微波辅助-水相共沉淀法纳米ITO粉体的制备及其表征

利用微波辅助-水相共沉淀法,在InCl3和SnCl4混和溶液中添加PEG-6000,并滴加体积比1∶4浓度的氨水,并在不同反应温度(35～75℃)下制备了ITO前驱体,在温度800℃煅烧1h后得到纳米ITO粉体。利用SEM对纳米ITO粉体的形貌进行表征,用XRD对其结构、晶粒度和堆垛层数进行了表征,同时用纳米粒度Zeta电位分析仪对相应颗粒度进行了测试。讨论了微波辅助下不同反应体系温度对制备的纳米ITO粉体的形貌和尺寸的影响,并探讨了其机理,研究结果表明,随着反应体系温度的上升,纳米ITO粉体形貌由球形转为棒形,其晶体结构不变,晶粒粒径和颗粒度随着增大;反应体系温度的升高使纳米ITO晶粒不同晶面的晶粒度不同程度地增大,以及不同晶面垂直方向晶面不同程度地增多,是球形ITO晶粒成为棒形ITO晶粒的基础。

燃烧合成超细ITO粉体

以In粒和Sn粒为原料,尿素为燃料,柠檬酸为添加剂,燃烧合成ITO(掺锡氧化铟)粉体,利用粉末X射线衍射、扫描电子显微镜对产品进行表征,并研究柠檬酸(C6H8O7)对燃烧产物的影响。结果表明,以尿素为燃料燃烧合成是制备ITO粉体的有效途径,添加剂柠檬酸能有效抑制粉体的团聚,使颗粒分散性变好,得到颗粒细小均匀的ITO粉体。

纳米ITO粉体制备中试剂及影响因素的研究

铟锡氧化物(Indium tin oxide)是一种优良的透明导电氧化物材料。叙述并对比了目前制备ITO粉体的几种方法的优缺点。对其中的化学共沉淀法和化学滴定法,讨论了从铟锡化合物的物理化学性质来选择原料和沉淀剂,分析了制备过程中各种离子的浓度、沉淀时的温度、终点pH值、煅烧温度的范围及时间、分散剂等影响因素。

溶剂热法制备立方状ITO粉体及其电性能

以乙二醇、乙醇为溶剂通过溶剂热法制备出立方状ITO纳米粉体,研究了反应时间、NaOH浓度对ITO纳米粉体形貌的影响,并讨论了溶剂体积比、NaOH浓度对ITO粉体导电性的影响及机理。结果表明:采用乙二醇与乙醇做溶剂,V_(EG)∶V_(EtOH)=4∶1时,制备出分散性良好的立方状ITO纳米粉体,平均粒径为10.7 nm,且其XRD衍射峰强度比I_(400)/I_(222)最高为0.380;乙二醇与乙醇做溶剂,V_(EG)∶V_(EtOH)=4∶1,且NaOH浓度为0.275 mol·L^(-1)时,粉体电导率最高为46.75 mS·cm^(-1)。

机械球磨法制备ITO粉体及其光与电性能研究

以金属铟锭与氧化锡粉末为原料,将铟锭与硝酸、氨水进行一系列反应生成氧化铟(ITO)粉末,并采用机械球磨法以氧化铟与氧化锡质量比为97:3的标准制备ITO粉体,研究了机械球磨中的氧化锆磨介直径、球磨速度与固含量对粉体形貌与性能的影响,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、四探针电阻仪、紫外-可见分光光度计、比表面积孔径分析仪、激光粒度分析仪以及手持X射线荧光光谱分析仪对粉体进行了表征。结果显示,随着固含量的增加,ITO粉体形貌由球形转变为棒性,但仍然为立方相结构;在固含量为30%,磨介直径为10 mm,球磨速度为120 r/min时可得到130 nm左右、导电性优异、可见光区域透过率高、紫外光区域吸收率高的亚微米级别粉体。

沉淀法制备ITO粉体及其性能研究

以In Cl3、Sn Cl4、尿素和氨水为主要原料,采用化学共沉淀法制备出ITO粉体,探讨了沉淀剂种类和煅烧温度对ITO粉体性能的影响。结果表明:采用氨水可制备针状、粒度分布窄的纳米粉体,沉淀剂为尿素时则为块状、粒度分布较宽的微米粉体;随煅烧温度的提高,粉体的比表面积呈下降趋势,从700℃的28.65 m2/g下降到900℃的12.23 m2/g;氨水作沉淀剂且煅烧温度为700℃时可获得粒度均匀、分散性好、物相单一的纳米ITO粉。

沉淀剂添加方式对ITO粉体性能的影响

以In Cl3、Sn Cl4和尿素为主要原料,采用前驱体热解法制备ITO粉体,探讨了匀速滴加和一次性加入沉淀剂两种添加方式对ITO粉体性能的影响。结果表明,往混合盐溶液中匀速滴加尿素溶液可制备针状、粒径分布窄、700℃煅烧后具有显著单相结构的ITO细粉,一次性加入尿素溶液时制备的粉体团聚现象严重,粒径大,分布宽,且相变温度较高。随煅烧温度的提高和烧结时间的延长,ITO靶材的相对密度均呈先上升后下降的趋势,匀速滴加尿素溶液制备的粉体在1500℃下恒温2h后靶材的相对密度高达99.65,一次性加入尿素溶液时制备的粉体在1550℃下恒温3h后相对密度达到99.28,前者烧结性能相对优越。

缓冲溶液和分散剂对共沉淀法制备纳米级ITO粉体的影响

用化学共沉淀法制备ITO粉体。制备过程中,分别将NH_4Cl-NH_3H_2O、(NH_4)_2SO_4-NH_3H_2O和NH_4AC溶液作为缓冲溶液,保持反应过程中pH值基本不变。采用可溶性淀粉、PVP、十二烷基磺酸钠作为分散剂。借助XRD、TEM、BET及四探针电阻仪,研究缓冲溶液和分散剂对制得粉体的物相、形貌、分散性及导电性能的影响。结果表明:采用缓冲溶液制备出的粉体为单相In_2O_3粉体。采用NH_4AC作为缓冲溶液,用淀粉作为分散剂,当pH值为6~7时,所制粉体的粒径在10 nm左右,颗粒为立方体形,粒度均匀,分散性能好,电阻率相对较低。

制备工艺对纳米级铟锡氧化物(ITO)形貌和电性能的影响

以SnCl4·5H2O、In和浓盐酸为原料,采用化学共沉淀法制备出了纳米级锡掺杂氧化铟(ITO)导电微粉,系统地研究了掺杂量,共沉淀温度,pH值,热处理时间、温度对粉体粒度、形貌和电性能的影响规律。研究表明,合成的ITO粉体分散性较好、导电性能优异,粒径在40nm左右具有立方铁锰矿结构。在ITO纳米导电粉的制备过程中,共沉淀温度和滴定终点pH值对其形貌和性能有很大影响,当共沉淀温度在60℃左右,pH=6时制得的粉体性能最佳。煅烧条件对粉体的形貌、粒度和导电性也有较大的影响,在700℃,4h条件下可以制得导电性能良好,结晶完好,粒度分布均匀的ITO粉体。掺入Sn(Ⅳ)的量对载流子的迁移率有很大的影响,在掺杂浓度为10%左右可制得导电性极佳的纳米ITO粉体。

超声波-化学共沉淀法制备纳米ITO粉

以In、Sn硫酸盐为原料，采用超声波与化学共沉淀相结合的方法制备纳米ITO粉末，用TEM，SEM，XRD，BET等现代分析测试手段对制备的粉末进行表征。在反应温度为60～75℃，In^3＋浓度〈160g／L，氨水浓度〈400g／L，终点pH为6．8～8的条件下，得到的纳米ITO粉末颗粒呈球状，团聚少、分散性好，In2O3：SnO2（质量）=9：1，平均粒径〈50nm，比表面积〉15m^2／g。

新型抗静电整理剂ITO(掺锡氧化铟)

ITO(掺锡氧化铟)粉体因其高电导率和浅色透明性,是近年来迅速发展的一种新型功能材料。介绍了ITO粉体的性能及其薄膜的制备方法,包括溶胶-凝胶法、磁控溅射法、喷雾热解法和液相沉积法。目前其主要用于涤纶和羊毛的抗静电整理。

掺锡氧化铟纳米粉体制备的研究进展

掺锡氧化铟纳米粉体由于其独特的性能，在电光领域得到广泛应用。概述了制备纳米级掺锡氧化铟粉末的主要方法，并阐述了不同合成方法的工艺及特点，同时指出了高品质掺锡氧化铟粉末制备的发展趋势。

铟锡氧化物纳米粉体的制备方法及分散的研究进展

铟锡氧化物(ITO)纳米粉体具有粒径小、比表面积大、分散性好、杂质少的特点,是制备性能良好的ITO薄膜的原料。本文介绍了目前ITO纳米粉体的制备方法如:喷雾燃烧法、溶胶-凝胶法、水热合成法、化学液相共沉淀法、喷雾热解法、电解法和机械研磨法、燃烧合成法等,分析了不同制备方法的原理、优缺点及团聚的原因,提出了解决ITO粉体制备中团聚的方法,并对ITO纳米粉体制备的研究进行了展望。

高固相含量纳米ITO水基浆料流变性能的研究

以PAA为分散剂制备高固相含量纳米ITO水基浆料，研究了pH值、分散剂用量、固相含量对浆料流变性能的影响。结果表明：PAA对改善纳米ITO粉体的表面电动特性有显著作用，PAA的加入使粉体Zeta电位从-16mV降到-38mV；高固相含量的浆料均呈现出明显的剪切变稀行为；浆料粘度随固相含量增加而急剧增大；最佳的PAA用量及pH值范围分别为0．06mg／m2和10—11。55wt％固相含量的浆料在150S-1剪切速率下粘度为0．38Pa·s，以此为原料采用胶态成型技术制备出微观结构均匀的ITO陶瓷素坯。