基于ITO玻璃-PDMS复合式低电压电泳芯片的快速制备

提出了一种基于ITO玻璃-PDMS复合式低电压电泳芯片的快速制备新方法.该方法采用Protel软件绘制低电压电泳芯片沟道的形状,利用电路板加工技术加工沟道模具,并采用PDMS整体浇注方法制备芯片微沟道;采用光刻、湿法刻蚀等微加工技术方法对ITO导电玻璃进行加工,并制备出ITO阵列电极.最后经修饰、封装等工序得到基于ITO玻璃-PDMS复合式低电压电泳芯片.实验表明:采用该方法制备的ITO阵列电极线条清晰,沟道侧壁陡直、表面光滑.同时,采用该方法制备芯片周期短,不需要昂贵的制作设备.

ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究

为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。

离线磁控溅射制备ITO镀膜玻璃及其应用

低辐射镀膜玻璃具有良好的透光性、优异的隔热性、保温性,被广泛地应用到节能门窗及节能建筑领域。基于对离线磁控溅射生产ITO导电膜玻璃进行详细介绍,分析其制备工艺、产品特点,通过与常规含Ag的Low-E玻璃样品进行理化试验对比,在此工艺下制备的ITO镀膜玻璃透过率高、具有良好的耐酸碱腐蚀性和耐磨性,应用前景广阔。

基于机器视觉的ITO导电玻璃缺陷检测系统设计

针对传统人工检测ITO导电玻璃缺陷时存在错检、漏检、效率低等问题,提出一种基于机器视觉的ITO导电玻璃缺陷检测方法。首先,提出了一种基于线扫描相机和多光源同时曝光合成图像的成像方案,使表面缺陷检测项与易误干扰项形成不同特征;其次,采用Blob分析方法对明暗场图像分类处理实现对划痕、气泡、划伤等表面缺陷的检测;最后,利用C#Winform实现具备友好的人机操作界面的检测软件系统。实验结果表明,系统综合漏检率为0.25%、误判率为4.07%,对单片玻璃的检测时间为2.3s,同传统人工目检方式相比,系统检测具有较高的效率和正确率,具备较高的实用价值。

电流密度对镀镍ITO玻璃性能的影响

为提高ITO玻璃在中、低频磁场的屏蔽效能,采用恒流电镀工艺,以不同的电流密度(0.4、1.3、2.2、3.1 A·dm^(-2))在ITO玻璃表面电镀沉积镍薄膜。采用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻测试仪及微同轴屏蔽效能测试装置对材料的形貌、物相、透过率、电导率及电磁屏蔽效能进行测试及表征。结果表明:随着电流密度的增大,镍薄膜厚度、电导率、屏蔽效能逐渐增大,透光率逐渐减小。其中电流密度为2.2 A·dm^(-2)时所制备的镀镍ITO玻璃电导率和屏蔽性能较好,电导率为0.99 S/mm,平均屏蔽效能为35.57 dB。

玻璃-PDMS复合芯片微流控气动微阀的研制

报道了一种基于玻璃-PDMS复合芯片微流控气动微阀的制作方法,该方法较Unger等[1]的方法更为简单易行,并克服了PDMS芯片气动微阀刚性不足和与外流路连接困难的缺点,提高了微阀的可靠性.……

基于ITO的Co-ZnO电极的制备及对邻苯二酚的检测评价

采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-ZnO电极对邻苯二酚具有非常明显的电催化活性,通过测试分析得到其线性范围为0.01~10 mmol/L、灵敏度为1429.67 mA/(mM·cm^(2))、检出限为0.87μmol/L。通过干扰试验可知,Co-ZnO电极对其有良好的选择性,且电极的重现性良好。

飞机座舱有机玻璃与ITO薄膜附着力优化

针对飞机座舱有机玻璃与ITO薄膜附着力差这一现象,提出了在磁控溅射法镀ITO薄膜前,先对有机玻璃基体进行低温等离子体表面轰击、预镀SiO2过渡层的改进方法。试验结果表明,改进工艺条件下制得的薄膜与基体的附着力得到了显著增强,且光电性能满足应用要求。

汽车前挡风玻璃用ITO薄膜的隔热及节能实验研究

通过两个隔热实验和一个节能实验 ,深入分析了 ITO薄膜用于汽车前挡风玻璃的可能性。结果表明 :ITO薄膜可以应用于汽车前挡风玻璃 ,既能保证超过 73%的可见光透过率 ,又能在炎热的夏季降低驾驶室的温度约 5℃ (上午 )或 2 .5℃ (中午 ) ,节约能耗达 34 %。

在有机玻璃上射频溅射ITO组合薄膜

利用射频磁控溅射技术在有机玻璃表面上一次完成表面活化、ITO膜制备、SiO2 减反射膜制备过程。利用低能等离子体对有机玻璃表面进行改性以提高ITO膜的附着力。研究了氧分压等工艺参数对ITO膜导电性能及光学性能的影响。

Cu^+离子注入对ITO薄膜玻璃进行表面改性的研究

将透明导电氧化铟锡（ＩＴＯ）薄膜玻璃注入了Ｃｕ＋离子进行表面改性。利用四探针、分光光度计、红外反射等设备，测定了注入Ｃｕ＋离子前后ＩＴＯ薄膜玻璃的电学、光学、微波衰减和机械性能，得出它们性能的变化规律，并加以分析。结果表明，Ｃｕ＋离子注入虽然使电学、光学性能有所降低，但表面硬度显著增加，可应用于对磨损性能要求较高的场合。

透明导电玻璃(ITO)基材自加热传感静态芯片聚合酶链反应(PCR)

利用商品化ITO玻璃导电层的温阻效应,无需任何微加工手段,实现了自加热和传感的芯片温度自动程序控制,最大程度地减小了传感滞后对温度控制稳定性的影响,温度控制的稳定性达到了0.2℃,升温速度最快可达20℃/s以上,在冷却风扇辅助下降温速度最快达到了8℃/s.芯片温控单元的引线从传统的两对(一对用于传感,一对用于加热)减少为一对.通过在该芯片上直接构建多个开放微池反应器的方法成功地实现了λDNA 157 bp片段的并行扩增.将该芯片置于倒置荧光显微镜样品台上,以蓝色(575 nm)发光二极管为光源,以光电倍增管为检测手段检测了dsDNA和SYBR GreenⅠ嵌合物的荧光强度随温度的实时变化曲线.

ITO膜透明导电玻璃的应用前景及工业化生产

本文综述了ＩＴＯ膜透导电玻璃的应用前景，列举了当前国内外市场现状及预测。透明导电玻璃是液晶平板显示器（ＬＣ）的主要材料，ＬＣＤ顺应时代的潮流，作为人机接口产品将获得比半导体产业更大的增长率。日本达到了３８％。９０年代由于信息高速公路和多媒体的发展迎来了ＬＣＤ时代。作者列举了ＩＴＯ膜透明导电玻璃的应用实例和镀膜工艺，以及适用于工业化生产设备。认为，作为批量生产，连续直流磁控溅射是当前理想设备。它可以克服产品质量的不均匀性、不稳定性，可实现自动化生产，而且完全有条件实现设备主机国产化．机械部沈阳真空技术研究所，９３年以来已先后成功的研制了两条生产线，镀出的ＩＴＯ膜透明导电玻璃指标完全达到了国外同类产品水平。

除油和蚀刻对ITO导电玻璃化学镀镍的影响

实验采用碱性除油去除ITO导电玻璃表面的油污，用磷酸溶液进行蚀刻以提高化学镀镍镀层的结合力，以硫酸镍为主盐进行了化学镀镍。研究了除油和蚀刻的工艺条件对镀镍层性能的影响，确定了化学镀镍前处理的最佳工艺参数。结果表明，用碱性化学除油液在25～35℃，除油6min，用磷酸溶液在40℃左右，蚀刻3min的条件下进行前处理，所得镀层覆盖率高、选择性优，与基体的结合力良好。

ITO玻璃在线等离子体清洗的研究

通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO (或SiO2 )膜 ,不仅具有优良的光电特性 ,而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比 ,膜层附着力提高了 3.5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续生产线上得到应用。

液晶屏ITO玻璃外观检测特殊复合光源照明系统设计

针对目前缺少液晶屏ITO玻璃检测设备的现状,结合液晶屏的结构和需要检测的缺陷特征,提出了一种液晶屏ITO玻璃外观检测特殊复合光源照明系统。该系统通过多个LED环形光源和面光源的组合,加以合理的照明角度,有效的得到了高对比度的图像。理论分析及实验结果均表明,该系统能很好的应用于液晶屏ITO玻璃的检测,大大减低算法方面的处理难度,提高检测效率,基于该系统采集到的图像,需要检测的缺陷部分有十分高的区分度,经过基本的图像预处理,就可以将所需检测的缺陷部分完全呈现出来。

铅离子注入对玻璃表面ITO膜性能的影响

采用离子注入技术将铅离子注入到ITO薄膜玻璃中,用分光光度计、四探针测试仪、硬度计等测定了ITO膜注入前后的光学性能、电学性能、机械性能和化学德定性。结果表明注入后光学、电学性能有所下降,而机械性能和化学稳定性有明显提高。这说明离子注入提高了ITO薄膜玻璃的耐磨损性和在有腐蚀性气氛下的稳定性。

ITO膜透明导电玻璃的特性、制备和应用

主要介绍了 ITO膜透明导电玻璃的主要特性、结构、导电机理、半导化机理、制备方法 。

ITO透明导电玻璃的除霜试验研究

介绍了氧化钢锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的除霜试验结果，并对ＹＦＯ透明导电玻璃应用于汽车挡风玻璃的可能性进行了分析。

ITO玻璃电致化学发光微流控芯片的低温键合

研究了一种利用商品化的氧化铟锡ITO）玻璃制作一次性电致化学发光微流控芯片的方法．采用光刻和湿法腐蚀ITO（氧化铟锡）层制作微电极；利用同样的方法，在另一片Cr板玻璃上湿法腐蚀微沟道．在玻璃之间夹入PE薄膜作为间质实现芯片的低温键合，采用开孔和预压处理PE薄膜，解决了键合气泡和储液池边缘变形问题．该方法解决了ITO玻璃不耐高温的问题，在120～125℃实现了微通道的有效封接，芯片的键合强度达到0．7MPa．