ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究

随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。

模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究

以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。

基于沉积温度的氧化铟锡微结构调控及性能

为提高薄膜热电偶在航空发动机高温零部件表面瞬时测温的性能,采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜。通过沉积温度变化调控薄膜的微结构,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、塞贝克测试仪、纳米划痕测试仪等分别表征薄膜的微观结构、表面形貌、热电性能及界面结合力。结果表明:沉积温度直接决定溅射原子的表面扩散、生长能力及ITO载流子迁移率,从而改善其结晶性和热电性能。沉积温度为450℃时,ITO薄膜表面呈三角形晶粒形貌,薄膜中In_(2)O_(3)沿(400)择优取向,相比低温沉积的薄膜展现出优异的结晶性,界面结合力达到10.89 mN,同时ITO功率因子显著提高,在900℃测试温度下功率因子约为400μW/(m·K^(2)),表现出较好的热电性能和高温结构稳定性。

退火处理对低阻LCD屏ITO薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退火处理对电阻屏ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明:制备的ITO薄膜的最佳退火温度为400℃,退火时间约为70 min。

加热器ITO膜层图案刻蚀对改变热量分布的研究

为了控制加热器的加热均匀性,改变加热器表面的热量分布,提出一种基于ITO膜层图案刻蚀的加热器设计与加工方法。首先结合理论计算设计初步图案,用图案刻蚀的方法加工样品进行测试,找到ITO膜层图案刻蚀与热量分布的规律;然后结合具体项目设计一种可以满足产品要求的ITO膜层图案,制作加热器样品并测试热量分布;最后将相关数据进行整理与总结,为ITO膜层图案设计及加热器制作提供一种可行性方案。

液晶玻璃基板切割技术发展的研究

液晶玻璃切割目前普遍用刀轮切割,成本低廉,但刀轮切割技术在实际使用过程中会产生裂片、粉尘、裂纹等问题,在未来大尺寸、超薄玻璃切割时会逐渐已适用。针对这种问题,新的激光切割技术会逐渐显现出优势,因为激光切割的能源聚焦切割效果可有效避免出现玻璃裂纹、粉尘、裂片等问题,而且随着激光应用技术的发展,切割成本也会逐渐下降。

ITO薄膜的制备及性能研究

采用磁控溅射方法,以纯ITO作为靶材,Ar和O_(2)、H2为溅射气体在高铝硅玻璃基片上成功制备出低电阻且高透光率的ITO膜。利用X射线衍射、分光光度计对不同工艺参数下薄膜的结构和光学参数进行了表征,方阻仪用来测量样品的电学性能。研究结果表明,ITO膜为非晶结构,溅射功率和溅射气体通过影响薄膜中的缺陷浓度、氧空位的浓度对ITO薄膜的方阻以及透光率产生影响。优化工艺条件下的ITO膜的方阻值Rs为13Ω/sq,900nm处的透光率可达85.4%,具有良好的透光率和导电性。

ITO薄膜的制备及其光电性能研究

随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感,随着氧含量增加,ITO薄膜的电阻率也随之增加,而透过率则呈先上升后下降,然后基本保持不变的趋势;2)随着沉积温度升高,ITO薄膜的透过率也随之升高,而电阻率则呈先下降后上升的趋势;3)随着溅射气压的升高,ITO薄膜的电阻率呈上升趋势,而透过率则是先降低再略微升高;4)当氧含量在1.8%~2.0%,溅射功率在3000~4000 W,沉积温度在150~190℃,溅射气压在0.5~0.7 Pa时,ITO薄膜具有较优的光电性能。因此,在合理范围内提高沉积温度,其则会具有退火作用,有助于进一步改善ITO薄膜的光电性能。

基于Drude模型ITO薄膜性能及工艺控制分析

利用离子辅助电子束蒸发技术制备锡掺杂氧化铟薄膜,参考“第四范式”研究思路,根据薄膜光学性质特点建立以Drude振子为核心的光学模型,从模型参数入手,分析载流子浓度、迁移率对光学性能影响,得出提高载流子迁移率能够同步提升薄膜产品的光、电性能。总结分析文献报道中的主要成果,提出性能提升工艺方案,样品经验证载流子迁移率由6.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)提高到18.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),厚度由315.5 nm减薄到155.2 nm情况下,面电阻由50.1 Ω/□减小到26.2Ω/□。

高温陶瓷薄膜热流传感器动态响应有限元分析

航空、航天等领域的高速发展对精密热流测量技术提出了更严苛的挑战。ITO/In_(2)O_(3)陶瓷材料相比贵金属材料有着更高的塞贝克系数,并拥有低密度和优异的高温力学性能。基于有限元仿真方法,建立了ITO/In_(2)O_(3)热电堆型薄膜热流传感器热电学仿真模型,设计了2种薄膜热流传感器结构,综合分析了热电堆在不同的热阻层分布、热阻层厚度和热流密度下的传热性能和输出动态响应变化,提出了ITO/In_(2)O_(3)薄膜热流传感器的优化设计方案。

集成于太阳能电池板的透明天线设计

本文提出了一种集成于太阳能电池板的光透明天线。选用叉形平面印刷单极子天线,辐射切片上的两个矩形的凹槽以便于实现天线的小型化。辐射贴片采用电导率约为8.3×10^(5)S/m的铟锡氧化物薄膜材料,介质基板采用钠钙玻璃。天线尺寸为30mm×30mm。仿真结果表明,天线的工作频率为5.8GHz,阻抗带宽为1.33GHz(4.59GHz~5.92GHz),透光率大于90%。随后以该天线为阵元组成了1×8的天线阵列,在5.8GHz时使阵列的增益可达9.68dB。

基底温度对射频磁控溅射PI基ITO薄膜的影响

采用射频(RF)磁控溅射法在柔性耐高温聚酰亚胺(PI)薄膜上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了基底温度对ITO薄膜性能的影响。运用四探针测试仪研究了基底温度对ITO薄膜方块电阻及电阻率的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)研究了基底温度对ITO薄膜表面形貌及结晶度的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、附着力测试仪分析电学性能最优的样品化学组成与附着力。研究结果表明,ITO薄膜方块电阻及电阻率随基底温度上升先下降后上升,在基底温度为250℃时,ITO薄膜方块电阻为14.1Ω/□,电阻率为1.9×10^(-4)Ω·cm,基膜附着力好,薄膜结晶度高,(222)晶面存在择优取向。

透光导电ITO膜的制备及其光电特性的研究

采用溶胶 凝胶方法制备ITO膜 ,并从制备工艺上研究了各种因素对ITO膜光电特性的影响 最后制出的ITO膜厚度约为 5 0nm ,在可见光区平均透射比达 97% ,最高达 99.5 5 % ,电阻率在 2 .0Ω·cm左右 ,最低达到 0 .

ITO薄膜的微结构表征及其组分特性

用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。

用电子束蒸发法低温无损情况下在有机柔性衬底上制作ITO膜及其性能研究

在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜 ,需要在低温及无损伤 (即避免离子轰击及热损伤等 )情况下进行。为满足此要求 ,采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜 ,对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底温度对薄膜质量的影响进行了研究 ;对薄膜结构、表面形貌、电学及光学特性进行了检测。最后 ,在PI衬底上获得高质量ITO膜 ,其可见光透过率超过90 % ,电阻率低于 5× 10 -4Ω·cm。

In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究

对掺锡三氧化铟（Sn－dopedIn2O3，简称ITO）薄膜光学特性进行了研究结果表明，该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大，表现出类金属性质，ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450－800nm区间的色散很弱，基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明，薄膜在K＝0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。

ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法

综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn^(4+)替代部分In^(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示。综述了磁控溅射、CVD、喷雾热分解和溶胶-凝胶四种制膜工艺。

ITO薄膜特性及发展方向

铟锡氧化物(ITO)具有一系列的独特性能,近年来引起人门广泛关注.为了把握这一发展趋势,本文结合国际发展背景,首先对近几年来我国在ITO薄膜研究领域的发展状况从结构与机理、薄膜特性以及应用三个方面给予回顾.其次,对今后的发展予以展望.

ITO透明导电薄膜厚度与光电性能的关系

透明导电薄膜的厚度制约其光电性质。本研究利用磁控溅射技术制备了厚度变化范围为200-1500nm的ITO薄膜,探索了薄膜颜色、可见光透过率、面电阻与膜厚的关系。薄膜颜色随着膜厚的增加呈现有规律的变化,可见光透过率随薄膜厚度的增加而呈现振荡下降趋势,并出现了极大值(紫红色),振荡趋势可用多光束干涉解释;薄膜面电阻随膜厚的增加呈减小趋势,薄膜厚度为1387nm时,面电阻为1.3Ω/□,薄膜最小电阻率为1.8×10-4Ω.cm。文章给出了可以通过选择恰当的薄膜厚度,以尽可能满足透明导电薄膜面电阻、透过率两个相互矛盾的指标。

ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响

氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。