期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
通用集成电路
1
《电子产品世界》
2003年第10B期88-89,共2页
关键词
MOSFET芯片组
irf6608
转换器LTC3205
IRF7492
时钟发生器
CY25100
高电流低压降芯片
下载PDF
职称材料
IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组
2
《世界电子元器件》
2003年第10期79-79,共1页
功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同...
功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。
展开更多
关键词
国际整流器公司
DIRECTFET
MOSFET芯片组
导热性能
降压转换器
irf6608
下载PDF
职称材料
超小型优化DirectFET MOSFET芯片组
3
《今日电子》
2003年第9期74-74,共1页
关键词
DIRECTFET
MOSFET
功率转换电路
irf6608
下载PDF
职称材料
题名
通用集成电路
1
出处
《电子产品世界》
2003年第10B期88-89,共2页
关键词
MOSFET芯片组
irf6608
转换器LTC3205
IRF7492
时钟发生器
CY25100
高电流低压降芯片
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组
2
出处
《世界电子元器件》
2003年第10期79-79,共1页
文摘
功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。
关键词
国际整流器公司
DIRECTFET
MOSFET芯片组
导热性能
降压转换器
irf6608
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
超小型优化DirectFET MOSFET芯片组
3
出处
《今日电子》
2003年第9期74-74,共1页
关键词
DIRECTFET
MOSFET
功率转换电路
irf6608
分类号
TM42 [电气工程—电器]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
通用集成电路
《电子产品世界》
2003
0
下载PDF
职称材料
2
IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组
《世界电子元器件》
2003
0
下载PDF
职称材料
3
超小型优化DirectFET MOSFET芯片组
《今日电子》
2003
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部