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ITO气敏材料的制备和掺杂工艺的研究进展 被引量:1
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作者 封皓 陈敬超 周晓龙 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2011年第1期212-214,共3页
主要介绍了ITO薄膜的制备工艺和掺杂优化工艺,例举了两种气敏机理的推论以及掺杂优化的机理。指出今后ITO气敏材料的气敏机理将成为研究重点,新形态ITO材料的研发将成为主要发展方向。
关键词 ito气敏材料制备工艺掺杂优化气敏机理掺杂机理新形态
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WO_3基气敏材料研究进展 被引量:6
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作者 牛新书 刘艳丽 徐甲强 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期611-616,共6页
综述了近年来国内外对WO3 基气敏材料的研究状况 ,对制备工艺、防团聚技术、掺杂效应及气敏机理等进行了分析比较 。
关键词 WO3 材料 制备工艺 掺杂效应 机理 三氧化钨 超微粉 薄膜 半导体 性能
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