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利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路
1
作者
向李艳
邬齐荣
+1 位作者
龚敏
陈畅
《现代电子技术》
2007年第20期29-32,共4页
传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例...
传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的。
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关键词
一片上静电保护
CMOS
SCR
ise—tcad
下载PDF
职称材料
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路
2
作者
向李艳
邬齐荣
+1 位作者
龚敏
陈畅
《电子与封装》
2007年第8期30-33,38,共5页
传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人...
传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。
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关键词
静电保护
ise—tcad
可控硅整流器
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职称材料
题名
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路
1
作者
向李艳
邬齐荣
龚敏
陈畅
机构
四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室
出处
《现代电子技术》
2007年第20期29-32,共4页
文摘
传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的。
关键词
一片上静电保护
CMOS
SCR
ise—tcad
Keywords
on - chip ESD protection
CMOS
SCR
ise
-
tcad
分类号
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路
2
作者
向李艳
邬齐荣
龚敏
陈畅
机构
四川大学物理科学与技术学院
出处
《电子与封装》
2007年第8期30-33,38,共5页
文摘
传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。
关键词
静电保护
ise—tcad
可控硅整流器
Keywords
ESD protection
ise
-
tcad
SCR
分类号
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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1
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路
向李艳
邬齐荣
龚敏
陈畅
《现代电子技术》
2007
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职称材料
2
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路
向李艳
邬齐荣
龚敏
陈畅
《电子与封装》
2007
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职称材料
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