的CMOS反相器电路研究现状

对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS_(2)、WSe_(2)等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述。总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体管器件的研究进展。对基于TMD的集成电路技术研究进行了介绍与分析。分别在结构设计、集成工艺、性能优化及电路集成等方面对基于TMD材料的CMOS反相器电路进行了总结与分析。介绍了两种集成结构及对应的工艺流程,详细分析了CMOS反相器电路性能优化的方法。最后指出了目前的关键挑战及未来的发展趋势。

Cd掺杂Zn0阵列纳米梳子

作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子。这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线能量损失谱仪(EDS)、选区电子衍射仪(SAED)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米梳子的臂直径为15-50 nm、臂长为400 nm,它们都有单晶的结构及相应的生长机制为传统的气固生长机制。

有色矿综合回收和深度加工创值日最新线索[续一]

锑（之二） 四、锑化物光导电导纤维 1.光导纤维材料 （1）含Sb2O370,PbCl330克分子％的混合物在600—800℃氮气气氛下加热熔化成氧氯化物玻璃。这种玻璃具有便于加工成片或丝的热特性,宜作红外光传导材料。 （2）（Ge0.42S0.58）1-x （Sb0.4 S0.6）x类型的硫族化物玻璃,含锑复合卤化物玻璃或两者联合也可作高效率、低光耗的光导纤维材料。 （3）As-Ge-Sb硫族化物玻璃毛细管（外径300—500微米,内径100—300微米）,轻巧柔软,用于CO2激光体可见激光传输。 （4）SnO2,Sb2O3,In2O3金属氧化物熔化拉丝,表面涂以有机材料涂层,也是一种光导纤维。

例析“碳族元素 无机非金属材料”的考查方式

一、以元素周期表为载体考查对碳族元素性质的递变规律、碳族元素的共性等的掌握情况例1(1)在元素周期表中。

离子注入对ZnTe:O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响

II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解决.采用氧离子注入方式,在非平衡条件下对碲化锌(Zn Te)单晶材料实现了等电子掺杂,深入研究了离子注入对Zn Te:O材料的微观结构和光学特性的影响.研究表明:注入合适浓度的氧离子(2.5×1018cm-3)将会形成晶格应变,并诱导1.80 e V(导带下0.45 e V)中间带的产生;而较高浓度(2.5×1020cm-3)的氧离子会导致Zn Te注入层表面非晶化,并增强与锌空位相关的深能级(～1.6 e V)发光.时间分辨光致发光结果显示,离子注入诱导形成的中间带主要是和氧等电子陷阱束缚的局域激子发光有关,载流子衰减寿命较长(129 ps).因此,需要降低晶格紊乱度和合金无序,实现电子局域态向扩展态的转变,从而有效调控中间带能带结构.