ITO透明导电膜玻璃生产及应用

简要地介绍了ITO透明导电膜玻璃生产及其应用领域和市场 。

发射光谱法测定ITO透明导电膜的Sn/In

本文采用运动电极，火花激发，讨论了膜样品分析中标样和分析样品的一致性，介绍了选用多个样品叠加摄谱对ＩＴＯ膜中Ｓｎ／Ｉｎ浓度比的测量。结果表明分析方法的精密度和准确度满足分析要求。

ITO透明导电膜的湿法制备与性能研究

以聚乙烯基吡咯烷酮为分散剂制备了氧化铟锡(ITO)溶胶,通过涂布的方式将其制备成ITO透明导电膜,考察了不同热处理温度及表面粗糙度对ITO薄膜性能的影响。结果表明:ITO溶胶颗粒粒度分布较窄,分散性好;随着热处理温度的升高,ITO薄膜的导电性和透光性均逐渐增强;相同热处理温度下,薄膜表面粗糙度越低越有利于获得低电阻率、高透光率的ITO薄膜。

关于ITO透明导电膜玻璃生产及应用的分析

在高新技术领域,ITO透明导电膜玻璃得到了较好的应用。基于这种认识,本文对ITO玻璃的生产工艺技术发展情况进行了分析,并对其应用前景展开了探讨,从而为关注这一话题的人们提供参考。

偏压磁控溅射法在水冷柔性衬底上制备ITO透明导电膜

通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 3× 10 -4 Ωcm、附着良好的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 .SnO2 最佳掺杂浓度为 7 5 %— 10 % (w .t.) ,最佳氩分压为 0 5— 1Pa.当衬底负偏压为 2 0— 40V时 ,晶粒平均尺寸最大 ,制备出的薄膜的电阻率有最小值 .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的c轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少 .最佳衬底负偏压取值范围为 2 0— 40V .

柔性聚酰亚胺(PI)衬底上ITO薄膜的生长及其透明导电性能影响机制研究

采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征。结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导电性能的影响机制。在优化的工艺条件下(溅射功率100W和沉积气压0.4Pa),制备了在可见光区平均透射率达86%、电阻率为3.1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO透明导电薄膜。

有ITO透明导电膜的平面分层介质系统的电磁波性能理论研究

理论研究了有ITO(indiumtin oxide)透明导电膜的多层平面分层介质系统的电磁性能,给出的理论曲线和实测曲线符合很好.多层平面分层介质系统的电磁性能与ITO膜(方块电阻为8Ω)所在界面位置和平面分层介质系统层数及各层厚度等有关.优化设计了一种含有ITO透明导电膜的厚度仅7·35mm的四层平面分层介质系统,其在8—18GHz频段内电磁波反射性能很好.作为多层平面分层系统中的ITO导电膜,其方块电阻应低于30Ω,并且越小,其反射性能越好.

低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜

溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。

ITO膜透明导电玻璃的特性、制备和应用

主要介绍了 ITO膜透明导电玻璃的主要特性、结构、导电机理、半导化机理、制备方法 。

ITO材料在减反射膜设计中的应用

改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2～24.6Ω/□的试验结果.

电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究

利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3nm/min的条件下制得透过率T>81%,电阻率ρ=1.9×10-3Ω·cm的ITO透明导电膜。另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化。

快速光退火对ITO薄膜结构和性能的改善

利用电子束蒸发技术在常温下制备ITO透明导电膜,在这种条件下很难得到性能良好的透明导电膜,试图通过研究快速光热退火下退火温度、退火时间对其性能的影响,致力于在低温退火工艺下改善薄膜性能。通过对退火后样品禁带宽度的计算得出随着退火温度或退火时间的增大,禁带宽度逐渐增大;对样品的微结构分析发现随着退火温度的提高或退火时间的延长,样品的微结构致密性提高,各晶向面间距和晶格常数逐渐趋于标准的晶体;但退火温度过高或退火时间过长反而不利于透明导电膜性能的提高,所以选取合适的退火温度和退火时间是光退火下透光性和导电性都得到提升的关键。在200°C的退火温度下,退火12 m in可实现样品的透光率在可见光范围内达到82%,电阻率ρ=2.3×1-0 3Ω.cm。

基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9∶1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200℃)能在保证薄膜85%以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高。

ITO靶材的发展现状

1 前言 铟锡氧化物(英语 indium tin oxide)简称ITO。成品ITO陶瓷靶色泽为墨绿色亚光,形状为圆片或矩形片,圆片尺寸一般为φ80mm×6mm以上,矩形片尺寸一般为180mm×160mm×6mm～380mm×380mm×9mm之间,ITO靶的化学成份是In_2O_3-SnO_2,其中In、Sn按重量百分比铟含量要超过80％。

镀膜玻璃生产现状与发展

玻璃以其透明、高可见光透过率、高硬度、耐磨、重量轻等优异性能早已被广泛应用于建筑物门窗、天窗、幕墙等部位，为建筑物提供景观、装饰、采光及获得阳光辐射能量，成为建筑物不可缺少的主要材料；玻璃同时也是汽车、飞机、轮船等交通工具制造业、高科技行业及其它很多经济部门重要原材料。有学者预言在未来很长的一个时期还不可能有新的更好的材料取代它。

高频电磁屏蔽用ITO膜结构与性能分析

采用阴极磁控溅射法制备用于电磁屏蔽的 ITO透明导电膜 ,方块电阻在 5～ 40 Ω/□范围内。测试不同方块电阻膜层的电阻率、膜厚、可见光透光度、雾度、对 8～ 18GHZ频率范围内电磁波的反射率等性能 ,通过 X射线衍射图谱和 X射线回摆曲线研究膜层的结晶程度和晶粒大小对膜层性能的影响 。

高效径向结纳米线太阳能电池的制备工艺研究

本文利用纳米线结构构建了径向结非晶硅薄膜太阳能电池,充分发挥了径向结结构"陷光效应"、共振耦合、降低衰减等优势,并对传统的平面结构的太阳能电池制备工艺加以改进,制备出高效径向结硅纳米线太阳能电池。