ISV86 Schottky二极管结半径与反向漏电之间的关系

本文介绍了ISV86Schottky二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Schottky终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因，推算了无保护环Schottky二极管（USDB）终端结半径与其Ⅰ─Ⅴ特性的数学关系。然后利用这些数学表达式进行了模拟。模拟结论有效地指导了ISV86的开发，使ISV86电性能在满足国外同类产品要求的同时，反向漏电降低了一个数量级。