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题名ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响
被引量:8
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作者
王万晶
李喜峰
石继峰
张建华
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机构
上海大学机电工程与自动化学院
上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期210-215,共6页
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基金
国家自然科学基金(0 51072111
50675130)
973(2011CB013100)资助项目
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文摘
采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZO)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(1.15×10-3Ω.cm)。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p-GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后,LED器件20 mA驱动电流下的工作电压从9.5 V降低为6.8 V,发光强度从245 mcd升到297 mcd,提高了20%;驱动电流为35 mA时,其发光强度从340.5 mcd升到511 mcd,提高了50%。
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关键词
LED
ito/gzo薄膜
界面调控层
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Keywords
LED devices
ito/gzo complex films
gzo electrode
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分类号
TN301
[电子电信—物理电子学]
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