期刊文献+
共找到2,437篇文章
< 1 2 122 >
每页显示 20 50 100
ITO nano-powders prepared by microwave-assisted co-precipitation in aqueous phase 被引量:2
1
作者 朱协彬 姜涛 +1 位作者 邱冠周 黄伯云 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2009年第S3期752-756,共5页
By using microwave-assisted co-precipitation in aqueous phase, adding surface activation agent PEG-6000 into the mixture of InCl3 solution and SnCl4 solution, and dropping the ammonia solution with the density (volume... By using microwave-assisted co-precipitation in aqueous phase, adding surface activation agent PEG-6000 into the mixture of InCl3 solution and SnCl4 solution, and dropping the ammonia solution with the density (volume ratio) of 1-0 to 1-4, ITO precursor was prepared at different reaction system temperatures of 35 ℃-85 ℃, then ITO nano-powder was obtained after it was calcinated at 800 ℃ for 1 h. The morphology of ITO nano-powder was characterized by SEM and its electrical conductivity was determined by conductivity meter. The effects of different temperatures and ammonia concentration in microwave-assisted reaction system on its morphology and electric conductivity were discussed. The experimental results indicate that with the dilution of the ammonia solution or the rise of reacting system temperature, the morphology of ITO particles is transformed from spherical to rod-like one with the decline of its electric conductivity. And the electric conductivity of ITO nano-powders with spherical morphology is higher than that of ITO nano-powders with rod-like morphology. 展开更多
关键词 ito nano-powdER surface activation agent PEG-6000 microwave assistance CO-PRECIPITATION aqueous phase
下载PDF
Preparation of ITO nano-powders by hydrothermal-calcining process 被引量:3
2
作者 古映莹 秦利平 刘雪颖 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2006年第4期389-392,共4页
Sn-doped In2O3(ITO) nano-powders were prepared by hydrothermal-calcining process. Using SnCl4·5H2O and In as starting materials, the crystallites were characterized by XRD, TEM and BET. The effects of the condi... Sn-doped In2O3(ITO) nano-powders were prepared by hydrothermal-calcining process. Using SnCl4·5H2O and In as starting materials, the crystallites were characterized by XRD, TEM and BET. The effects of the conditions on the product were investigated. The results show that the phase of hydrothermal precursor obtained by hydrothermal process is related to the temperature of hydrothermal reaction, i.e., the phases are amorphous In(OH)3 in 160-180℃; In(OH)3 crystal in 200℃ and (In 1-x Snx)OOH crystal in 200-300℃. ITO nano-powders with hexagonal structure and average size of 65 nm are obtained by calcining the precursor derived from the hydrothermal process at 350-650℃. The BET of ITO crystal can reach 84.0234m2·g -1 . 展开更多
关键词 ito hydrothermal-calcining process hexagonal structure
下载PDF
ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究
3
作者 杨涛 陈彩明 +4 位作者 黄瑜佳 吴少平 徐华蕊 汪坤喆 朱归胜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1150-1159,共10页
随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)... 随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。 展开更多
关键词 ito薄膜 磁控溅射 AgNWs 导电网络 复合薄膜 光电性能 溅射温度
下载PDF
模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究
4
作者 姜峰 谭泽旦 +5 位作者 黄誓成 方志杰 陆映东 覃立仁 王永清 曾纪术 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期134-137,142,共5页
以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对... 以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。 展开更多
关键词 模压成型 氧化铟锡 导电薄膜 靶材 常压烧结 电阻率 致密化
下载PDF
Progress on grain growth dynamics in sintering of nano-powders 被引量:2
5
作者 LIU Chunjing WANG Xin JIANG Yanfei WANG Yongming HAO Shunli 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期471-475,共5页
Nanostructured materials, characterized by an ultrafine grain size, have stimulated much research interest by virtue of their unusual mechanical, electrical, optical, and magnetic properties. In this paper, the sinter... Nanostructured materials, characterized by an ultrafine grain size, have stimulated much research interest by virtue of their unusual mechanical, electrical, optical, and magnetic properties. In this paper, the sintering process of nano-powders were reviewed, to which sintering of the traditional materials compared. The microstructural development, i.e., grain growth and densification during sintering as well as the mechanism of crystal surface diffusion and boundary migration were analyzed, and the dynamic models on sintering process were summarized by the relationship of grain growth and pores size, interface diffusion, densification rate, and sintering temperature. Finally, the research tendency of this major on the basis of above models was discussed. 展开更多
关键词 nano-powders SINTERING grain boundary grain growth DYNAMICS
下载PDF
ITO负载单原子钇吸附NO和CO的第一性原理研究
6
作者 曹宇 吴海龙 +4 位作者 邱辰 张立志 王泽瑞 钟山 周晓龙 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第6期39-45,共7页
基于密度泛函理论,对氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)表面负载单原子Y模型的表面性能进行了第一性原理计算.根据表面能计算结果可知,单原子Y最稳定负载位置为空位(H),即确定了ITO负载单原子钇(Single-atom Y supported on ITO,Y/ITO)稳... 基于密度泛函理论,对氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)表面负载单原子Y模型的表面性能进行了第一性原理计算.根据表面能计算结果可知,单原子Y最稳定负载位置为空位(H),即确定了ITO负载单原子钇(Single-atom Y supported on ITO,Y/ITO)稳定模型.对ITO和Y/ITO表面吸附气体分子(NO和CO)模型的吸附性能进行了第一性原理计算.根据对比ITO和Y/ITO表面的吸附能和态密度计算结果可知,单原子钇负载提高了ITO表面的稳定性和吸附性能.根据对比Y/ITO表面吸附NO和CO气体分子的吸附能和态密度计算结果可知,NO和CO气体分子吸附均为自发行为,过程放热.且NO气体分子更容易吸附在Y/ITO表面,即Y/ITO对NO气体分子更敏感. 展开更多
关键词 NO CO 单原子钇 吸附 第一性原理 ito
下载PDF
ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究
7
作者 邱晓龙 孙兴伟 +3 位作者 刘寅 杨赫然 董祉序 张维锋 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期354-362,共9页
为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与... 为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。 展开更多
关键词 ito导电玻璃 材料去除机理 切削力 残余应力
下载PDF
基于聚吡咯纳米复合材料功能化的ITO传感器电控吸附溶出伏安法测定水环境中痕量Cr(Ⅵ)
8
作者 贾胜彬 司士辉 +2 位作者 陈金华 刘书平 张汶铮 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期641-647,共7页
基于ITO玻璃较低的背景电流、免打磨预处理等优势,结合还原氧化石墨烯(RGO)与纳米金/聚吡咯纳米复合物(AuNPs/Ppy)的电控吸附能力,构建了一种可代替传统固体(金、玻碳)电极的新型电化学传感器(RGO/AuNPs/Ppy-ITO),用于测定水环境中的痕... 基于ITO玻璃较低的背景电流、免打磨预处理等优势,结合还原氧化石墨烯(RGO)与纳米金/聚吡咯纳米复合物(AuNPs/Ppy)的电控吸附能力,构建了一种可代替传统固体(金、玻碳)电极的新型电化学传感器(RGO/AuNPs/Ppy-ITO),用于测定水环境中的痕量Cr(Ⅵ)。利用修饰电极表面大量含氮结构与正电位下的电控吸附作用,采用差分脉冲溶出伏安法记录Cr(Ⅵ)的还原峰曲线,在经优化的pH、富集电压与时间等条件下,测得Cr(Ⅵ)还原峰电流与检测浓度在1~1500μg/L范围之内线性关系良好,相关系数R^(2)=0.9973,检测限为0.83μg/L。相较于金电极测试结果,不仅解决了金电极表面状态不稳定导致重现性较差的缺点,且具备更高的灵敏度与较低的成本耗材,在对水环境中Cr(Ⅵ)的现场快速、痕量一次性检测方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电化学传感 ito电极 Cr(Ⅵ) 聚吡咯(Ppy)
下载PDF
ITO增强相对AgSnO_(2)电接触材料微观结构和性能的影响
9
作者 刘笑 李波 +4 位作者 周光华 吴小龙 王江 黄锡文 蒙柳方 《电工材料》 CAS 2024年第4期21-24,共4页
采用合金粉末预氧化法制备了新型AgSnO_(2)(10)ITO(5)电触头材料,并与相同氧化物含量的AgSnO_(2)(10)In_(2)O_(3)(5)进行了对比。结果表明,高含量的导电氧化物ITO替代In_(2)O_(3)后电寿命比AgSnO_(2)(10)In_(2)O_(3)(5)提升了30%,达到6... 采用合金粉末预氧化法制备了新型AgSnO_(2)(10)ITO(5)电触头材料,并与相同氧化物含量的AgSnO_(2)(10)In_(2)O_(3)(5)进行了对比。结果表明,高含量的导电氧化物ITO替代In_(2)O_(3)后电寿命比AgSnO_(2)(10)In_(2)O_(3)(5)提升了30%,达到6万次。连续通断试验后的电弧特性研究和形貌分析表明,球磨后的样品电弧能量平均值下降明显,熔焊力减少且稳定。表面烧蚀坑数量明显减少,存在大量沙粒状小液珠。导电氧化物ITO有望成为Ag基电触头材料的新型高含量氧化物掺杂物,具有潜在的研究价值。 展开更多
关键词 ito 电触头材料 球磨 电寿命
下载PDF
双膜层ITO/SiO_(2)薄膜制备及其膜电阻均匀性研究
10
作者 朱治坤 陈婉婷 +2 位作者 陈静 朱常青 刘荣梅 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期188-196,共9页
目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的... 目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的作用。方法利用磁控溅射法在TN玻璃基板上沉积生成SiO_(2)薄膜,然后再沉积氧化铟锡(ITO)薄膜,制备ITO/SiO_(2)薄膜样品。利用X射线衍射仪(XRD)、ST-21L型薄膜膜电阻测试仪、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)等仪器,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜样品的物相结构、表面形貌、截面膜层结构、元素分布与有膜电阻均匀性的关系,探讨了SiO_(2)薄膜结构与晶粒尺寸效应可能发挥的作用。结果(1)磁控溅射优化条件下,磁场强度为780~820 Gs,镀膜工件移动速度为1.2 m/min,镀膜功率为2.5 kW(A21)和3 kW(A23)时,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻极差最小为10~11Ω/sq,平均值为75~76Ω/sq,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻的均匀性最好。(2)ITO/SiO_(2)薄膜表现出晶体谱线和非晶谱线的叠加,In_(2)O_(3)和SnO_(2)特征峰发生轻微左偏移现象,SiO_(2)特征峰较宽,说明薄膜中的SiO_(2)处于非晶态结构,且可能部分发生晶粒尺寸效应,以微晶或纳米晶的形式存在。(3)ITO/SiO_(2)薄膜表面形貌比起SiO_(2)薄膜更均匀、连续、平滑且较致密,且具有明显的双膜层结构,其中ITO薄膜表面均匀平整且膜厚均匀,这与膜电阻均匀性一致;SiO_(2)薄膜与ITO薄膜和玻璃基底都形成了界面层,应该也是ITO薄膜结合力较好的原因;In元素的流失受到一定阻隔,应该与薄膜中的SiO_(2)的非晶态结构或发生晶粒尺寸效应,以及多晶ITO结构有关。结论通过优化控制靶面磁场强度、镀膜工件移动速度和镀膜功率等工艺因素,可以提高ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性,同时通过控制SiO_(2)薄膜成膜质量可以改善ITO薄膜质量,并起到阻隔In元素流失的作用。 展开更多
关键词 磁控溅射法 ito/SiO_(2)双膜层 微观结构 膜电阻均匀性
下载PDF
基于ITO的Co-ZnO电极的制备及对邻苯二酚的检测评价
11
作者 马寅 杨意 +3 位作者 吴青华 缪楚宇 武莹 李宇春 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期206-211,217,共7页
采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-... 采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-ZnO电极对邻苯二酚具有非常明显的电催化活性,通过测试分析得到其线性范围为0.01~10 mmol/L、灵敏度为1429.67 mA/(mM·cm^(2))、检出限为0.87μmol/L。通过干扰试验可知,Co-ZnO电极对其有良好的选择性,且电极的重现性良好。 展开更多
关键词 邻苯二酚 ito导电玻璃 Co-ZnO电极 电沉积
下载PDF
退火处理对低阻LCD屏ITO薄膜光电性能的影响
12
作者 武洋 贾文友 +2 位作者 刘莉 郑建军 徐娇 《盐城工学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期75-78,共4页
采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退... 采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退火处理对电阻屏ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明:制备的ITO薄膜的最佳退火温度为400℃,退火时间约为70 min。 展开更多
关键词 ito薄膜 退火温度 退火时间 光电性能
下载PDF
退火温度对ITO/Cu/AZO透明导电薄膜结构及性能的影响
13
作者 孙冰成 张健 +1 位作者 张贤旺 于尉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第11期155-162,共8页
采用射频与直流磁控交替溅射法在石英玻璃载玻片上制备了氧化铟锡(ITO)/Cu/Al掺杂ZnO(AZO)(45 nm/10 nm/45 nm)组合结构的透明导电薄膜,并在不同退火温度下对薄膜进行真空热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针电... 采用射频与直流磁控交替溅射法在石英玻璃载玻片上制备了氧化铟锡(ITO)/Cu/Al掺杂ZnO(AZO)(45 nm/10 nm/45 nm)组合结构的透明导电薄膜,并在不同退火温度下对薄膜进行真空热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等表征手段,系统地研究了退火温度对ITO/Cu/AZO复合薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果显示,经过不同温度的真空退火处理,薄膜的晶体结构和导电性能得到显著改善和提高,薄膜可见光平均透过率随着退火温度的升高先增加后降低。对比发现,在气压5×10^(-3)Pa、温度150℃下退火制备的ITO/Cu/AZO结构薄膜表现出最佳的综合性能,薄膜具有较强的(222)和(440)晶面衍射峰,在400~800 nm光波范围平均透过率约为80.5%,电导率约为1.76×10^(3) S/cm,综合品质因数达到约2.12×10^(-3)/Ω。 展开更多
关键词 磁控溅射 真空热处理 氧化铟锡(ito)薄膜 Al掺杂ZnO(AZO)薄膜 交替溅射法
下载PDF
Effects of Yb ^(3+)-Doping on Phase Transformation and Photocatalytic Activities of TiO_2 Nano-Powders
14
作者 姜洪泉 王鹏 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第S1期58-64,共7页
Yb 3+-doped TiO_2 composite nano-particles were prepared by the acid-catalyzed sol-gel method using Ti(OC_4H_9)_4 and Yb(NO_3)_3 as precursors. The effects of the amount of Yb 3+ doping and calcination temperature on ... Yb 3+-doped TiO_2 composite nano-particles were prepared by the acid-catalyzed sol-gel method using Ti(OC_4H_9)_4 and Yb(NO_3)_3 as precursors. The effects of the amount of Yb 3+ doping and calcination temperature on the phase transformation, crystallite size, surface texture of the nanopowders were investigated by XRD and BET specific surface area. Their photocatalytic activities were evaluated using the photocatalytic degradation of methylene blue in aqueous solution as a probe reaction. At the interface, titanium ions substitute for ytterbium ions in the lattice of Yb_2O_3 to form Ti-O-Yb bonds, which cause distortion and inhibit the anatase to rutile phase transformation in TiO_2. The results indicate that Yb 3+-doping can enhance the photocatalytic activity of TiO_2 nano-powders as compared with pure TiO_2. 0.125%(mass fraction) Yb 3+ doped TiO_2 nano-powders calcined at 600 ℃ for 2 h show the highest photocatalytic activity. The increase in photoactivity is due to the effects of the factors such as crystal phase, crystallite size, surface chemical property, surface density of OH groups, and surface texture properties of the TiO_2 nano-powders. 展开更多
关键词 TITANIA Yb 3+-doping nano-powders phase transformation photocatalytic activity
下载PDF
Influence of current injection ways on efficiency and size of powders in preparation of nano-powders with electrical explosion
15
作者 张爱华 吴龙 +2 位作者 杨富龙 周爱武 朱亮 《China Welding》 EI CAS 2014年第1期51-58,共8页
Wire electrical explosion may result in the existence of micro-sized large particles in powders while current injection ways may influence the size and content of micro-sized large particles. Therefore, two kinds of e... Wire electrical explosion may result in the existence of micro-sized large particles in powders while current injection ways may influence the size and content of micro-sized large particles. Therefore, two kinds of electrical explosion devices with different electrodes by gas discharge were designed in this paper. The pole-board electrodes and the cone electrodes were used respectively for studying copper wire electrical explosion process. The current and voltage data were measured with the Rogowski coil and high voltage probe. The results show that the pulverizing process of electrical explosion is more efficient when the wire electrode current density injected into the cone electrodes is approximately twice as much as the pole-board electrodes. The content of micro-sized large particles is the least among the products of the electrical explosion, when the total deposition energy of the wire prior to vaporization stage is 2. 5 times larger than that of the theoretical value of the completed vaporization. 展开更多
关键词 nano-powders wire electrical explosion gas discharge energy density
下载PDF
ITO薄膜的制备及其光电性能研究 被引量:1
16
作者 黄惜惜 赵桂香 +3 位作者 扬川苏 张中建 高荣刚 黄国平 《太阳能》 2024年第4期94-100,共7页
随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感... 随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感,随着氧含量增加,ITO薄膜的电阻率也随之增加,而透过率则呈先上升后下降,然后基本保持不变的趋势;2)随着沉积温度升高,ITO薄膜的透过率也随之升高,而电阻率则呈先下降后上升的趋势;3)随着溅射气压的升高,ITO薄膜的电阻率呈上升趋势,而透过率则是先降低再略微升高;4)当氧含量在1.8%~2.0%,溅射功率在3000~4000 W,沉积温度在150~190℃,溅射气压在0.5~0.7 Pa时,ITO薄膜具有较优的光电性能。因此,在合理范围内提高沉积温度,其则会具有退火作用,有助于进一步改善ITO薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 太阳电池 磁控溅射 氧含量 沉积温度 ito薄膜 光电性能
下载PDF
应用于LED的ITO薄膜光电性能研究 被引量:2
17
作者 高鹏飞 石磊 《光源与照明》 2024年第1期49-51,共3页
为提高出光效率,在出光面和电极之间需要一种导电性好、透光性高的薄膜材料。文章研究了直流磁控溅射法制备应用于LED的ITO薄膜时,O2流量、溅射功率、溅射气压等工艺参数对薄膜光电性能的影响,并通过实验得出结论。
关键词 LED ito薄膜 磁控溅射 光电性能
下载PDF
ITO靶材烧结用垫片自动磨床设计研究
18
作者 赖玉活 陈荣智 +1 位作者 林伟健 黄应欢 《制造技术与机床》 北大核心 2024年第8期105-112,共8页
针对ITO靶材烧结用垫片生产成本高、效率低、质量差的难题,设计了一款加工该垫片的自动磨床。通过研究其功能需求,确定磨削方式,进行了总体、机构设计。结构设计通过集成创新方式设计了新颖的分料、上料、磨削、下料、砂轮修整、除尘、... 针对ITO靶材烧结用垫片生产成本高、效率低、质量差的难题,设计了一款加工该垫片的自动磨床。通过研究其功能需求,确定磨削方式,进行了总体、机构设计。结构设计通过集成创新方式设计了新颖的分料、上料、磨削、下料、砂轮修整、除尘、清洁及安全等机构,并对其进行可靠性计算及实验验证。该自动磨床设计巧妙,结构简单,安全高效,实现了垫片自动化加工,已应用于生产中,效果显著。 展开更多
关键词 ito靶材 自动磨床 结构设计 可靠性分析
下载PDF
ITO薄膜的制备及性能研究
19
作者 卞恒卿 张家震 金虎范 《中国建材科技》 CAS 2024年第S01期147-148,152,共3页
采用磁控溅射方法,以纯ITO作为靶材,Ar和O_(2)、H2为溅射气体在高铝硅玻璃基片上成功制备出低电阻且高透光率的ITO膜。利用X射线衍射、分光光度计对不同工艺参数下薄膜的结构和光学参数进行了表征,方阻仪用来测量样品的电学性能。研究... 采用磁控溅射方法,以纯ITO作为靶材,Ar和O_(2)、H2为溅射气体在高铝硅玻璃基片上成功制备出低电阻且高透光率的ITO膜。利用X射线衍射、分光光度计对不同工艺参数下薄膜的结构和光学参数进行了表征,方阻仪用来测量样品的电学性能。研究结果表明,ITO膜为非晶结构,溅射功率和溅射气体通过影响薄膜中的缺陷浓度、氧空位的浓度对ITO薄膜的方阻以及透光率产生影响。优化工艺条件下的ITO膜的方阻值Rs为13Ω/sq,900nm处的透光率可达85.4%,具有良好的透光率和导电性。 展开更多
关键词 ito 磁控溅射 氧空位
下载PDF
G-可料过程的Ito积分
20
作者 陈焘 康元宝 李悦 《长春师范大学学报》 2024年第6期11-17,22,共8页
可料过程是一种重要的随机过程.本文利用非线性随机分析理论方法,提出了G-可料过程的定义,拟发展次线性期望框架下的可料过程及其相关随机积分,探究了G-可料过程关于G-布朗运动以及G-布朗运动二次变差的Ito积分,得到了与其相关的若干性质.
关键词 次线性期望 G-可料过程 ito积分
下载PDF
上一页 1 2 122 下一页 到第
使用帮助 返回顶部