ITO透明导电膜玻璃生产及应用

简要地介绍了ITO透明导电膜玻璃生产及其应用领域和市场 。

关于ITO透明导电膜玻璃生产及应用的分析

在高新技术领域,ITO透明导电膜玻璃得到了较好的应用。基于这种认识,本文对ITO玻璃的生产工艺技术发展情况进行了分析,并对其应用前景展开了探讨,从而为关注这一话题的人们提供参考。

ITO膜透明导电玻璃的特性、制备和应用

主要介绍了 ITO膜透明导电玻璃的主要特性、结构、导电机理、半导化机理、制备方法 。

ITO膜透明导电玻璃的应用前景及工业化生产

本文综述了ＩＴＯ膜透导电玻璃的应用前景，列举了当前国内外市场现状及预测。透明导电玻璃是液晶平板显示器（ＬＣ）的主要材料，ＬＣＤ顺应时代的潮流，作为人机接口产品将获得比半导体产业更大的增长率。日本达到了３８％。９０年代由于信息高速公路和多媒体的发展迎来了ＬＣＤ时代。作者列举了ＩＴＯ膜透明导电玻璃的应用实例和镀膜工艺，以及适用于工业化生产设备。认为，作为批量生产，连续直流磁控溅射是当前理想设备。它可以克服产品质量的不均匀性、不稳定性，可实现自动化生产，而且完全有条件实现设备主机国产化．机械部沈阳真空技术研究所，９３年以来已先后成功的研制了两条生产线，镀出的ＩＴＯ膜透明导电玻璃指标完全达到了国外同类产品水平。

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ。

电加温用透明导电膜(ITO)玻璃的评价指标及质量检验

本文对电加温用透明导电膜（ＩＴＯ）玻璃的常用性能的质量指标给予了评价，在此基础上，以简单、实用为原则，介绍了各项指标的检验测试方法。

有机材料衬底ITO透明导电膜的结构和导电特性研究

采用真空反应蒸发技术，蒸发高纯度铟锡合金，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜．研究了薄膜结构及电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数对制备条件的依赖关系．

柔性聚酰亚胺(PI)衬底上ITO薄膜的生长及其透明导电性能影响机制研究

采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征。结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导电性能的影响机制。在优化的工艺条件下(溅射功率100W和沉积气压0.4Pa),制备了在可见光区平均透射率达86%、电阻率为3.1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO透明导电薄膜。

溶胶-凝胶提拉法制备ITO透明导电膜

采用溶胶凝胶(sol gel)法, 利用自制的提拉实验设备于石英玻璃片上制得了 ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜, 并就薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及透光性等进行了研究分析。结果表明: 薄膜的方电阻和透光性与提拉速度、提拉次数、热处理温度、冷却方式及 Sn 原子掺杂量等因素有关。当 Sn 原子掺杂量为12.5%(质量分数)、提拉速度为80 mm/min、经5次提拉且每次提拉后经550℃热处理(炉外空冷)而最终制得的ITO薄膜的方电阻为110Ω/□, 透光率可达90%以上。用溶胶凝胶法制备 ITO薄膜具有工艺简单可控, 成本较低且宜于大面积成膜等优点。

低温沉积ITO透明导电膜的研究

通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□。

低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜

溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。

ITO/Ag/ITO透明导电膜性能研究进展

复合型透明导电膜ITO/Ag/ITO是一种极具发展潜力的高性能透明导电膜,其导电性远高于传统透明导电材料氧化铟锡(ITO),同时可大幅节约ITO膜中的稀缺元素In。文章阐述了ITO/Ag/ITO复合膜的设计原理及其设计中存在的问题,分析了ITO/Ag/ITO结构中底层ITO膜、外层ITO膜和Ag膜在膜系结构中的作用及其对ITO/Ag/ITO光学和电学性能的影响,阐明了Ag膜对ITO/Ag/ITO光学和电学性能的决定性作用,综述了对Ag膜进行退火处理、添加其他金属元素、引入超薄层等提高Ag膜沉积质量和性能的方法,展望了高性能ITO/Ag/ITO复合透明导电膜今后的研究方向。

ITO透明导电玻璃的除霜试验研究

介绍了氧化钢锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的除霜试验结果，并对ＹＦＯ透明导电玻璃应用于汽车挡风玻璃的可能性进行了分析。

直流磁控反应溅射沉积ITO透明导电膜的研究

研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率的影响。

ITO透明导电玻璃的隔热实验研究

本文介绍了氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的隔热和试验结果，给出了具体的温差数据和比例。

发射光谱法测定ITO透明导电膜的Sn/In

本文采用运动电极，火花激发，讨论了膜样品分析中标样和分析样品的一致性，介绍了选用多个样品叠加摄谱对ＩＴＯ膜中Ｓｎ／Ｉｎ浓度比的测量。结果表明分析方法的精密度和准确度满足分析要求。

TO与ITO透明导电薄膜光学性质研究

研究了非标准配比SnO_x(TO)及In_2O_3重掺杂锡(ITO)的透明导电薄膜的光学性质,采用透-反射法及透射法确定了它们的光学常数n与k,讨论了透-反法中的多值问题。俄歇电子分析表明ITO中Sn原子浓度约6.5%。

ITO 膜的制备方法和 TD-360 型立式 ITO 透明导电膜生产线

本文介绍了用铟锡（ＩＴ）合金靶和氧化铟锡（ＩＴＯ）烧结靶制备ＩＴＯ膜的特点；采用ＩＴＯ靶时溅射工艺参数对ＩＴＯ膜性能的影响；以及我们自行设计制造的ＴＤ－３６０型立式ＩＴＯ生产线的特点。试验运行表明：国产ＩＴＯ导电玻璃生产线生产的产品完全能够达到国外同类产品水平。

ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析

介绍了镀制 SiO2的 ITO透明导电薄膜的性能特点，描述了用 X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程，给出了实验结果。

Ga_2O_3/ITO/Ga_2O_3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/Ga2O3(45nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.