加热器ITO膜层图案刻蚀对改变热量分布的研究

为了控制加热器的加热均匀性,改变加热器表面的热量分布,提出一种基于ITO膜层图案刻蚀的加热器设计与加工方法。首先结合理论计算设计初步图案,用图案刻蚀的方法加工样品进行测试,找到ITO膜层图案刻蚀与热量分布的规律;然后结合具体项目设计一种可以满足产品要求的ITO膜层图案,制作加热器样品并测试热量分布;最后将相关数据进行整理与总结,为ITO膜层图案设计及加热器制作提供一种可行性方案。

柔性精细铜引线Cu/ITO蚀刻液的制备及工艺研究

目的:为实现柔性精细铜引线,通过配制Cu/ITO双膜系蚀刻液并对其蚀刻工艺进行研究,得到蚀刻液的合理配比和最佳的工艺参数。方法:通过配制的蚀刻液进行分析,测试其对Cu膜的蚀刻程度,通过对蚀刻温度、喷淋压力、蚀刻时间、药液浓度等工艺参数进行调整控制,利用蚀刻液的高选择性,使Cu/ITO双膜系刻蚀一步完成图案化。结果:通过试验得到Cu/ITO双膜系蚀刻液的合理配比和最佳的工艺参数,进行批量化试验生产得到线宽线距L/S规格为(35±5)μm的产品,生产的Cu-Film Sensor在外观及功能测试方面可达到规格要求,金属铜线路边缘整齐美观,绝缘性在50 MΩ以上,蚀刻后膜层附着力达到5B,产品高温高湿可靠性均符合规格要求,制程C pK大于1.33。意义:该工艺整个过程操作简练、安全环保而且配制的药液体系更加均匀稳定,可进行批量化稳定生产。

单层ITO多点电容触摸屏的设计

提出了一种单层ITO结构实现电容式触摸屏的设计方法,该方法可以实现单点/多点触摸功能。讨论了单层ITO玻璃不同图案设计对触摸功能的影响,对产生的原因进行了初步分析,并提出了改善的方法。

投射电容屏ITO电路检测用线阵CCD成像系统的设计

为解决线阵CCD用于投射电容屏氧化铟锡(ITO)电路检测时不易获取高对比度图像的问题,根据明场照明反射成像原理,设计并构建了一套基于最大叠加反射系数差值的同轴照明与成像系统.根据投射电容屏ITO电路与玻璃基板的光学特性及ITO电路的几何特征,分析了光源照射及成像方式;根据ITO电路的多层复合结构,分析了影响ITO电路与玻璃基板成像对比度的影响因素;在满足较高生产率的运动速度下,通过对比不同光照亮度下所获取的系列图像,确定了可获得高对比度ITO电路与玻璃基板图像的成像系统工作参数.实验结果表明:检测精度为10μm、ITO基板运动速度为130 mm/s且光照亮度等级为190时,所获图像的灰度直方图具有显著双峰值,易于识别ITO电路缺陷.

基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀

提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化学气相沉积(PECVD)方式生长氧化硅掩膜高温对器件制备造成的影响。对不同的ITO薄膜图形化方式进行了研究,结果表明垂直或正锥形台阶的光刻胶剥离工艺制备的ITO薄膜边缘光滑,尺寸误差小,是实现ITO薄膜图形化的理想方式。进一步研究了基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀能力,在硅刻蚀深度达到150μm时,掩膜只消耗了5.66 nm,刻蚀选择比高达26500∶1,没有发现微掩膜效应。因此利用ITO掩膜实现键合片的深硅刻蚀,掩膜的生长和图形化都在常温下进行,特别适合基于硅玻璃(SOG)键合刻蚀工艺的MEMS器件制备。

基于ITO图案化的LCD低温加热设计

为了改善机载LCD在低温加热过程中出现的不均匀、四角发蓝现象,提出了一种基于ITO图案化的加热器设计方法。首先通过Pro/E软件设计ITO图形,接着利用ANSYS Workbench对屏组件进行有限元热仿真,得到了机载LCD的低温加热功耗以及稳态温度分布图,最后根据仿真数据制作LCD,并进行样品试验。结果表明,对于15.24cm的LCD,在相同的功率下,图案化的加热器加热更加均匀,且四角发蓝现象得到明显的改善。

ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究

介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。

电容屏ITO电路缺陷自动检测光照研究

ITO材料与玻璃基板的透射与反射系数相近而使高速扫描CCD很难采集到高对比度图像,电容触摸屏的ITO电路上下双层结构使光源倾角与相机倾角不平行时照明光经过多次透射与反射后会出现无序叠加。采用光源倾角与相机倾角平行的透射照明方式能避免光强无序叠加,并能提高玻璃基板图像和ITO图像的对比度,光照强度优化实验表明:光强较弱时CCD曝光不足将导致图像过暗并存在横向条纹干扰,随光强增大图像灰度直方图双峰现象凸显,在光照等级达到200时达到最佳,之后变化不明显。

ITO电极图案自动检测系统的总体设计

介绍了一种基于规则的ITO (透明导电薄膜 )电极图案的自动检测系统 ,检测过程主要分为两个步骤 ,第一阶段是对图像进行预处理和图像标记 ,第二阶段根据特定的知识和规则对图像进行学习检测 .

采用ITO纳米粒子喷墨印刷制备透明电极

本文讨论了喷墨印刷氧化铟锡(ITO)电极在有机太阳能电池(OSCs)中的应用。利用纳米ITO晶体进行喷墨印刷并在450℃时迅速退火,可以直接获得平均透光率为84.14%、方块电阻为202.7Ω/□的ITO电极。由喷墨印刷直接制造的ITO电极制备的有机太阳能电池具有0.57V的开路电压、8.47mA/cm^2的短路电流、44%的填充因子以及2.13%的能量转换率。这表明从有机太阳能电池印刷成本效益来讲,相对于溅射工艺,由于无须光刻工艺且ITO材料的利用率更高,直接利用喷墨印刷制备ITO电极成为一种可行的选择。

液晶显示器电极图形制作中的ITO基板清洗技术

由于LCD产品的薄、轻、省电等特征,在各个领域都受到广泛使用,随着人们对高显示信息、高显示质量和显示全彩化的要求,在一定视域内,要求彩色STN液晶显示器具有更多更密的象素,势必要求显示电极图形的制作越来越精密。本文将通过对CSTN-LCD电极图形制作流程和部分实用物理清洗方法的介绍,说明电极图形制作中ITO基板清洗的重要性。

图案化In_(2)O_(3):Sn薄膜制备及显影剂对图案制备的影响研究

功能薄膜的图案化是微电子加工中不可或缺的工序,目前已经成为制约我国微型化集成电路发展的关键因素。本研究以制备低成本且高质量的图案化In_(2)O_(3):Sn薄膜为目的,摒弃常规且工艺复杂的干法刻蚀或湿法刻蚀的研究思路,转而向一种化学修饰的溶胶凝胶技术探索。利用化学修饰后的纳米级溶质颗粒的紫外感光特性,以及曝光前后溶质颗粒在有机溶剂中发生的溶解度变化,通过溶胶凝胶工艺成膜,后经曝光、显影、热处理等工序,形成图案化的In_(2)O_(3):Sn薄膜。重点探索了显影剂配方对薄膜图案制备的影响规律。该方法去除了包含光刻胶制备、剥离以及刻蚀等一系列复杂工序,薄膜图案化制备简单且质量较高,是一种新的值得继续探究并广泛推广的薄膜图案化技术。

电容触摸屏菱形挖空图案静态场的仿真测试方法

采用有限元方法,通过商业求解软件MAXWELL,解决电容触摸屏潜在的静电场问题,对触摸屏面板布局进行了描述,主要性能指标进行了确定.利用仿真模拟的方法,研究电容触摸屏具体图案对电容屏触摸灵敏度的影响.对于具体菱形挖空图案,通过软性电路板材料(FPC)屏对氧化铟锡材料(ITO)屏进行了模拟仿真计算和实验测试,并且进行数据比较,验证了此仿真方案可以测试不同电容屏图案的灵敏度,不需要生产出ITO真屏对灵敏度进行测试比较,大大节省了触摸屏优化设计的成本.

基于Ito方程的广告效应理论预测模型

广告效应取决于许多因素,假设在t时刻广告效应是t以及在t时刻的接收率S(t)的函数,利用Ito方程,作为连续型随机变量,从理论上给出了一种广告效应的预测模型,包括广告的即时效应、延续效应、累计效应及扩散效应模型.