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题名ITO气敏材料的制备和掺杂工艺的研究进展
被引量:1
- 1
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作者
封皓
陈敬超
周晓龙
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机构
昆明理工大学材料科学与工程学院
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出处
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
CAS
2011年第1期212-214,共3页
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基金
云南省自然科学基金(2008E028M)
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文摘
主要介绍了ITO薄膜的制备工艺和掺杂优化工艺,例举了两种气敏机理的推论以及掺杂优化的机理。指出今后ITO气敏材料的气敏机理将成为研究重点,新形态ITO材料的研发将成为主要发展方向。
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关键词
ito气敏材料制备工艺掺杂优化气敏机理掺杂机理新形态
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Keywords
ito, gas sensitive materials, preparation technology, doping technology, sensitive mechanism,doping mechanism, new form
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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题名WO_3基气敏材料研究进展
被引量:6
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作者
牛新书
刘艳丽
徐甲强
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机构
河南师范大学化学与环境科学学院河南省高等学校环境科学与工程重点学科开放实验室
郑州轻工业学院
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出处
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期611-616,共6页
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文摘
综述了近年来国内外对WO3 基气敏材料的研究状况 ,对制备工艺、防团聚技术、掺杂效应及气敏机理等进行了分析比较 。
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关键词
WO3
气敏材料
制备工艺
掺杂效应
气敏机理
三氧化钨
超微粉
薄膜
半导体
气敏性能
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Keywords
WO 3
gas sensing material
preparation
effect of dopant
gas sensing
mechanism
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分类号
TB381
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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