针对高应变InGaAs/GaAs多量子阱中存在的局域态问题,利用金属有机化合物气相外延(MOCVD)技术,设计并生长了五周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs高应变多量子阱材料。通过原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)和变温光致发光(Photolum...针对高应变InGaAs/GaAs多量子阱中存在的局域态问题,利用金属有机化合物气相外延(MOCVD)技术,设计并生长了五周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs高应变多量子阱材料。通过原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)和变温光致发光(Photoluminescence,PL)测试,发现量子阱内部存在缺陷及组分波动的材料无序性表现,验证了多量子阱内部局域态的存在及起源。同时发现在不同测试位置,局域态在低温下对光谱的影响也不同,分别表现为双峰分布和峰位“S”型变化。这进一步说明材料内部无序化程度不同,导致局域态的深度也不同。依据温度-带隙关系的拟合,提出了包含局域态的多量子阱材料的电势分布,并揭示了局域态载流子和自由载流子的复合机制。并且借助变功率PL测试,研究了在不同激发功率密度下不同深度的局域态的发光特性。展开更多
讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型...讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 。展开更多
通过采用经过优化的新型大光腔结构 ,脊形波导 980 nm单模 In Ga As/Ga As/Al Ga As多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角 .结果表明波导中的光功率密度可以降低 ,获得了大于40 0 m W、斜率效率 0 .89W/...通过采用经过优化的新型大光腔结构 ,脊形波导 980 nm单模 In Ga As/Ga As/Al Ga As多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角 .结果表明波导中的光功率密度可以降低 ,获得了大于40 0 m W、斜率效率 0 .89W/A的输出光功率 ,垂直方向远场发散角也降低到 2展开更多
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ...用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。展开更多
用 PL谱测试研究了 Ga As和不同 In组份 Inx Ga1 - x As(x=0 .1,0 .2 ,0 .3)覆盖层对分子束外延生长的 In As/Ga As自组织量子点发光特性的影响 .用 Inx Ga1 - x As外延层覆盖 In As/ Ga As量子点 ,比用 Ga As做覆盖层其发光峰能量向低...用 PL谱测试研究了 Ga As和不同 In组份 Inx Ga1 - x As(x=0 .1,0 .2 ,0 .3)覆盖层对分子束外延生长的 In As/Ga As自组织量子点发光特性的影响 .用 Inx Ga1 - x As外延层覆盖 In As/ Ga As量子点 ,比用 Ga As做覆盖层其发光峰能量向低能端移动 ,发光峰半高宽变窄 ,量子点发光峰能量随温度的红移幅度变小 .理论计算证实这是由于覆盖层 Inx Ga1 - x As减小了 In As表面应力导致发光峰红移 ,而 In元素有效抑制了 In As/ Ga As界面组份的混杂 ,量子点的均匀性得到改善 ,PL 谱半高宽变窄 .用 In Ga As覆盖的 In0 .5 Ga0 .5 As/ Ga As自组织量子点实现了 1.3μm发光 ,室温下 PL谱半高宽为 19.2 me V。展开更多
The resonant excitation is used to generate photo-excited carriers in quantum wells to observe the process of the carriers transportation by comparing the photoluminescence results between quantum wells with and witho...The resonant excitation is used to generate photo-excited carriers in quantum wells to observe the process of the carriers transportation by comparing the photoluminescence results between quantum wells with and without a p-n junction. It is observed directly in experiment that most of the photo-excited carriers in quantum wells with a p-n junction escape from quantum wells and form photoeurrent rather than relax to the ground state of the quantum wells. The photo absorption coei^cient of multiple quantum wells is also enhanced by a p-n junction. The results pave a novel way for solar cells and photodetectors making use of low-dimensional structure.展开更多
文摘针对高应变InGaAs/GaAs多量子阱中存在的局域态问题,利用金属有机化合物气相外延(MOCVD)技术,设计并生长了五周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs高应变多量子阱材料。通过原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)和变温光致发光(Photoluminescence,PL)测试,发现量子阱内部存在缺陷及组分波动的材料无序性表现,验证了多量子阱内部局域态的存在及起源。同时发现在不同测试位置,局域态在低温下对光谱的影响也不同,分别表现为双峰分布和峰位“S”型变化。这进一步说明材料内部无序化程度不同,导致局域态的深度也不同。依据温度-带隙关系的拟合,提出了包含局域态的多量子阱材料的电势分布,并揭示了局域态载流子和自由载流子的复合机制。并且借助变功率PL测试,研究了在不同激发功率密度下不同深度的局域态的发光特性。
文摘讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 。
文摘通过采用经过优化的新型大光腔结构 ,脊形波导 980 nm单模 In Ga As/Ga As/Al Ga As多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角 .结果表明波导中的光功率密度可以降低 ,获得了大于40 0 m W、斜率效率 0 .89W/A的输出光功率 ,垂直方向远场发散角也降低到 2
文摘用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。
文摘用 PL谱测试研究了 Ga As和不同 In组份 Inx Ga1 - x As(x=0 .1,0 .2 ,0 .3)覆盖层对分子束外延生长的 In As/Ga As自组织量子点发光特性的影响 .用 Inx Ga1 - x As外延层覆盖 In As/ Ga As量子点 ,比用 Ga As做覆盖层其发光峰能量向低能端移动 ,发光峰半高宽变窄 ,量子点发光峰能量随温度的红移幅度变小 .理论计算证实这是由于覆盖层 Inx Ga1 - x As减小了 In As表面应力导致发光峰红移 ,而 In元素有效抑制了 In As/ Ga As界面组份的混杂 ,量子点的均匀性得到改善 ,PL 谱半高宽变窄 .用 In Ga As覆盖的 In0 .5 Ga0 .5 As/ Ga As自组织量子点实现了 1.3μm发光 ,室温下 PL谱半高宽为 19.2 me V。
基金Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 11574362,61210014,and 11374340the Innovative Clean-Energy Research and Application Program of Beijing Municipal Science and Technology Commission under Grant No Z151100003515001
文摘The resonant excitation is used to generate photo-excited carriers in quantum wells to observe the process of the carriers transportation by comparing the photoluminescence results between quantum wells with and without a p-n junction. It is observed directly in experiment that most of the photo-excited carriers in quantum wells with a p-n junction escape from quantum wells and form photoeurrent rather than relax to the ground state of the quantum wells. The photo absorption coei^cient of multiple quantum wells is also enhanced by a p-n junction. The results pave a novel way for solar cells and photodetectors making use of low-dimensional structure.
