表面In掺杂TiO2的N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率

采用溶胶-凝胶法制备出In表面修饰的TiO2(TiO2-Inx%)纳米粒子,x%代表在In掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量.利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2-联吡啶-4,4-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂,制备出N719/TiO2/FTO(氟掺杂锡氧化物)和N719/TiO2-Inx%/FTO染料敏化薄膜电极.光电转换效率实验表明,在薄膜电极+0.5mol.L-1LiI+0.05mol.L-1I2的三甲氧基丙腈(MPN)溶液+Pt光电池体系中,N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率均高于N719/TiO2/FTO,其中N719/TiO2-In0.1%/FTO的光电转换效率比N719/TiO2/FTO提高了20%.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、漫反射吸收光谱(DRS)、荧光(PL)光谱和表面光电流作用谱确定了TiO2-Inx%样品中In3+离子的存在方式和能带结构;利用表面光电流作用谱研究了N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光致界面电荷转移过程.结果表明,In3+离子在TiO2表面形成O-In-Cln(n=1,2)物种,该物种的表面态能级位于导带下0.3eV处;在光电流产生过程中,O-In-Cln(n=1,2)表面态能级有效地抑制了光生载流子在TiO2-Inx%层的复合,促进了阳极光电流的增加,从而导致N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转化效率高于N719/TiO2/FTO,并进一步讨论了光致界面电荷转移的机理.

IBM和Xilinx公司准备利用300mm晶圆生产第一个90nm芯片

IBM和赛灵思公司近日宣布双方在合作生产90纳米芯片方面迈出了重要一步,这将可能是全球第一块90纳米芯片。利用IBM公司最先进的基于铜互连的90nm半导体制造工艺技术。

长链非编码RNA DEANR1等在肺癌中的表达

目的探讨长链非编码RNA(lncRNA)DEANR1、INXS、ANCR、FENDRR等在肺癌中的表达。方法选取2018年1~6月昆明医科大学第三附属医院收治的54例肺癌患者,其中鳞癌、腺癌、肺小细胞癌分别为28、22、4例。经手术获取癌组织、癌旁正常组织、肺癌淋巴结转移组织,提取总RNA,并采用SYBR Green实时荧光定量PCR检测基因的RNA表达量。结果 DEANR1、INXS、ANCR在癌组织中的相对表达量均高于癌旁正常组织(P <0.05)。淋巴结组织中ANCR、INXS的相对表达量与ki-67呈正相关(r=0.757,P=0.049;r=0.802,P=0.030)。结论 DEANR1、INXS、ANCR在癌组织中的相对表达量均升高,可能在肺癌的发生发展中起到促进作用,ANCR、INXS在淋巴结中的表达与ki-67呈正相关,可能与肺癌淋巴结转移及不良预后有关。

金属Cr阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(In,Ga)Se_2太阳电池性能的影响

研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散进入吸收层中的Fe元素以FeInSe2的形式存在,并形成FeCu等深能级缺陷,钝化了器件的性能.相同工艺条件下,在玻璃、不锈钢以及不锈钢/Cr阻挡层上所制备电池的(有效面积0·87cm2)转换效率分别为10·7%,7·95%和8·58%,不锈钢衬底电池效率的提高归因于Cr阻挡层的作用.

MOCVD制备In_xGa_(1-x)N/GaN MQWs的温度依赖性

利用方势阱模型对Inx Ga1-xN／GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析．并在MO源流量恒定条件下，在570℃～640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验，对Inx Ga1-xNs制备过程中的In组份掺入效率的温度依赖关系进行研究．通过对制备样品的PL谱测量分析，得到了587℃～600℃的In组份最佳掺入温度区间．

MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征

本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。

新型氧化剂邻碘酰萘甲酸对甾体羟基选择性氧化的研究

以1-萘睛为原料,经4步反应合成了一个新型氧化剂邻碘酰萘甲酸(o-iodoxynaphthoicacid,INX),总收率为38.5%.通过对甾体不同位置羟基的氧化,发现INX是一个温和的氧化剂,对含有两个或者三个羟基甾体的氧化体现了它具有一定的选择性氧化能力.

AgGa_(0.2)In_(0.8)Se_2晶体小温度梯度生长与性质表征

利用单温区机械振荡法合成出高纯单相AgGa_0．2In_0．8Se_2多晶，单次合成量超过400g；DSC测试结果显示其熔点为782℃，结晶温度为771℃。利用坩埚下降法在小温度梯度（2℃／cm）下生长出尺寸为φ25mm×75mm高品质无开裂AgGa_0．2In_0．8Se_2单晶。解离面（112）面摇摆曲线半峰宽为0．056°。厚度为3mm双面抛光的（112）面晶片在1．5～18μm波段透过率为65．0％～67．5％，表明所生长AgGa_0．2In_0．8Se_2晶体具有较低的吸收系数，为0．01～0．1之间。

16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究

对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0~1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还发现在相同掺杂比例下模型具有不同对称属性,同一对称属性对应不同掺杂比例。论文还对其中4种情况的态密度进行计算,计算结果显示In掺杂的比例是影响GaAs超胞物理性质的重要因素,而对称性对物理性质的影响可以忽略不计。

相对拓扑空间的一些性质

在前人的研究基础上,证明了如果X是Hausdorff空间,Y在X中仿紧,那么Y在X中正则;并讨论了正则、正规、紧、仿紧、序列式空间的子空间的相对拓扑性质的遗传性质,从而推广了一些已知结果。

ROCKWELL PLC在卸船机控制系统设计中的应用

结合某电厂码头桥式抓斗卸船机的具体案例,分析了ROCKWELL可编程控制器(PLC)的特点和应用优势。在设计中充分利用Net Linx开放式网络架构,为控制系统构建了信息、控制、设备3层网络结构,实现了控制和管理功能;同时,根据受控对象的功能要求,对PLC的软件结构、数据文件以及专业控制模块做出了整体规划和具体设计。

NX草图分析在制动踏板设计中的应用

文章通过分析制动踏板设计过程的杠杆比、行程和上、下止点等已知条件,以及踏板关键尺寸的内在关系,利用设计辅助软件Siemens NX的草图分析功能确定制动踏板的关键尺寸,探讨针对运动机构尺寸设计的一种快捷、实用的设计方法。

如何输出为Interchange

这里将告诉大家如何输出InDesign CS2文档至Interchange（．inx）格式，启动后续兼容性并解释琐碎的问题。

正强化行为训练在圈养山魈行为管理中的应用

现代动物园中应用正强化行为训练来教授动物学习新行为或增加动物配合饲养员日常操作的期望行为。动物学习复杂期望行为过程中,需要先把要塑造的新行为分解为多个简单的步骤,再将每个小步骤组合起来达到最终期望的标准。福州动物园成年雄性山魈(Mandrillus sphinx)不易进笼,并在食物充足情况下,出现长时间蹲守投喂点,驱赶弱势群体成员的现象。训练员运用正强化行为训练实现强势动物能按指令过笼、在内室进食、允许群体成员获取食物,以及降低弱势动物的恐惧感,获得良好的效果。同时降低了饲养员的日常操作难度,为山魈种群良性互动打下了基础。

关于相对分离性的一些研究

本文对相对分离性进行了研究,得到了一些新的结论.