利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化

利用现场水汽生成(in-situsteamgeneration,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0·76nm降到了0·16nm,49点厚度值的标准偏差从0·25nm降到了0·04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4·3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实际生产具有重要意义.

利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性

利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。