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紧凑结构的宽带毫米波单片IQ混频器的设计①
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作者 李芹 徐雷钧 李伟 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1299-1303,共5页
采用0.15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26—40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器。该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构,并把螺旋型Marchand巴伦(平衡一不平衡变换器)用于本振端和射频端,将... 采用0.15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26—40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器。该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构,并把螺旋型Marchand巴伦(平衡一不平衡变换器)用于本振端和射频端,将单端信号转换成差分信号,极大地缩小了芯片的面积,整块芯片面积为1.5mm×1.35mm。芯片在片测试结果表明混频器性能良好,变频损耗在26—40GHz射频频带范围内为-6.5-~13dB,中频带宽为DC~6GHz,镜像抑制度(IMRR)在18~26dB之间,本振到射频的隔离度大于23dB,本振到中频的隔离度大于29dB,射频到中频的隔离度大于26dB。 展开更多
关键词 iq混频器 耦合器 巴伦 变频损耗 镜像抑制度 单片电路
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Self-Oscillating Mixer(SOM) With 0.18 μm CMOS Technology
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作者 Masoud Sabaghi Sayed Reza Hadianamrei +2 位作者 Bahareh Rezaei Mehdi Rahnama Maziyar Niyakan Lahiji 《International Journal of Communications, Network and System Sciences》 2011年第11期739-743,共5页
self-oscillating mixer is introduced in this paper, with fundamental signal generated by the oscillator subcircuit in the process of mixing. The oscillator core consumes 3 mA of the current from a 1.8 V DC supply and ... self-oscillating mixer is introduced in this paper, with fundamental signal generated by the oscillator subcircuit in the process of mixing. The oscillator core consumes 3 mA of the current from a 1.8 V DC supply and leads to an output power of –0.88 dBm per oscillator, and a measured phase noise of –91, –102 and –107 dBc/Hz at 100 KHz, 600 KHz and 1 MHz from the carrier, respectively. The proposed mixer achieved IIP3 of 0 dBm in the process of mixing, with conversation gain of 1.93 dB. Designing and simulation the circuit was done in 0.18 μm CMOS technology by ADS2010. 展开更多
关键词 Self-Oscillating mixer (SOM) VCO CMOS up-conversation mixer
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基于65nm CMOS工艺的毫米波正交上变频混频器设计
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作者 金宁彬 文进才 《微电子学与计算机》 2023年第2期146-154,共9页
针对射频发射机中镜像干扰信号难以滤除的问题,基于65 nm CMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的宽带正交上变频混频器.电路核心部分采用了改进的吉尔伯特混频器结构,通过电流复用跨导级和负阻技术来提高混频器的转换增益.在混频器射... 针对射频发射机中镜像干扰信号难以滤除的问题,基于65 nm CMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的宽带正交上变频混频器.电路核心部分采用了改进的吉尔伯特混频器结构,通过电流复用跨导级和负阻技术来提高混频器的转换增益.在混频器射频输出端,基于变压器巴伦,设计了面积小、结构简单的信号合成电路,用于四路射频信号到单端信号的转换以及输出端阻抗匹配.同时,在本振输入端,设计了差分正交耦合器生成四路正交本振信号.仿真结果显示,正交上变频混频器电路在35~45 GHz频率范围内,实现了最大4.53 dB的转换增益.输出1 dB压缩点达到3.25 dBm,镜像抑制度在20 dB以上,本振到射频的端口隔离度在27 dB以上.无源电路的小型化设计使得芯片的总面积仅为0.327mm^(2).在1.2V的直流偏置电压下,芯片功耗仅为28.6 mW. 展开更多
关键词 毫米波 正交上变频混频器 65nm CMOS 耦合器
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宽带微波单片正交混频器的设计 被引量:3
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作者 罗光 徐锐敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S1期287-290,共4页
本文采用WIN 0.15um GaAs PHEMT工艺设计了一款6~10GHz的微波无源单片集成正交混频器。由于在本振端和射频端都采用了螺旋型的Marehand巴伦结构,从而使芯片面积得到了极大的改善,芯片的总面积为1.5mm×1.15mm。在所要求的频率范围之... 本文采用WIN 0.15um GaAs PHEMT工艺设计了一款6~10GHz的微波无源单片集成正交混频器。由于在本振端和射频端都采用了螺旋型的Marehand巴伦结构,从而使芯片面积得到了极大的改善,芯片的总面积为1.5mm×1.15mm。在所要求的频率范围之内,ADS仿真结果表明:变频损耗小于10d B,典型值为7d B;镜频抑制大于25d B,典型值是35d B;LO到RF的隔离度大于40d B,本振到中频的隔离度大于20d B,射频到中频的隔离度大于30d B。 展开更多
关键词 正交混频器 镜频抑制 变频损耗 单片微波集成电路
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32-38GHz谐波镜像抑制混频器MMIC的设计 被引量:1
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作者 马凯文 杨漫菲 +1 位作者 王磊 延波 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S1期206-209,共4页
本文设计了一种宽带高镜像抑制能力的MMIC混频器。其射频RF的工作频率在32GHz到38Ghz之间,本振LO工作在15GHz到20GHz频带之间,中频IF的工作范围从DC直流到3GHz.该镜像抑制混频器由两个谐波混频器,一个功分器以及一个90°兰格电桥(La... 本文设计了一种宽带高镜像抑制能力的MMIC混频器。其射频RF的工作频率在32GHz到38Ghz之间,本振LO工作在15GHz到20GHz频带之间,中频IF的工作范围从DC直流到3GHz.该镜像抑制混频器由两个谐波混频器,一个功分器以及一个90°兰格电桥(Lange Coupler)组成,具有两个中频端口(IF1、IF2分别对应IQ正交信号)。该混频器均可实现上变频和下变频。采用0.15μm p HEMT的WIN半导体工艺,芯片面积为1.56mm×1.39mm.测试结果表明:在工作频带内,典型变频损耗小于14.5d B,镜像抑制大于30d B,射频输入功率P_1d B为0d Bm.该混频器单片结构紧凑,性能良好,非常有利于作为单个器件使用或者集成到TR收发组件中。 展开更多
关键词 谐波混频器 iq中频 高镜像抑制 MMIC
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6~18GHz宽带正交混频器 被引量:1
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作者 黄存根 《电子信息对抗技术》 2008年第2期66-69,共4页
介绍了一种6~18GHz小型化正交混频器。该正交混频器在所要求的频率范围内达到以下性能指标:变频损耗优于10dB,典型值8dB;镜像抑制度优于18dB,典型值25dB;LO到RF、RF到IF的隔离优于25dB,LO到IF的隔离优于20dB,典型值均为30dB。... 介绍了一种6~18GHz小型化正交混频器。该正交混频器在所要求的频率范围内达到以下性能指标:变频损耗优于10dB,典型值8dB;镜像抑制度优于18dB,典型值25dB;LO到RF、RF到IF的隔离优于25dB,LO到IF的隔离优于20dB,典型值均为30dB。同时,测试结果表明该混频器具有良好的可靠性和一致性。 展开更多
关键词 正交混频器 变频损耗 镜像抑制 隔离
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基于RC-CR多相网络的镜频抑制接收机MMIC
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作者 王宗成 黄红云 +1 位作者 赵宇 付兴昌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期499-504,共6页
基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相网络滤波器等电路单元,实现了S波段单片镜频抑制接收机,解决了镜... 基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相网络滤波器等电路单元,实现了S波段单片镜频抑制接收机,解决了镜频接收机小型化的问题。电路、电磁场软件仿真以及采用Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺流片后的结果表明,在S波段实现了噪声系数小于1.8 dB,增益大于12 dB,中频(150±5)MHz带内镜频抑制大于35 dBc的技术指标。MMIC的芯片尺寸为4.8 mm×2.5 mm×0.07 mm。此镜频抑制接收机MMIC具有指标优异、体积小、集成度高的特点,可广泛用于各种需小型化的相控阵雷达和通信系统中。 展开更多
关键词 单片微波集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 镜频抑制 多相网络 差分iq混频器
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Design of ultralow power receiver front-ends for 2.4 GHz wireless sensor network applications
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作者 张萌 李智群 +2 位作者 王曾祺 吴晨健 陈亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第1期104-111,共8页
This paper presents the design of an ultralow power receiver front-end designed for a wireless sensor network (WSN) in a 0.18 μm CMOS process. The author designs two front-ends working in the saturation region and ... This paper presents the design of an ultralow power receiver front-end designed for a wireless sensor network (WSN) in a 0.18 μm CMOS process. The author designs two front-ends working in the saturation region and the subthreshold region respectively. The front-ends contain a two-stage cross-coupling cascaded common-gate (CG) LNA and a quadrature Gilbert IQ mixer. The measured conversion gain is variable with high gain at 24 dB and low gain at 7 dB for the saturation one, and high gain at 22 dB and low gain at 5 dB for the subthreshold one. The noise figure (NF) at high gain mode is 5.1 dB and 6.3 dB for each. The input 1 dB compression point (IPldB) at low gain mode is about -6 dBm and -3 dBm for each. The front-ends consume about 2.1 mA current from 1.8 V power supply for the saturation one and 1.3 mA current for the subthreshold one. The measured results show that, comparing with the power consumption saving, it is worth making sacrifices on the performance for using the subthreshold technology. 展开更多
关键词 receiver front-end wireless sensor network (WSN) VG-LNA iq-mixer low power subthresholdbiased
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