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Thickness dependency of nonlinear optical properties in ITO/Sn composite films
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作者 南博洋 洪瑞金 +4 位作者 陶春先 王琦 林辉 韩朝霞 张大伟 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期65-70,共6页
In this study,a batch of indium tin oxide(ITO)/Sn composites with different ratios was obtained based on the principle of thermal evaporation by an electron beam.The crystalline structure,surface shape,and optical cha... In this study,a batch of indium tin oxide(ITO)/Sn composites with different ratios was obtained based on the principle of thermal evaporation by an electron beam.The crystalline structure,surface shape,and optical characterization of the films were researched using an X-ray diffractometer,an atomic force microscope,a UV-Vis-NIR dual-beam spectrophotometer,and an open-hole Z-scan system.By varying the relative thickness ratio of the ITO/Sn bilayer film,tunable nonlinear optical properties were achieved.The nonlinear saturation absorption coefficientβmaximum of the ITO/Sn composites is−10.5×10^(−7)cm/W,approximately 21 and 1.72 times more enhanced compared to monolayer ITO and Sn,respectively.Moreover,the improvement of the sample nonlinear performance was verified using finite-difference in temporal domain simulations. 展开更多
关键词 ito/sn composite film Z-SCAN nonlinear absorption characteristic synergistic effect electric field
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In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究 被引量:23
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作者 陈猛 白雪冬 +4 位作者 裴志亮 孙超 宫骏 黄荣芳 闻立时 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期934-938,共5页
对掺锡三氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜光学特性进行了研究结果表明,该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大,表现出类金属性质,ITO薄膜的电磁本构特性参数光学... 对掺锡三氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜光学特性进行了研究结果表明,该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大,表现出类金属性质,ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450-800nm区间的色散很弱,基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明,薄膜在K=0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。 展开更多
关键词 薄膜 红外反射率 ito 光学特性
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锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响 被引量:3
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作者 马颖 吕庆莉 +2 位作者 张方辉 袁桃利 张麦丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期460-464,共5页
以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11%~33%)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响。用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品... 以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11%~33%)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响。用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20%时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小。 展开更多
关键词 ito 溶胶-凝胶法 sn掺杂 X射线衍射分析
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用喷雾燃烧法制备ITO纳米级粉末的研究 被引量:40
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作者 陈世柱 尹忠民 +1 位作者 黄伯云 胡林轩 《有色金属》 CSCD 2000年第2期88-90,共3页
将金属钢和锡先配制成合金,然后使In-Sn合金熔体过热,通过气雾喷粉工艺,由高压预热氧气使熔体雾化成微细的金属雾滴,并随即在高温反应室中进行直接地氧化燃烧而生成 ITO纳米级复合的氧化物粉体,其粒度 ≤ 30mm,制备 ... 将金属钢和锡先配制成合金,然后使In-Sn合金熔体过热,通过气雾喷粉工艺,由高压预热氧气使熔体雾化成微细的金属雾滴,并随即在高温反应室中进行直接地氧化燃烧而生成 ITO纳米级复合的氧化物粉体,其粒度 ≤ 30mm,制备 1kg的纳米级金属氧化物粉末仅仅需要约50s,并且生产过程无任何污染。 展开更多
关键词 雾化 氧化燃烧 金属氧化物 ito纳米粉
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锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响 被引量:3
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作者 张楠 刘家祥 曾胜男 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期164-168,共5页
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四... 以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析。结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%。基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制。结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子。通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65eV。 展开更多
关键词 ito薄膜 胶体法 掺杂 导电机制 光学能隙
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In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征 被引量:1
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作者 侯俊峰 周科朝 +2 位作者 李志友 王科 甘雪萍 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1494-1499,共6页
以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体... 以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体心立方结构的富Sn相,晶粒边缘内侧出现低Sn浓度的无析出带,其三晶交界处生成In_4Sn_3O_(12)晶粒;In_2O_3:Sn晶内富Sn析出相按照从晶粒中部到晶界边缘尺寸逐渐减小、排布由疏到密的的规律分布;随着保温时间的延长,In_4Sn_3O_(12)晶粒尺寸、In_2O_3:Sn晶内的富Sn析出相尺寸和无析出带宽度增大。 展开更多
关键词 ito陶瓷 In4sn3O12晶粒 sn析出相 微观结构
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Solvothermal preparation and characteristics of Sn-doped In_2O_3
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作者 古映莹 秦利平 +1 位作者 王曼娟 刘雪颖 《Journal of Central South University of Technology》 2008年第6期763-767,共5页
Sn-doped In2O3 (ITO) nanopowders were prepared in ethanol solvent by solvothermal process. The effects of the solvothermal temperature, coprecipitation pH value and SnO2 content on the products phase and microwave abs... Sn-doped In2O3 (ITO) nanopowders were prepared in ethanol solvent by solvothermal process. The effects of the solvothermal temperature, coprecipitation pH value and SnO2 content on the products phase and microwave absorption were investigated by X-ray diffractometry and microwave reflectance. ITO nanopowders with cubic structure can be respectively prepared at 250 and 270 ℃ for 6 h. The prepared product is InOOH or the mixture of InOOH and In3Sn4O12 when the solvothermal temperature is below 250℃. With rising solvothermal temperature and prolonging time, the absorption of the ITO powders gradually decreases. The products are ITO nanopowders by coprecipitating at pH=9 or 11, but ITO powders with Sn3O4 at pH=6. The absorption of powders prepared at pH=6 is better than that at any other pH value. The products are all ITO nanopowders and crystal size reduces with increasing SnO2 content. The microwave absorption of ITO nanopowders with SnO2 content of 8% (mass fraction) is the best among samples with different SnO2 contents. 展开更多
关键词 ito 热溶解程序 微波吸收 化学反应
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In2O3:Sn中间层改善B掺杂ZnO薄膜的性能及其应用研究 被引量:1
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作者 赵慧旭 陈新亮 +5 位作者 杨旭 杜建 白立沙 陈泽 赵颖 张晓丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期310-317,共8页
金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜,具有天然的"类金字塔"绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐,影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池... 金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜,具有天然的"类金字塔"绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐,影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池的光电转换效率.本文设计了以一层超薄In2O3:Sn(ITO)薄膜(~4 nm厚度)作为中间层的多层膜,并通过对顶层BZO薄膜的厚度调制,改善BZO薄膜的表面特性,薄膜结构为:glass/底层BZO/ITO/顶层BZO.合适厚度的顶层BZO薄膜有助于获得类似"菜花状"形貌特征,尖锐的表面趋于"柔和",而较厚的顶层BZO薄膜仍然保持"类金字塔状"结构."柔和"的BZO薄膜表面结构有助于提高后续生长薄膜电池的结晶质量.将获得的新型"三明治"结构多层膜应用于p-i-n型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池,相比传统的BZO薄膜,电池的量子效率QE在500—800 nm波长范围提高了~10%,并且电池的Jsc和Voc均有所提高. 展开更多
关键词 掺硼氧化锌(BZO)薄膜 In2O3sn(ito)中间层 表面形貌 太阳电池
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低温生长ITO薄膜及其在太阳电池中的应用 被引量:3
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作者 杜建 陈新亮 +4 位作者 刘彩池 倪牮 侯国付 赵颖 张晓丹 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期286-292,共7页
氧化铟锡(ITO)同时结合 了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应 用于Si基薄膜太阳电池中。本文侧重研究了采用反应热蒸发(RTE)技术低温(约160 ℃)生长ITO透明导电薄膜过程中 不同Sn掺杂含量对薄膜微观结构以及光电性... 氧化铟锡(ITO)同时结合 了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应 用于Si基薄膜太阳电池中。本文侧重研究了采用反应热蒸发(RTE)技术低温(约160 ℃)生长ITO透明导电薄膜过程中 不同Sn掺杂含量对薄膜微观结构以及光电性能的影响。实验结果表明,随着Sn掺杂含量的增 加,ITO薄 膜微观结构稍有变化,薄膜的电子迁移率呈现先增大后减小的趋势,薄膜的光学带隙一定程 度上呈现展宽 趋势;对于较高的Sn掺杂含量,在低温条件下电离杂质散射和中性杂质散射成为影响电子迁 移率降低的重 要因素。经过薄膜生长优化,较佳的Sn掺杂含量为6.0wt.%,ITO 薄膜电阻率为3.74×10^-4 Ω·cm,电子迁移 率为47cm2/Vs,载流子浓度为3.71×10^20 cm^-3,且在380~900nm波长范围内的平均透过率约87%。将其应用于结构为SS/Ag/ZnO/nip a-S iGe:H/nip a-Si:H/ITO/Al的n-i-p型a-Si:H/a-SiGe:H叠层太阳电池, 取得的光电转化效率达10.51%(开路电压V oc=1.66V,短路电流密度Jsc =9.31mA /cm2,填充因子FF=0.68) 。 展开更多
关键词 氧化铟锡(ito)薄膜 反应热蒸发(RTE)技术 低温生长 sn掺杂含量 薄膜太阳电池
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