不同工艺参数对DP780内高压成形D柱型面凹陷的影响

目的:通过控制内高压成形工艺参数,降低超高强度钢DP780内高压成形D柱型面凹陷量。方法:基于Autoform有限元模拟软件,仿真分析了DP780内高成形D柱在不同低压压力、不同低压合模高度、不同高压压力下,各参数对于凹陷量的影响,并通过样件试制验证分析结果。结果:采用DP780材料的内高压成形D柱,通过仿真参数设定,分别单独改变低压压力、低压合模高度、高压压力,并保持其余两组参数一致,结果发现,随着低压压力的增加,凹陷量减小。随着低压合模高度的增加,凹陷量减小。随着高压压力的增加,凹陷量减小。通过样件试制验证,采用与仿真分析一致的参数,实测样件凹陷量变化与仿真结果趋势一致,同时实测凹陷量略大于仿真分析结果。结论:通过优化低压内高压成形工艺参数,可以降低DP780材料D柱的凹陷量,改善零件成形性。

雌二醇及雌激素受体抑制剂对卵巢癌SKOV3细胞凋亡及其PTEN、GSK3β、cyclinD1蛋白表达的影响

目的:探讨雌二醇(E2)与雌激素受体抑制剂ICI182,780作用后,对卵巢癌SKOV3细胞凋亡及磷脂酰肌醇/蛋白激酶B(PI3K/AKT)信号通路上蛋白表达的影响,明确E2及其受体抑制剂对SKOV3细胞作用的机制。方法:采用流式细胞技术检测普通培养液(对照组)、浓度为10-7mol/L的E2(E2组)和相同浓度E2与ICI182,780(E2+ICI182,780组)作用SKOV3细胞后不同时间段(24、48小时)SKOV3细胞凋亡率的变化,Western-Blot法检测E2与ICI182,780作用SKOV3细胞后不同时间段(0、1、2、6、12、24小时)PI3K/AKT信号通路相关分子的蛋白表达。结果:①E2组作用SKOV3细胞24、48小时后SKOV3细胞凋亡率明显低于对照组(P<0.05);E2+ICI182,780组作用SKOV3细胞24、48小时后SKOV3细胞凋亡率明显高于对照组(P<0.05)。②E2上调SKOV3细胞人第10号染色体缺失的磷酸酶及张力蛋白同源基因(PTEN)、p-PTEN、磷酸化糖原合成酶激酶3β(p-GSK3β)、细胞周期素D1(cyclinD1)蛋白表达;ICI182,780在不同程度上拮抗以上的作用,但是二者对GSK3β蛋白表达均无影响。结论:E2激活SKOV3细胞内的PI3K/AKT信号传导通路,促使通路上蛋白磷酸化,最终抑制细胞凋亡;雌激素受体抑制剂ICI182,780可抑制E2对PI3K/AKT信号传导通路的激活作用,从而促进细胞凋亡。

三星SGH-E780

拥有15．5mm超薄机身的E780是三星E系列首部200万像素手机．并且各种主流功能应有尽有。该机内置MP3播放器．支持MP3／AAC／AAC＋等格式音乐播放并支持3D音效，均衡器效果选择（经典／爵士／摇滚）．视觉效果／循环模式等选择．也具备后台播放功能。能够在欣赏音乐的同时发送短信或是查看．浏览手机通讯录。此外，E780还具备Java MIDP2.0。长时间录音以及USB连接和蓝牙功能。并支持“蓝牙打印”以及可无线欣赏音乐的“立体声蓝牙耳机”功能。但遗憾的是，除了80MB内存．该机不支持存储卡扩展。