1
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极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征 |
赵见国
殷瑞
徐儒
倪海彬
陶涛
庄喆
严羽
谢自力
刘斌
常建华
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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2
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MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究 |
殷鑫燕
陈鹏
梁子彤
赵红
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《人工晶体学报》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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3
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InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文) |
陈志忠
秦志新
杨志坚
童玉珍
丁晓民
张国义
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
3
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4
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InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱 |
陈志忠
秦志新
杨志坚
童玉珍
丁晓民
张国义
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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5
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InN材料及其应用 |
谢自力
张荣
毕朝霞
刘斌
修向前
顾书林
江若琏
韩平
朱顺明
沈波
施毅
郑有炓
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《微纳电子技术》
CAS
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2004 |
7
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6
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Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算 |
董成军
陈青云
徐明
周海平
段满益
胡志刚
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《四川师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
6
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7
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InN薄膜的退火特性 |
谢自力
张荣
修向前
毕朝霞
刘斌
濮林
陈敦军
韩平
顾书林
江若琏
朱顺明
赵红
施毅
郑有炓
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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8
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InN和GaN系衬底材料的研究和发展 |
徐军
周圣明
杨卫桥
夏长泰
彭观良
蒋成勇
周国清
邓佩珍
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《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
2
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9
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不同价态Mn掺杂InN电子结构、磁学和光学性质的第一性原理研究 |
徐大庆
赵子涵
李培咸
王超
张岩
刘树林
童军
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
2
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10
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InN材料及器件的最新研究进展 |
丁少锋
范广涵
李述体
郑树文
陈琨
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《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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11
|
InN纳米线材料的特性和制备技术 |
谢自力
张荣
修向前
刘斌
江若琏
顾书林
韩平
赵红
朱顺明
施毅
郑有炓
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《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
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2005 |
1
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12
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在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究 |
卢朝靖
李金华
段晓峰
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《电子显微学报》
CAS
CSCD
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2006 |
3
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13
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在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN |
谢自力
张荣
修向前
毕朝霞
刘斌
濮林
陈敦军
韩平
顾书林
江若琏
朱顺明
赵红
施毅
郑有炓
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
1
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14
|
影响InN材料带隙的几个关键问题 |
董少光
李炳乾
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《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
2
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15
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国际非专利药品名(INN)在我国生物制品命名领域的应用 |
任跃明
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《中国药品标准》
CAS
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2008 |
4
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16
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压力对岩盐相InN电子结构和光学性质的影响 |
许明耀
徐明
段满益
胡庆平
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《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
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2010 |
0 |
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17
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MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究(英文) |
秦志新
陈志忠
童玉珍
陆曙
张国义
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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18
|
Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响 |
肖红领
王晓亮
韩勤
王军喜
张南红
徐应强
刘宏新
曾一平
李晋闽
吴荣汉
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
0 |
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19
|
GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响 |
刘斌
张荣
谢自力
修向前
李亮
刘成祥
韩平
郑有炓
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
0 |
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20
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MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究 |
秦志新
陈志忠
童玉珍
陆曙
张国义
|
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
0 |
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