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ITO/Al_2O_3复合透明导电膜的制备及光电性能 被引量:3
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作者 季振国 王超 刘坤 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第3期173-175,172,共4页
采用磁控溅射技术 ,在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜。通过高温热处理 ,获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2 O3 复合透明导电膜。研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能 ,结果表明 ,当预沉积Al层厚度... 采用磁控溅射技术 ,在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜。通过高温热处理 ,获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2 O3 复合透明导电膜。研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能 ,结果表明 ,当预沉积Al层厚度为 4 0nm左右时 ,ITO的结晶质量得到提高 ,取向性能变好 ,电阻降低 ,而且在 4 0 0 - 80 0nm范围内具有很高的可见光透过率。实验表明 ,通过改变预沉积Al膜的厚度 ,可以改变ITO薄膜最大透过率对应的波长 。 展开更多
关键词 ito al2O3 复合膜 磁控溅射
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ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升 被引量:2
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作者 王雪 崔志勇 +5 位作者 王兵 薛建凯 张向鹏 段瑞飞 曾一平 李晋闽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期680-684,共5页
通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜... 通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360~410 nm波长的平均透过率大于95%,且方块电阻为22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325μm×275μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3%,饱和电流提升了15.00%,饱和光功率提升了15.04%。研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能。 展开更多
关键词 氧化铟锡(ito) ito/al 透明导电膜 紫外发光二极管(LED) 光电性能
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Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响(英文)
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作者 金原奭 金聖雄 +3 位作者 崔大林 柳在一 李禹奉 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期424-427,共4页
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-... 为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻。经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300Ω,而且没有ACX引起的问题出现。 展开更多
关键词 ito al-C—N 接触电阻 组分
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Memory Behaviors Based on ITO/Graphene Oxide/Al Structure
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作者 仪明东 郭佳林 +4 位作者 胡波 夏先海 范曲立 解令海 黄维 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第7期138-141,共4页
We investigate the memory properties of the ITO/graphene oxide/Al diodes. It is found that the devices show different memory behaviors with the diverse geometry and thickness of Al. When the thickness of the Al electr... We investigate the memory properties of the ITO/graphene oxide/Al diodes. It is found that the devices show different memory behaviors with the diverse geometry and thickness of Al. When the thickness of the Al electrode is relatively thick, the device of the cross-point Al electrode shows a three-level memory effect, and the counterpart device of the cross-bar Al electrode exhibits a volatile static random access memory effect. When the thickness of the AI electrode is thinner, the above devices demonstrate a flash memory effect. The different memory behaviors of ITO/GO/AI diodes are ascribed to the mode and degree of reduction and oxidation of GO. 展开更多
关键词 GO Memory Behaviors Based on ito/Graphene Oxide/al Structure ito al
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防静电Kapton二次表面镜的电子辐照效应 被引量:6
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作者 刘宇明 姜利祥 +6 位作者 冯伟泉 郑慧奇 丁义刚 沈自才 赵雪 赵春晴 刘国青 《航天器环境工程》 2009年第5期411-414,397,共4页
文章研究防静电Kapton二次表面镜(ITO/Kapton/Al)在不同能量电子辐照后,太阳吸收比退化情况,并利用X射线光电子能谱仪(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)对样品表面的成分和形貌进行了分析。结果表明,相同电子注量下,电子能量越高,对样品的太... 文章研究防静电Kapton二次表面镜(ITO/Kapton/Al)在不同能量电子辐照后,太阳吸收比退化情况,并利用X射线光电子能谱仪(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)对样品表面的成分和形貌进行了分析。结果表明,相同电子注量下,电子能量越高,对样品的太阳吸收率退化作用越大;电子辐照对样品表面形貌影响不大,但是会降低表面氧化铟锡的含量;不同能量的电子对样品表面成分的损伤效应是一致的。 展开更多
关键词 电子辐照 防静电kapton二次表面镜 太阳吸收比 试验研究
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热控涂层电子辐照效应 被引量:1
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作者 刘宇明 郑慧奇 +2 位作者 丁义刚 姜利祥 沈自才 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期76-79,共4页
研究防静电Kapton二次表面镜(ITO/Kapton/Al)、S781白漆两种典型热控涂层,在不同能量电子辐照后太阳吸收比退化情况,并利用X射线光电子能谱和扫描电子显微镜对样品表面的成分和形貌进行了分析。结果表明:相同电子注量下,不同能量电子对... 研究防静电Kapton二次表面镜(ITO/Kapton/Al)、S781白漆两种典型热控涂层,在不同能量电子辐照后太阳吸收比退化情况,并利用X射线光电子能谱和扫描电子显微镜对样品表面的成分和形貌进行了分析。结果表明:相同电子注量下,不同能量电子对样品的太阳吸收比退化作用程度是有区别的。而样品光谱反射率、表面形貌、表面成分的损伤效应类似,说明不同能量电子辐照下,样品的退化机理是一致的。 展开更多
关键词 电子辐照 防静电Kapton二次表面镜 S781白漆 太阳吸收比
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水性聚氨酯的纳米改性 被引量:24
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作者 罗振扬 沈吉静 赵石林 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2005年第3期26-28,共3页
分别将纳米氧化铝(Al2O3)和纳米氧化铟锡(ITO)加入到水性聚氨酯树脂中,改善了水性聚氨酯涂膜的耐磨性能和隔热性能。
关键词 纳米改性 水性聚氨酯树脂 纳米氧化铝 聚氨酯涂膜 氧化铟锡 隔热性能 耐磨性能
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屏电极结构对微通道板成像器间隙放电的影响
8
作者 曹柱荣 杨正华 +3 位作者 白晓红 张海鹰 刘慎业 丁永坤 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1251-1254,共4页
利用铝屏和氧化铟锡(ITO)屏两种结构的微通道板(MCP)成像器进行了放电实验,通过直流首击穿后器件的绝缘强度和电极熔蚀形貌变化,分析了屏电极结构对放电的影响。实验表明,铝屏MCP成像器首击穿后,铝膜电极出现如火山口状的熔蚀形貌,在10... 利用铝屏和氧化铟锡(ITO)屏两种结构的微通道板(MCP)成像器进行了放电实验,通过直流首击穿后器件的绝缘强度和电极熔蚀形貌变化,分析了屏电极结构对放电的影响。实验表明,铝屏MCP成像器首击穿后,铝膜电极出现如火山口状的熔蚀形貌,在10μs脉冲屏压下绝缘强度降低到3 kV/mm以下,绝缘强度与MCP无关。而ITO屏MCP成像器首击穿后,荧光质向MCP的质量迁移具有抑制阴极发射的作用,所以放电具有稳定的场发射特性,在10μs脉冲屏压下绝缘强度可达到9 kV/mm。分析表明,MCP成像器间隙放电的发展主要依赖于屏电极结构,ITO屏的电极结构有利于MCP成像器绝缘性能的提高。 展开更多
关键词 真空放电 微通道板成像器 铝屏 氧化铟锡屏
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